基于氮化鎵的電力電子器件和轉(zhuǎn)換器

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轉(zhuǎn)換器(141067) 轉(zhuǎn)換器(141067)
電力電子器件(10626) 電力電子器件(10626)
氮化鎵(114708) 氮化鎵(114708)

評(píng)論

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電力電子器件之晶閘管結(jié)構(gòu)

電力電子器件之晶閘管結(jié)構(gòu) 　　電力半導(dǎo)體可控器件，始于1957年通用公司開(kāi)發(fā)的SCR。然后進(jìn)入晶閘管大容量化時(shí)期，同時(shí)又開(kāi)發(fā)

2009-12-10 14:11:11

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大功率電力電子器件散熱研究綜述

針對(duì)現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問(wèn)題，以溫度對(duì)電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)特點(diǎn)、常見(jiàn)散熱技術(shù)、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究和新材料在電力電子散熱研究中的應(yīng)用這五方面為切入點(diǎn)，論述了大功率電力

2023-11-07 09:37:08

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氮化鎵: 歷史與未來(lái)

的是用于藍(lán)光播放器的光盤(pán)激光頭）。在光子學(xué)之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關(guān)技術(shù)，但直到2004年左右，第一個(gè)氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開(kāi)始商用。這些晶體管通常用于需要

2023-06-15 15:50:54

氮化鎵GaN 來(lái)到我們身邊竟如此的快

65W氮化鎵2C1A充電器62、XinSPower新斯寶100W氮化鎵1A3C充電器63、XinSPower新斯寶100W氮化鎵2A2C充電器64、ZENDURE 30W氮化鎵轉(zhuǎn)換插座65

2020-03-18 22:34:23

氮化鎵GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展

的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上

2020-11-03 08:59:19

氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新

結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過(guò)利用雙向設(shè)備潛在地減少開(kāi)關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門(mén)應(yīng)用(如集成電機(jī)驅(qū)動(dòng))的有吸引力的選擇

2018-11-20 10:56:25

氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案

在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。

2020-10-28 06:01:23

氮化鎵一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵？聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化鎵價(jià)格戰(zhàn)伊始。

度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式

2022-06-14 11:11:16

是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化

2021-09-14 08:35:58

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊

2021-03-09 06:33:26

氮化鎵功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率？

氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。氮化鎵電源 IC 在

2023-06-15 15:35:02

氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢(shì)

更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常

2023-06-15 15:32:41

氮化鎵發(fā)展評(píng)估

。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本

2017-08-15 17:47:34

氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

。與典型的PN結(jié)MOSFET不同，GaN器件的雙向結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過(guò)利用雙向設(shè)備潛在地減少開(kāi)關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為

2019-03-14 06:45:11

氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？

GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？

2021-06-17 10:56:45

氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎？

降低了產(chǎn)品成本。搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調(diào)試方便、高頻工作實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點(diǎn)，可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，降低GaN快充的開(kāi)發(fā)難度，有助于實(shí)現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設(shè)計(jì)。 Keep Tops氮化鎵內(nèi)置多種

2023-08-21 17:06:18

電力電子器件分類(lèi)怎么規(guī)定的

電力電子器件的分類(lèi)共有四大類(lèi) 其中每類(lèi)又能分出多種不同類(lèi)型：一、按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類(lèi)：1、半控型器件，例如晶閘管；2、全控型器件，例如（門(mén)極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力

2017-01-19 20:49:04

電力電子器件的工作開(kāi)關(guān)狀態(tài)

電力電子技術(shù)總結(jié)第二章1 電力電子器件工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，為了減小損耗。通態(tài)損耗，斷態(tài)損耗，開(kāi)關(guān)損耗。2 不可控器件—電力二極管，利用單向?qū)щ娦?，可以在交流變直流過(guò)程中實(shí)現(xiàn)整流。和電感在一起，一般

2021-11-16 06:34:43

電力電子器件的歸納

電力電子器件的歸納1） pn結(jié)是晶體管的核心，各種器件都和pn有一定的關(guān)系，但相互有其特點(diǎn)。研究不同器件的特點(diǎn)需要半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、提純技術(shù)、加工技術(shù)和檢測(cè)技術(shù)，這是半導(dǎo)體技術(shù)的核心，是國(guó)內(nèi)所沒(méi)有

2014-06-21 17:35:22

電力電子器件的問(wèn)題

【不懂就問(wèn)】在書(shū)上看到的說(shuō)，電力電子器件工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，這樣損耗很小，但是不是說(shuō)功率器件在不停開(kāi)關(guān)過(guò)程中有大量損耗嗎？這個(gè)矛盾嗎？而且開(kāi)關(guān)電源的功率管工作在飽和區(qū)，而線(xiàn)性電源的功率管工作在線(xiàn)性區(qū)，這個(gè)和上面又有什么關(guān)系？

2018-01-23 16:10:48

電力電子器件課件

電力電子器件1.1　電力電子器件概述1.2　不可控器件——電力二極管1.3　半控型器件——晶閘管1.4  典型全控型器件 1.5  其他新型電力電子器件 小結(jié)

2009-09-16 12:09:44

電子元器件和電力電子元器件有什么區(qū)別

，對(duì)電壓、電流有控制、變換作用（放大、開(kāi)關(guān)、整流、檢波、振蕩和調(diào)制等），所以又稱(chēng)有源器件。按分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)，電子器件可分為12個(gè)大類(lèi)，可歸納為真空電子器件和半導(dǎo)體器件兩大塊。電力元件需要控制信號(hào)使其導(dǎo)

2012-07-05 10:44:12

電子元器件和電力電子元器件有什么區(qū)別

2012-07-05 11:59:56

電子元器件和電力電子元器件有什么區(qū)別

2012-07-06 17:18:51

電子元器件和電力電子元器件有什么區(qū)別

2012-07-09 17:32:26

電子器件是指什么？電子器件可分為哪幾種

電子器件是指什么？電子器件可分為哪幾種？電子器件有何作用？

2021-11-05 08:32:42

電子器件測(cè)試儀

誰(shuí)有電子器件測(cè)試儀相關(guān)方面的資料?。壳蠊蚕?。{:1:} 好頭痛哦

2012-04-30 11:09:24

CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。氮化鎵與硅或砷化

2020-12-03 11:49:15

IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開(kāi)

功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)

2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)電子

2018-02-12 15:11:38

MACOM：硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢(shì)

不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì)，采用硅來(lái)做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸

2017-09-04 15:02:41

MACOM：適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵（GaN）

的各個(gè)電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實(shí)現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時(shí)間。總的來(lái)說(shuō)，氮化鎵器件具備更快速的開(kāi)關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢(shì)。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨(dú)特

2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實(shí)測(cè)案例——氮化鎵GaN半橋上管測(cè)試

系列光隔離探頭現(xiàn)場(chǎng)條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長(zhǎng)線(xiàn)連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線(xiàn)誤差）。現(xiàn)場(chǎng)連接圖如下：▲圖1：接線(xiàn)

2023-01-12 09:54:23

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`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。篘V6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對(duì)

2021-01-08 17:02:10

SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管

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2021-03-30 11:14:59

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2021-03-30 11:24:16

TGF2977-SM氮化鎵晶體管

放大器/QORVO放大器濾波器/MINI濾波器功分器/PEREGRINE射頻開(kāi)關(guān)/ Innovative Power Products(IPP)耦合器/ADI放大器數(shù)模轉(zhuǎn)換器陀螺儀/MARKI混頻器巴

2018-07-25 10:06:15

【技術(shù)干貨】氮化鎵IC如何改變電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)

：如前所述，氮化鎵器件以射頻速度開(kāi)關(guān)。比現(xiàn)有的電力電子開(kāi)關(guān)速度快得多。鑒于此，具有高共模瞬變抑制（CMTI）的高速柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)優(yōu)化Transphorm GaN FET的性能至關(guān)重要。為此，Si827x

2018-07-19 16:30:38

為什么氮化鎵(GaN)很重要？

氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理

2023-06-15 15:47:44

為什么氮化鎵比硅更好？

，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。

2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢？

應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。據(jù)報(bào)道，美國(guó)特斯拉公司的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外，很多讀者都已經(jīng)在電器市場(chǎng)上看到了使用了氮化鎵半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體，其內(nèi)部電路在高壓

2023-02-23 15:46:22

什么是氮化鎵功率芯片？

氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到

2023-06-15 14:17:56

什么是氮化鎵功率芯片？

通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out

2023-06-15 16:03:16

什么是氮化鎵技術(shù)

兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)

2020-10-27 09:28:22

什么是氮化鎵（GaN）？

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅

2023-06-15 15:41:16

什么是氮化鎵（GaN）？

、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專(zhuān)家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？

2019-07-31 06:53:03

什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展

的應(yīng)用[color=rgb(51, 51, 51) !important]激光雷達(dá)（LiDAR）使用鐳射脈沖快速形成三維圖像或?yàn)橹車(chē)h(huán)境制作電子地圖。氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)相較MOSFET器件而言，開(kāi)關(guān)速度快十倍，使得

2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身

2021-09-23 15:02:11

光子器件與電子器件的性能有哪些不同

光子學(xué)是什么？納米光子學(xué)又是什么？光子器件與電子器件的性能有哪些不同？

2021-08-31 06:37:56

如何學(xué)習(xí)氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通?

精通，這個(gè)系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設(shè)計(jì)，帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線(xiàn)、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析

2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源？

如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線(xiàn)、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。

2021-06-17 06:06:23

如何實(shí)現(xiàn)對(duì)有SPI接口的AD轉(zhuǎn)換器AD7705的接口應(yīng)用？

整機(jī)在工作時(shí)，大概有4％的能量被各種電力電子器件所消耗，這些被消耗的能量以熱量的形式分別在單個(gè)模塊中通過(guò)散熱器散發(fā)出去。

2019-11-06 07:27:03

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類(lèi)了，可以外接顯示器，拓展塢之類(lèi)的。要用氮化鎵

2021-09-14 06:06:21

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能

導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)

2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？

2021-06-15 06:30:55

實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵器件

更高，因?yàn)樗须娏鞫?b class="flag-6" style="color: red">轉(zhuǎn)換為施加到負(fù)載的扭矩。圖 3：500 ns死區(qū)時(shí)間對(duì)扭矩信號(hào)的影響；電頻率為 27 Hz，可見(jiàn) 6 次諧波。扭矩信號(hào)從扭矩傳感器取得。基于氮化鎵器件的逆變器可以在100

2023-06-25 13:58:54

平面磁件如何提高電力電子器件性能

電子功率轉(zhuǎn)換器非常重要，電子功率轉(zhuǎn)換器包括磁性器件，例如：用于功率傳輸?shù)淖儔?b class="flag-6" style="color: red">器和用于能量存儲(chǔ)的電感器。本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。

2023-09-06 06:38:52

想要實(shí)現(xiàn)高效氮化鎵設(shè)計(jì)有哪些步驟？

和功率因數(shù)校正（PFC）配置?！　『?jiǎn)單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過(guò)渡能力。對(duì)于單個(gè)氮化鎵器件，隔離式負(fù) V一般事務(wù)（關(guān)閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡(jiǎn)單的方法，可以使用12V驅(qū)動(dòng)器

2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)介紹

2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念

氮化鎵器件于2010年3月開(kāi)始進(jìn)行商業(yè)化生產(chǎn)，激光雷達(dá)是第一種應(yīng)用能夠發(fā)揮氮化鎵晶體管的高速開(kāi)關(guān)和小尺寸優(yōu)勢(shì)，以實(shí)現(xiàn)最高性能，成為“殺手級(jí)應(yīng)用”。緊隨其后，是用于高密度計(jì)算的48 V DC/DC轉(zhuǎn)換器

2023-06-25 14:17:47

現(xiàn)代電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)

電子系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可以像小型的DC-DC轉(zhuǎn)換器一樣簡(jiǎn)單，也可以像大型的分布式電力系統(tǒng)那樣復(fù)雜。一個(gè)系統(tǒng)中PEBB的數(shù)量可以從一個(gè)到任何多個(gè)。多個(gè)PEBB模塊一起工作可以完成電壓轉(zhuǎn)換、能量的儲(chǔ)存和轉(zhuǎn)換

2017-11-07 11:11:09

現(xiàn)代電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)

能量接口和通訊接口。通過(guò)這兩種接口，幾個(gè)PEBB可以組成電力電子系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可以像小型的DC-DC轉(zhuǎn)換器一樣簡(jiǎn)單，也可以像大型的分布式電力系統(tǒng)那樣復(fù)雜。一個(gè)系統(tǒng)中PEBB的數(shù)量可以從一個(gè)到任何多個(gè)

2017-05-25 14:10:51

請(qǐng)問(wèn)氮化鎵GaN是什么？

氮化鎵GaN是什么？

2021-06-16 08:03:56

請(qǐng)問(wèn)candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？

2019-11-29 16:04:02

請(qǐng)問(wèn)：如何查電子器件的電參數(shù)？

比如某個(gè)型號(hào)的二極管、三極管的額定整流電流等，請(qǐng)問(wèn)到哪里可以查到電子器件的電參數(shù)？

2015-07-25 04:59:24

誰(shuí)發(fā)明了氮化鎵功率芯片？

擁有豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。另外，Dan 也是首屆 ISPSD 電力電子名人堂的入選者。 Marco Giandalia在電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，擁有超過(guò) 20 年的高壓集成電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，他在定義、建模

2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化鎵器件

了類(lèi)似高電子遷移率晶體管（HEMT）的氧化鎵。這類(lèi)器件通常由砷化鎵（GaAs）或氮化鎵制成，是手機(jī)和衛(wèi)星電視接收器的重要射頻支柱。這類(lèi)器件不是通過(guò)體半導(dǎo)體的摻雜溝道導(dǎo)電，而是通過(guò)在兩個(gè)帶隙不同的半導(dǎo)體

2023-02-27 15:46:36

高壓氮化鎵的未來(lái)是怎么樣的

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳

2018-08-30 15:05:50

新型場(chǎng)控電力電子器件

本節(jié)介紹幾種已經(jīng)形成了產(chǎn)品但在國(guó)內(nèi)還沒(méi)有在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)廣泛應(yīng)用的電力電子器件。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，不久的將來(lái)它們會(huì)逐漸被應(yīng)用到各種生產(chǎn)領(lǐng)域，因此先對(duì)這些器

2009-01-01 20:22:36

電力電子器件試卷

1.電力電子器件一般工作在________狀態(tài)?！　?.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為_(kāi)_______，而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為_(kāi)_______?！　?.電力電子器件組成

2009-01-12 11:31:46

電力電子器件及應(yīng)用

電力電子器件及應(yīng)用1.1　電力電子器件概述一、電力電子器件的分類(lèi)按照器件的控制能力分為以下三類(lèi)：半控型器件：晶閘管（Thyristor or SCR）及其大部分派生器件其特

2009-04-14 21:08:49

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電力電子器件電子教案

電力電子器件電子教案:第一節(jié) 電力電子器件概述第二節(jié) 不可控器件——二極管第三節(jié) 半控型器件——晶閘管第四節(jié) 典型全控型器件第五節(jié) 其他新型電力電子器件第

2009-09-19 19:40:32

電力電子器件概述

1.1 電力電子器件概述1.2 不可控器件——電力二極管1.3 半控型器件——晶閘管1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型電力電子器件

2010-03-21 09:34:00

電力電子器件的保護(hù)

較之電工產(chǎn)品，電力電子器件承受過(guò)電壓、過(guò)電流的能力要弱得多，極短時(shí)間的過(guò)電壓和過(guò)電流就會(huì)導(dǎo)致器件永久性的損壞。因此電力電子電路中過(guò)電壓和過(guò)電流的保護(hù)裝置

2010-06-28 14:35:53

電力電子器件的驅(qū)動(dòng)

可控型電力電子器件（包括全控和半控）多為三端器件，其中有兩個(gè)電極接主電路，如晶閘管的陽(yáng)極和陰極、GTR的集電極和發(fā)射極。工作時(shí)可承受很高的電壓和通過(guò)很大的電流。另

2010-08-08 14:41:35

電力電子器件的分類(lèi)

電力電子器件的分類(lèi) 按照器件的控制能力分為以下三類(lèi)：半控型器件：晶閘管（Thyristor or SCR）及其大部分派生器件其

2009-04-14 21:10:09

12021

電力電子器件與應(yīng)用

電力電子器件與應(yīng)用

2012-06-19 13:39:42

29699

氮化鎵測(cè)試

氮化鎵

jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

第2章電力電子器件

第2章電力電子器件

2016-12-15 22:08:53

電力電子器件強(qiáng)制風(fēng)冷用新型散熱器的研究

電力電子器件強(qiáng)制風(fēng)冷用新型散熱器的研究

2017-09-14 09:25:50

什么是光電子器件_光電子器件發(fā)展趨勢(shì)解析

根據(jù)是否需要電支持，光器件可以分為無(wú)源和有源兩類(lèi)。有源器件主要包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器、光放大器、激光器、光調(diào)制解調(diào)器、色散補(bǔ)償光模塊、光開(kāi)關(guān)等需要外加能源驅(qū)動(dòng)工作的光電子器件。

2018-02-24 10:23:37

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回顧電力電子器件的發(fā)展史及未來(lái)展望

電力電子器件（Power Electronic Device）又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上），其不斷發(fā)展引導(dǎo)著各種電力電子拓?fù)潆娐返牟粩嗤晟啤?/div>

2018-07-16 17:32:02

47938

采用氮化鎵材料的電子器件介紹

氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(一)氮化鎵器件的介紹

2019-04-03 06:10:00

6344

電力電子器件的換流方式有哪些

由于采用電力電子器件作為開(kāi)關(guān)器件，各支路間電流的轉(zhuǎn)移必然包含著電力電子器件開(kāi)關(guān)狀態(tài)的變化，它包括關(guān)斷退出工作的已處通態(tài)的器件和接通進(jìn)入工作的原處斷態(tài)的器件。由于器件和電路元件都具有慣性，上述器件開(kāi)關(guān)

2019-10-01 17:05:00

21642

電力電子器件的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是電力電子器件的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載包括了：1 電力電子器件概述，2 不可控器件——電力二極管，3 半控型器件——晶閘管，4 典型全控型器件，5 其他新型電力電子器件，6 功率集成電路與集成電力電子模塊

2020-01-09 15:28:00

電力電子器件的學(xué)習(xí)教程課件詳細(xì)概述

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是電力電子器件的學(xué)習(xí)教程課件詳細(xì)概述包括了：1 電力電子器件概述，2 不可控器件——電力二極管，3 半控型器件——晶閘管，4 典型全控型器件，5 其他新型電力電子器件，6 功率集成電路與集成電力電子模塊

2020-04-27 08:00:00

電力電子器件分類(lèi)_電力電子器件的特點(diǎn)

在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中，直接承擔(dān)電能的變換或控制任務(wù)的電路，稱(chēng)為主電路（ MainPower Circuit），其中的電子器件就是電力電子器件（Power Electronic Device）。廣義

2021-01-07 15:31:12

37192

電力電子器件的損耗包括哪些

電力電子器件的損耗包括哪些電力電子器件的損耗主要包括有開(kāi)通、關(guān)斷、通態(tài)損耗。在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為通態(tài)損耗，而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為開(kāi)關(guān)損耗。另外，si的二極管

2021-01-07 15:40:03

30907

其它新型電力電子器件與功率集成電路

目錄 2.5 其它新型電力電子器件 2.5.1 MOS控制晶閘管MCT 2.5.2 靜電感應(yīng)晶體管SIT 2.5.3 靜電感應(yīng)晶閘管SITH 2.5.4 集成門(mén)極換流晶閘管IGCT 2.5.5

2023-02-16 15:08:06

電力電子器件的概念及分類(lèi)

電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類(lèi)，目前往往專(zhuān)指電力

2023-04-04 15:31:43

3961

氮化鎵材料在電力電子器件中的應(yīng)用

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用，以及氮化鎵解決方案如何實(shí)現(xiàn)更高的能效。

2023-10-13 16:02:05

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