今天我們來(lái)了解一下場(chǎng)效應(yīng)管，英文名叫Filed Effect Transistor ，簡(jiǎn)稱(chēng)FET，也是一種具有PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（IGFET）。

絕緣柵型的又分：耗盡型和增強(qiáng)型。

而且，場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電溝道有N溝道和P溝道，所以一共分了六種場(chǎng)效應(yīng)管。

場(chǎng)效應(yīng)管是利用輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)，來(lái)控制輸出電流，所以叫“電壓控制型器件”。 它在工作過(guò)程中，起主要導(dǎo)電作用的載流子只有一種，即“多數(shù)載流子”，故場(chǎng)效應(yīng)管又被稱(chēng)為“單極型晶體管”，前面介紹的三極管是雙極型的。

之后都主要以N溝道為例，為大家分享場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)知識(shí)。

一、N、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)圖

電極：G（柵極）、D（漏極）、S（源極）。

P與N之間紅色區(qū)域的是耗盡層，就是最前面學(xué)習(xí)的PN結(jié)，有P和N的地方躲不掉，PN結(jié)有。

N、P溝道的P+區(qū)域與N+區(qū)域的摻雜濃度是比較高的，而且，圖形符號(hào)，也就是電路符號(hào)，電極G上的箭頭方向其實(shí)就是PN結(jié)的方向。

二、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理

在這之前，先介紹一個(gè)電壓參數(shù)UGS(off)，這是一個(gè)負(fù)值，就是加在G和S之間的電壓，我們前面利用學(xué)過(guò)PN結(jié)知識(shí)可以知道，PN結(jié)加上反向電壓，其內(nèi)電場(chǎng)就會(huì)變寬，在這里也就是耗盡層變寬，而且這個(gè)電壓值恰好使得左右兩個(gè)耗盡層相連接，這就是UGS(off)。

1、當(dāng)我們?cè)贕和S外加電壓| UGS|<| UGS(off)|時(shí)，兩個(gè)耗盡層還沒(méi)有相交，中間還有N型半導(dǎo)體N溝道在，可以導(dǎo)電，這個(gè)時(shí)候，N溝道越寬，其電阻越小； 反之N溝道越窄，電阻越大。

2、當(dāng)我們?cè)贒和S之間加電壓時(shí)，看看會(huì)怎么樣。 D和S極其實(shí)都是一樣的，可以互換。

①UDS=0時(shí)，漏極電流ID=0；

②UDS<| UGS(off)|時(shí)，我們看下面的圖，從D極往下，電勢(shì)是逐漸降低的，所以?xún)蛇叺暮谋M層的寬度是從上到下逐漸變窄的，導(dǎo)致N溝道的寬度，從上到下是逐漸變寬的。

這個(gè)時(shí)候，ID是隨著UDS增大而增大的。

③當(dāng)UDS=| UGS(off)|，最上面D極附近，兩耗盡層開(kāi)始相遇，稱(chēng)“預(yù)夾斷”，這個(gè)時(shí)候UDS增大的話，夾斷的范圍就開(kāi)始從上到下逐漸變大。

只要出現(xiàn)夾斷了，ID基本上就不再變化了，因?yàn)閵A斷導(dǎo)致沒(méi)有N溝道可以導(dǎo)通了。

所以，我們畫(huà)伏安特性圖的時(shí)候，前面一段是電壓變化會(huì)影響電流大小的，我們叫“可變電阻區(qū)”，后面出現(xiàn)夾斷后，電流不在隨電壓變化，我們叫“恒流區(qū)”，也叫“飽和區(qū)”。

今天的內(nèi)容就到這里，我們下期介紹絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。