在一周前看到在公眾號(hào)“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文，“Why 100Ω？ 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡(jiǎn)單結(jié)論背后不簡(jiǎn)單的問(wèn)題”，對(duì)MOSFET管柵極為什么放置“一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻”進(jìn)行討論。
2022-07-01 14:19:00
6393 在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:262112 
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻，我想問(wèn)為什么電阻可以抑制振蕩？請(qǐng)眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
大功率電源的PFC電路中，根據(jù)MOS管的Qg和導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)電流約5A。按照一般的說(shuō)法，如果驅(qū)動(dòng)電流設(shè)計(jì)的太大，會(huì)引起電壓過(guò)沖和振蕩，除此之外，還會(huì)有什么不利后果？會(huì)損壞MOS管嗎？根據(jù)經(jīng)驗(yàn)一般最大在多少A比較好？謝謝指教！
2022-05-05 23:01:18
相當(dāng)于一個(gè)快恢復(fù)二極管了。再看看下圖：有一些MOS管有一個(gè)叫DZ的二極管，為什么有的有，有的又沒(méi)有呢？它起什么作用呢？原來(lái)MOS管是屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，柵極是無(wú)直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷
2016-12-20 17:01:13
通時(shí)電流容限一般為1mA，在可能出現(xiàn)過(guò)大瞬態(tài)輸入電流(超過(guò)10mA)時(shí)，應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。因此應(yīng)用時(shí)可選擇一個(gè)內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)。還有由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓
2017-06-01 15:59:30
應(yīng)該不會(huì)差，看上去不像是電機(jī)運(yùn)行時(shí)的持續(xù)電流發(fā)熱導(dǎo)致的MOS管損壞?！ ×硗饩退闶且?yàn)槊}沖電流擊穿的話，一般情況也就只有漏極和圓極被擊穿，為什么連柵極都會(huì)被擊穿呢？ 難道是它？ 我想你們也都猜到
2023-03-15 16:55:58
，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo) ·gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù) ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6. 導(dǎo)通電阻
2012-08-15 21:08:49
的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片?！ ?、MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮
2018-10-31 13:59:26
滿足Vgs》Vth時(shí)即可導(dǎo)通。Vth是mos管柵極閾值電壓，一般為3v?！ ‘?dāng)我們使用Pmos時(shí)，PMOS的特性是，VGS小于一定的值（3V以上）就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)
2021-01-15 15:39:46
一般有三個(gè)極。四類MOS管增強(qiáng)型運(yùn)用較為普遍，下圖是畫(huà)原理圖時(shí)增強(qiáng)型NMOS和PMOS管的符號(hào)：漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（指有線圈負(fù)載的電路，如馬達(dá)），這個(gè)二極管
2019-01-28 15:44:35
MOS管開(kāi)關(guān)電路的定義MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">一般情況下普遍用于
2021-10-29 06:54:59
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)
2021-10-29 07:22:17
三極管放大好理解，輸入電流被放大，波形相位都保持不變，峰峰值變大。但是MOS管放大我就不理解了，柵極絕緣沒(méi)有電流流入，那么他放大的是什么呢？看起來(lái)MOS管只是由柵極電壓控制的一個(gè)開(kāi)關(guān)，或者說(shuō)是由柵極電壓控制一個(gè)可變電阻。請(qǐng)前輩們來(lái)解答疑惑
2020-03-04 14:22:43
和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)。gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)。 6.導(dǎo)通電阻RON 導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明
2018-11-20 14:06:31
跨導(dǎo)。gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)?！ ?.導(dǎo)通電阻RON 導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響，是漏極特性某一
2018-11-20 14:10:23
嗎，為什么？2、導(dǎo)通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級(jí)別的，非常小。所以具體過(guò)程是不是剛開(kāi)始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導(dǎo)通后柵極電流就變小，但為什么這個(gè)電流會(huì)變小呢？
2021-04-27 12:03:09
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度比三極管快。
2023-03-12 05:16:04
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降
2019-02-14 11:35:54
率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流
2021-01-11 20:12:24
為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主
2011-11-07 15:56:56
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS管開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一
2019-07-03 07:00:00
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS管開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一
2019-07-05 08:00:00
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS管開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一
2019-07-05 07:30:00
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
關(guān)于mos管的驅(qū)動(dòng)知識(shí)點(diǎn)不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
Ω-200KΩ的電阻，然后紅表筆接6N60的源極S，黑表筆接MOS管6N60的漏極。此時(shí)，指針指示的值一般為0，這是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻給MOS管6N60的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場(chǎng)，由于電場(chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)電溝道使漏極
2021-10-23 15:15:38
（），低壓平臺(tái)管子設(shè)置平臺(tái)時(shí)間范圍（）A、平臺(tái)時(shí)間一般300ns-1us柵極電阻10R-100RB、平臺(tái)時(shí)間一般90ns-300ns柵極電阻10R-50R2、橋式電路MOS互補(bǔ)方波輸入，死區(qū)波形（），為什么要加入死區(qū)（）`
2021-06-05 07:07:11
接負(fù)載；共集電極接法（又稱射級(jí)跟隨器）有電流放大而無(wú)電壓放大。三極管通俗的講就是小電流放大成受控的大電流； MOS 管通俗的講就是小電壓控制電流的。在數(shù)字電路中使用三極管就可以做開(kāi)關(guān)，但是一般是用于
2017-10-26 23:45:23
后柵極存儲(chǔ)的電荷通過(guò)R1迅速釋放，此電阻的阻值不可太大，以保證電荷的迅速釋放，一般在5K～數(shù)10K左右。 圖2-5-A 圖2-5-B灌流電路主要是針對(duì)MOS管在作為開(kāi)關(guān)管運(yùn)用時(shí)其容性的輸入特性
2012-08-09 14:45:18
向右偏轉(zhuǎn)的情形。其原因是人體幾個(gè)部位和電阻對(duì)MOS管起到偏置作用，使之進(jìn)入飽和區(qū)。（2）也可以用舌尖舔住柵極，現(xiàn)象同上。來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)，如侵刪
2019-01-08 13:28:49
柵極充電的電路中串接一個(gè)適當(dāng)?shù)某潆娤蘖?b class="flag-6" style="color: red">電阻R，如下圖A所示。充電限流電阻R的阻值的選?。灰鶕?jù)MOS管的輸入電容的大小，激勵(lì)脈沖的頻率及灌流電路的VCC（VCC一般為12V）的大小決定一般在數(shù)十姆歐到
2018-07-05 14:10:52
如圖所示，為什么要串聯(lián)一個(gè)電感呢？這么做不會(huì)減慢MOS管的打開(kāi)速度嗎，或許還有什么作用？
2019-01-12 13:44:13
極性三極管，它是電流控制器件。它的基極串聯(lián)電阻是為了了限制基極電流的大小，否則對(duì)于驅(qū)動(dòng)信號(hào)源來(lái)說(shuō)，三極管的基極對(duì)地之間就等效成一個(gè)二極管，會(huì)對(duì)前面驅(qū)動(dòng)電路造成影響。 而MOS管，由于它的柵極相對(duì)于漏極
2023-03-10 15:06:47
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測(cè)得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開(kāi)快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
應(yīng)用事項(xiàng)?！ ∧?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的應(yīng)用包含哪些？ 1、p型mos管應(yīng)用 一般用于管理電源的通斷，屬于無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)，柵極低電平就完全導(dǎo)通，高電平就完全截止。而且，柵極可以加高過(guò)電源的電壓，意味著可以用5v信號(hào)
2019-03-08 11:04:10
，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻?！ 。?）結(jié)型MOS管的柵源電壓不能接反，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型MOS管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各
2020-06-28 16:41:02
不能用。 保持上述狀態(tài)；此時(shí)用一只100K～200K電阻連接于柵極和漏極，如下圖所示；這時(shí)表針指示歐姆數(shù)應(yīng)該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時(shí)是正電荷通過(guò)100K電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極
2018-11-01 15:21:31
我們經(jīng)?？吹剑陔娫措娐分?，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？ 如上圖開(kāi)關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的，是以G級(jí)電流很小，但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，在MO...
2021-11-12 08:20:11
平衡點(diǎn)（一般開(kāi)通過(guò)程不超過(guò)1us）。開(kāi)通損耗這個(gè)最簡(jiǎn)單，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。 ▼ 下面介紹下對(duì)普通用戶實(shí)用點(diǎn)的▼ Mos挑選的重要參數(shù)簡(jiǎn)要說(shuō)明，以datasheet舉例說(shuō)明：柵極
2020-06-26 13:11:45
兩個(gè)mos管，第一個(gè)MOS管柵極接單片機(jī)io口，通過(guò)io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos管通斷，開(kāi)關(guān)頻率要求不高，對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求，開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小，有沒(méi)有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫(huà)的簡(jiǎn)單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在一張圖中，源漏相連，襯底接地，柵極接入電路中加電壓，那這個(gè)時(shí)候MOS管是有什么作用呢？那為什么要用MOS而不直接用一個(gè)電容呢？這個(gè)地方加一個(gè)MOS電容的作用是什么呢，濾波？
2021-06-24 06:28:33
，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說(shuō)明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立
2018-10-12 16:47:54
編輯-ZMOS管10N60的三個(gè)極是什么以及如何判斷MOS管10N60的三個(gè)極是：G（柵極）、D（漏極）和s（源極）。柵極和源極之間的電壓必須大于一定值，漏極和源極才能導(dǎo)通。 10N60參數(shù)描述
2021-10-22 17:01:01
維修過(guò)程中的攔路虎，如何區(qū)分和判斷成為必要手段。MOS管和IGBT管的辨別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管的識(shí)別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管它們的柵極位置一
2019-05-02 22:43:32
一般我們?cè)O(shè)計(jì)這個(gè)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，這個(gè)MOS管的gs端有一個(gè)寄生結(jié)電容，通常在設(shè)計(jì)電路時(shí)讓這個(gè)gs端開(kāi)通后，當(dāng)關(guān)閉時(shí)還需要把這個(gè)Gs端的電容的電放電，那么使用一個(gè)電阻，我們現(xiàn)在有個(gè)問(wèn)題：假如
2019-08-22 00:32:40
如果只給mos管偏置電流，柵極為什么會(huì)產(chǎn)生偏置電壓？一般不都是給偏置電壓，產(chǎn)生偏置電流嗎？反過(guò)來(lái)也可以嗎，有沒(méi)有大佬解釋一下，謝謝。電流鏡和這個(gè)有關(guān)系嗎？大佬方便解釋一下嗎，謝謝。
2021-06-24 07:24:50
的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。二、MOS管的基本結(jié)構(gòu)：在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作
2018-10-25 16:36:05
一個(gè)LC振蕩電路，如果直接把驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會(huì)產(chǎn)生很大的震蕩，導(dǎo)致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q
2019-04-29 08:00:00
一個(gè)開(kāi)關(guān)電源問(wèn)題，開(kāi)關(guān)電源有個(gè)開(kāi)關(guān)管MOS管的柵極上串有一個(gè)電容和一個(gè)電阻，分別起什么作用呢？降低開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通速度嗎？增加上升沿和下降沿時(shí)間嗎？那為何還要串個(gè)電容呢？
2018-06-29 11:28:43
怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢？如何對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試呢？
2021-09-28 07:36:15
信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10~20K。這個(gè)電阻稱為柵極電阻。 1：為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓; 2：起到瀉放電阻的作用(保護(hù)柵極G~源極S)。第一個(gè)作用好理解，這里解釋一下第二個(gè)作用的原理：保護(hù)柵極G
2018-11-05 14:26:45
”是越來(lái)越難的。耗盡型的是事先做出一個(gè)導(dǎo)通層，用柵極來(lái)加厚或者減薄來(lái)控制源漏的導(dǎo)通。但這種管子一般不生產(chǎn)，在市面基本見(jiàn)不到。所以，大家平時(shí)說(shuō)MOS管，就默認(rèn)是增強(qiáng)型的?！ ?、左右對(duì)稱 圖示左右
2019-01-03 13:43:48
?！ ≈劣跒槭裁床贿m用號(hào)耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底?！ ?duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也
2018-12-03 14:43:36
開(kāi)關(guān)MOS管與線性MOS管的區(qū)別，1.是不是開(kāi)關(guān)MOS管的只有“開(kāi)”與“關(guān)”2種狀態(tài)？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來(lái)控制導(dǎo)通的比率?3.開(kāi)關(guān)的MOS管是使用數(shù)字信號(hào)控制。而線性的MOS管使用模擬信號(hào)控制？
2023-03-15 11:51:44
，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說(shuō)明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立
2018-11-28 12:08:27
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">一個(gè)三極管和P-MOSFET構(gòu)成的開(kāi)關(guān)電路,打開(kāi)正常,關(guān)斷?！ 〉刃щ娙菹鄬?duì)于開(kāi)關(guān)電路來(lái)說(shuō)是可以忽略的（除非頻率特別高），MOS管屬壓控原件，對(duì)于一般開(kāi)關(guān)電路開(kāi)關(guān)速度應(yīng)該差不多?！
2019-01-08 13:51:07
一.基本原理MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生電容，這是由制作工藝決定的。MOS管的開(kāi)通和關(guān)斷其實(shí)就是對(duì)Cgs充放電的過(guò)程。開(kāi)啟時(shí)通過(guò)柵極R1電阻對(duì)Cgs充電，充電時(shí)間常數(shù)=R1*Cgs。所以
2023-02-16 13:44:12
特性對(duì)開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，下面就對(duì)MOS管的特性做一個(gè)簡(jiǎn)要的分析?！ ?b class="flag-6" style="color: red">一、MOS管的電壓特性，在MOS管柵源之間的施加電壓在多數(shù)情況下不能超過(guò)20V,在實(shí)際應(yīng)用中功率MOS管的柵極電壓一般被控
2018-10-19 16:21:14
，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的di／dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動(dòng)器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆。 2)防止柵源極間過(guò)電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿?！ 〉诙?b class="flag-6" style="color: red">MOS電路輸入端的保護(hù)二極管，其導(dǎo)通時(shí)電流容限一般為1mA，在可能出現(xiàn)過(guò)大瞬態(tài)輸入電流(超過(guò)10mA)時(shí)，應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻
2019-02-15 11:33:25
外界或驅(qū)動(dòng)電路損壞超過(guò)允許最高電壓（柵極電壓一般需低于20v安全）以及靜電損壞?！ ?、MOS管的開(kāi)關(guān)原理（簡(jiǎn)要） MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極G和源級(jí)S間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)S和漏級(jí)D間導(dǎo)電
2019-02-28 10:53:29
為0，此時(shí)mos管柵極電壓變?yōu)?6.3V（正常情況下，AI+輸入0時(shí)，柵極電壓受ref反偏影響在-3v左右），即使再次給定AI+AI-至50a電流的給定值，mos管仍無(wú)法開(kāi)通，柵極電壓仍維持在-6.3v。請(qǐng)大家?guī)兔Ψ治鱿率裁丛颍恐x謝
2018-08-22 11:27:10
刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個(gè)管教之間有
2017-12-05 09:32:00
的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個(gè)
2017-08-15 21:05:01
Rg具體會(huì)影響到那些參數(shù)？我個(gè)人的理解是①這個(gè)電阻對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)頻率有關(guān)，決定了對(duì)mos管的輸入輸出電容的充放電時(shí)間②匹配集成驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)能力，電阻越到，集成驅(qū)動(dòng)所需的最大驅(qū)動(dòng)電流也就越小。大家有什么看法，請(qǐng)教一下
2017-06-05 11:28:22
這個(gè)是一個(gè)升壓電路的部分電路，6腳PWM輸出控制N-MOS，我仿真發(fā)現(xiàn)不同的柵極電阻R6，PWM經(jīng)過(guò)R6后，波形失真很嚴(yán)重，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)R6是如何影響到后級(jí)波形，圖中灰色的代表PWM輸出，黃色代表經(jīng)過(guò)R6后的柵極門(mén)波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管柵極接的100K電阻起什么作用，這個(gè)電阻取值是的依據(jù)是什么。
2018-10-24 15:51:49
下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10~20K?！ ∵@個(gè)電阻稱為柵極電阻，作用1：為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；作用2：起到瀉放電阻的作用（保護(hù)柵極G~源極S）?！ 〉?b class="flag-6" style="color: red">一個(gè)作用好理解。這里
2022-05-14 10:22:39
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS管，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24
文章介紹了MOS管柵極電阻會(huì)影響開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)的損耗，應(yīng)該選用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:53
35 功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻有什么用呢？
2019-06-28 08:29:0733437 
我們經(jīng)?？吹?，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？ 如上圖開(kāi)關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13 這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制
2020-03-13 11:24:257832 
介紹了柵極電阻的作用。
2021-06-21 15:08:2826 我們經(jīng)?？吹剑陔娫措娐分?，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？ 如上圖開(kāi)關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的，是以G級(jí)電流很小，但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，在MO...
2021-11-07 12:50:5930 老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-09 15:21:0019 MOS管也可以沒(méi)有柵極電阻的情況下工作，但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問(wèn)題。一般為1000 Ω就可以。
2022-07-29 16:18:324159 在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用
2022-09-27 15:29:507349 如果沒(méi)有柵極電阻，或者電阻阻值太小MOS導(dǎo)通速度過(guò)快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
2022-10-27 09:41:296054 1、如果沒(méi)有柵極電阻，或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過(guò)快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過(guò)大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds會(huì)從無(wú)窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆
2022-11-04 13:37:245049 在高壓下，PCB的設(shè)計(jì)也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導(dǎo)線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導(dǎo)線，柵極電壓過(guò)高擊穿MOS管。
2023-01-10 11:33:55690 MOS管，又叫絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于電壓控制電流型元件，是開(kāi)關(guān)電路中的基本元件。其特點(diǎn)是柵極（G）的內(nèi)阻極高。場(chǎng)
效應(yīng)管分為P型和N型，P型場(chǎng)效應(yīng)管由于跨導(dǎo)小、閾值電壓高等原因，已經(jīng)逐漸被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432
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，系統(tǒng)處于過(guò)阻尼狀態(tài)；
，系統(tǒng)處于臨界阻尼狀態(tài)；
，系統(tǒng)處于臨界阻尼狀態(tài)；
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