常用分析電路的方法有以下幾種：1、直流等效電路分析法；2、交流等效電路分析法；3、時(shí)間常數(shù)分析法；4、頻率特性分析法。
2016-05-17 11:14:49
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的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可以在內(nèi)部工作原理中引導(dǎo)和直流電，以調(diào)節(jié)它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件，被歸類為負(fù)-正-負(fù)（NPN）外延放大器晶體管，最常見于無線電
2023-02-16 18:22:30
的一種電源芯片，從而實(shí)現(xiàn)DC/AC、DC/DC電壓變換，以及輸出電壓可調(diào)和自動(dòng)穩(wěn)壓。作為在開關(guān)電源芯片中起穩(wěn)壓作用的場效應(yīng)晶體管，應(yīng)該具備低電荷、低反向傳輸電容以及開關(guān)速度快的特性，才能使電源發(fā)揮最好
2019-04-01 11:54:28
晶體管特性圖示儀測三極管直流參數(shù)
2012-08-20 07:47:47
晶體管特性圖示儀測三極管直流參數(shù)
2012-08-20 09:43:57
題庫來源：特種作業(yè)模考題庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當(dāng)于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運(yùn)放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
晶體管交直流參數(shù)對電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
）晶體管以圖7-1-3示出的等效模擬型代替；（2）所有直流電源、隔直電容，旁路電容都看作短路；（3）其它元件按原來相對位置畫出，利用等效電路可以求取放大器的放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻以及分析放大器的頻率特性。(520101)
2021-06-02 06:14:09
什么是電阻測量法？晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些？
2021-09-27 08:33:35
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管在高頻信號幅頻特性不擴(kuò)展的理由擴(kuò)展共射級放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
晶體管開關(guān)DC-DC電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖
2019-04-28 13:52:56
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
的電阻值接近0，則說明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說明該管的熱穩(wěn)定性不良。也可以用晶體管直流參數(shù)測試表的ICEO檔來測量晶體管的反向擊穿電流。測試
2012-04-26 17:06:32
? 01晶體管測量模塊在 淘寶購買到的晶體管測試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨?！?剛剛到貨的集體管測試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點(diǎn)陣液晶屏，顯示內(nèi)容更加
2021-07-13 08:30:42
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
是晶體管的直流電流放大系數(shù)，是指在靜態(tài)（無變化信號輸入）情況下，晶體管IC與IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情況下β和hFE較為接近,也可相等，但兩者含義是有明顯區(qū)別的，而且在許多場合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對于晶體管的主要評估項(xiàng)目的特征。 對于各項(xiàng)目的評估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經(jīng)集電極。這一集電極電流IC流經(jīng)電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉(zhuǎn)換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出。※1：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
ΔuO = ΔiCRC 。實(shí)質(zhì)上，這種控制作用就是放大作用。 3. 晶體管的工作狀態(tài) 當(dāng)給晶體管的兩個(gè) PN 結(jié)分別施加不同的直流偏置時(shí)，晶體管會(huì)有放大、飽和和截止三種不同的工作狀態(tài)。這幾種工作狀態(tài)
2021-05-13 06:43:22
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
本帖最后由 執(zhí)行司 于 2016-12-10 22:10 編輯
分享FFT頻譜分析法測相位
2016-11-28 09:18:11
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應(yīng)晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
直流電源后，在“Output”選項(xiàng)卡中選擇“I（Q1（IC））”，如下圖所示，確定輸出的縱坐標(biāo)是晶體三極管的集電極電流。
第三步 運(yùn)行輸出結(jié)果
最后點(diǎn)擊“Run”，得到下圖的輸出特性曲線圖
2023-04-27 14:48:48
目標(biāo)：設(shè)計(jì)一共射極直流增益β>150的NPN雙極型晶體管，并分析其輸入特性和輸出特性。1）MDRAW工具設(shè)計(jì)一個(gè)雙極型晶體管（平面工藝）；2）在MDRAW下對器件必要的位置進(jìn)行網(wǎng)格加密；3
2014-05-26 19:51:59
化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPT2020產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
表親非常相似的特性，不同之處在于，對于第一個(gè)教程“公共基極”、“共發(fā)射極”和“公共集電極”中討論的三種可能配置中的任何一種，電流和電壓方向的極性（或偏置）都是相反的。由于PNP晶體管的基極端子相對于
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
上使用的模擬器“SPICE”對設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時(shí)被稱為功率BJT。特點(diǎn)：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動(dòng)功率高，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
年代和 1960 年代，它也被稱為超級阿爾法對。Darlington認(rèn)識到這種設(shè)計(jì)對發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢，并為這一概念申請了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
。 計(jì)算鰭式場效應(yīng)晶體管寬度 （W） 鰭式場效應(yīng)晶體管的通道（鰭片）是垂直的。該設(shè)備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”，F(xiàn)inFET表現(xiàn)出一種稱為寬度量化的特性：其寬度是其高度的倍數(shù)。隨機(jī)
2023-02-24 15:25:29
、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。作者：鈴木雅臣，任職于Accuphase公司，主要從事數(shù)字視聽設(shè)備設(shè)計(jì)工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設(shè)計(jì)入門》、《晶體管電路設(shè)計(jì)》等。下載鏈接：[hide][/hide]`
2017-06-22 18:05:03
正電壓，以產(chǎn)生從發(fā)射極到集電極的電流。7.如何測量晶體管的特性？晶體管的輸出特性是通過檢查不同基極電流下屬于集電極電流的集電極-發(fā)射極端子之間的電壓變化來確定的。通過按下移動(dòng)設(shè)備上的“輸出特性”按鈕
2023-02-03 09:32:55
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
常用分析電路的方法有以下幾種：1、直流等效電路分析法在分析電路原理時(shí)，要搞清楚電路中的直流通路和交流通路。直流通路是指在沒有輸入信號時(shí)，各半導(dǎo)體三極管、集成電路的靜態(tài)偏置，也就是它們的靜態(tài)工作點(diǎn)
2016-07-19 10:32:32
常用分析電路的方法有以下幾種： 1、直流等效電路分析法 在分析電路原理時(shí)，要搞清楚電路中的直流通路和交流通路。直流通路是指在沒有輸入信號時(shí)，各半導(dǎo)體三極管、集成電路的靜態(tài)偏置，也就是它們的靜態(tài)
2016-06-01 21:24:32
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
晶體管等多種類型。三、晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。（一）電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力
2012-07-11 11:36:52
基于單片機(jī)的晶體管特性圖示儀
2012-08-20 09:30:07
灰色層次分析法進(jìn)行了電磁環(huán)境效應(yīng)的評估計(jì)算,仿真結(jié)果驗(yàn)證了該方法的有效性,同時(shí)也表明了應(yīng)用綜合集成方法解決電磁領(lǐng)域問題的可行性?！娟P(guān)鍵詞】：電磁環(huán)境效應(yīng);;層次分析法;;灰色理論;;評估【DOI
2010-05-04 08:06:05
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置。 晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
我正在考慮將F_t與晶體管的Gm / Id進(jìn)行繪圖。如果你知道如何做其中任何一件事，如果你能讓我知道，我真的很感激。我正在附上我的設(shè)置。 NMOS晶體管當(dāng)然是BSIM3模型的頂層視圖。最誠摯的問候，埃
2018-09-27 15:40:22
如何用Multisim10進(jìn)行數(shù)據(jù)采集？如何用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
直播PPT：直播簡介：本次直播通過深入講解基波分析法與傅里葉級數(shù)，旨在幫助電源工程師理解如何利用基波分析法分析LLC諧振電路，以及掌握LLC諧振電源需要的電路及數(shù)學(xué)基礎(chǔ)知識，讓你360°無死角學(xué)懂半
2019-01-04 11:46:15
怎樣去設(shè)計(jì)掃描信號發(fā)生器？掃描信號發(fā)生器的階梯波和鋸齒波有什么關(guān)系？以CRT示波器為顯示終端顯示波形，與通用晶體管特性圖示儀比較，具有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2021-04-15 06:13:59
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
本帖最后由 LOVE玲 于 2017-8-22 19:42 編輯
電路見圖中，請教各位前輩們在此電路中，如何用軟件檢測晶體管的故障？謝謝大家！
2017-08-22 19:36:41
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
層次分析法.pdf
2009-09-15 12:54:16
1、層次分析法AHP2、單片機(jī)學(xué)習(xí)層次分析法AHP將半定性，半定量的問題轉(zhuǎn)化為定量計(jì)算的一種行之有效的方法。成對比較矩陣和正互反矩陣設(shè)要比較n個(gè)因素C1,C2,……Cn對目標(biāo)O的影響，從而確定他們在
2021-07-19 06:19:28
數(shù)學(xué)建模算法：層次分析法之如何選擇旅游目的地
2019-06-03 17:31:04
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
直流電流增益率的關(guān)系式GI：數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2電壓關(guān)系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
的選擇和比較進(jìn)行了分析?？紤]了晶體管參數(shù)，如與時(shí)間相關(guān)的輸出有效電容（Co（tr））和關(guān)斷能量（Eoff）等，這會(huì)影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
如何用晶體管搭建一個(gè)放大電路，要求輸入為1V，輸出至少放大一倍，這么大的輸入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
我最近買了一臺QT2晶體管特性圖示儀，但是說明書看不懂，有沒有人能指導(dǎo)一下如何使用QT2晶體管特性圖？我是真的想知道怎么用QT2檢測各種三極管，場效應(yīng)管，整流管等，不要網(wǎng)上隨便復(fù)制的答案，希望真的懂得的哥們指導(dǎo)指導(dǎo)。。。
2012-07-14 21:37:00
如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀電路圖的工作原理:要描繪晶體管的特性曲線，需要對被測晶體管加上兩種電壓:一是要在晶體管的集電極加上工作電壓，但這個(gè)工作電壓不是固定的直流電壓，而是一個(gè)按一定頻率變化的鋸齒波
2008-07-25 13:34:04
用微變等效電路分析法分析放大電路的關(guān)鍵在于正確地畫出放大電路的微變等效電路。具體方法是：首先畫出放大電路交流通路，然后用晶體管的簡化h參數(shù)等效電路代替晶體管，并標(biāo)明電壓、電流的參考方向。應(yīng)用微變等效電路分析法分析放...
2021-04-20 07:01:01
如圖，這個(gè)是節(jié)點(diǎn)分析法需要求的電路，求出Vx(t)的表達(dá)式。
2019-01-10 10:14:57
不導(dǎo)通。當(dāng)UA＞UG時(shí)，P1N1結(jié)正偏將發(fā)生空穴注入，P1N1P2N2結(jié)構(gòu)開通，A-K間導(dǎo)通并出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象。其過程及伏安特性與單結(jié)晶體管十分相似，區(qū)別僅在于：單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性出現(xiàn)在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動(dòng)器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
晶體管中，輸入回路負(fù)載線與輸入特性曲線的交點(diǎn)為什么就是Q點(diǎn)？
2019-04-01 06:36:50
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個(gè)好？
2021-04-20 06:36:55
請問能幫忙分析這個(gè)電路晶體管如何be如何負(fù)偏置嗎？貌似VCC會(huì)對Vin造成直流干擾吧？在Vin和Lb間要加一個(gè)隔直電容吧？
2019-04-15 06:36:28
頻率特性變化的密勒效應(yīng)，再比如基于晶體管的負(fù)反饋、差分放大電路的設(shè)計(jì)。這些內(nèi)容如果認(rèn)真的去看《晶體管電路設(shè)計(jì)》，同時(shí)結(jié)合李老師的電路板進(jìn)行實(shí)際的電路搭建和測試分析，相信每一個(gè)位用心的同學(xué)都會(huì)有或多或少的收獲
2016-06-03 18:29:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
偏壓點(diǎn)分析（Bias Point Detail）和直流掃描分析（DC Sweep）
一、學(xué)習(xí)目的：
1、使用電路繪制程序Capture繪制
2007-11-16 12:31:234910 
直流等效電路分析法:采用直流等效電路分析法的目的是：了解被分析電路的直流系統(tǒng)
2008-11-08 08:46:397084 
晶體管特性圖示儀,晶體管特性圖示儀是什么意思
體管特性圖示儀它是一種能對晶體管的特性參數(shù)進(jìn)行測試的儀器。 一般
2010-03-05 14:29:093255 通過圖解分析法和微變等效電路分析法，對晶體管恒流源負(fù)載的等效靜態(tài)電阻和動(dòng)態(tài)電阻進(jìn)行了詳細(xì)分析，闡明了它們在不同工作狀態(tài)下的變化情況，以指導(dǎo)具有晶體管恒流源負(fù)載的晶體管工作狀態(tài)的確定.
2011-03-01 15:26:01
138 這個(gè)Demo將介紹如何用ChipScopy創(chuàng)建并運(yùn)行l(wèi)ink sweep。
2022-07-10 15:45:58959
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