1.基本介紹?? ?

今天和大家分享一顆雙路高速M(fèi)SOFET驅(qū)動(dòng)芯片-TPS2812的一些設(shè)計(jì)知識(shí)。這顆芯片是TI公司的一款驅(qū)動(dòng)芯片，工業(yè)級(jí)。這顆芯片內(nèi)部集成了一顆LDO,最高可以支持到40V的電壓，-40到125度的工作溫度。 ?

TPS2812芯片集成一顆LDO，輸入電壓14V到40V,可以支持兩路的信號(hào)輸入，最高可以同時(shí)控制2路MOSFET. ?

TPS2812內(nèi)部的框圖是由LDO和邏輯門(mén)組成，知道這個(gè)可以在分析邏輯時(shí)，分析自己的設(shè)計(jì)輸入和輸出的時(shí)序圖。

2.TPS2812 引腳分布：

1.REG_IN: LDO調(diào)節(jié)器的輸入端

2. 1IN: 輸入信號(hào)1通道

3.?GND: 公共地

4.?2IN:?輸入信號(hào)2通道

5.2OUT: 輸出信號(hào)2通道

6.VCC:?電源供電引腳

7.?1OUT:?輸出信號(hào)1通道

8.?REG_OUT: LDO調(diào)節(jié)器的輸出端

3.電路設(shè)計(jì)注意要點(diǎn)：

（1）在MOSFET驅(qū)動(dòng)的時(shí)間上，是可以調(diào)節(jié)的，文中標(biāo)注的25ns和40ns是在1nf負(fù)載和14V供電電源的前提下，因此在不同的負(fù)載時(shí)，其上升沿和下降沿的時(shí)間是會(huì)變化的，在設(shè)計(jì)時(shí)，可以預(yù)留調(diào)節(jié)的器件位置，方便后期調(diào)整。

（2）REG_IN和REG_OUT這個(gè)LDO不使用時(shí)，可以懸空處理（這樣最簡(jiǎn)單），而且在VCC輸入電源是供給邏輯輸入和輸出的輸入，在連線時(shí)，注意和REG_IN分開(kāi)。也可以利用集成的LDO進(jìn)行穩(wěn)定VCC電壓，因?yàn)長(zhǎng)DO的輸入有小浮動(dòng)波動(dòng)，也會(huì)保持REG_OUT穩(wěn)定在11.5V（典型值）。

（3）注意電路設(shè)計(jì)時(shí)VCC輸入電壓不能超過(guò)14V，而且在VCC=5V，VCC=10V,VCC=14V時(shí)，輸出的電壓是不同的，這個(gè)根據(jù)驅(qū)動(dòng)的MOS的VGS電壓調(diào)整。

（4）在設(shè)計(jì)1OUT和2OUT輸出電壓時(shí)，要注意對(duì)MOSFET的VGS電壓的應(yīng)用，如果輸出電壓不能夠完全打開(kāi)MOSFET，則MOSFET會(huì)急劇發(fā)熱，直至燒壞MOSFET。

（5）芯片的輸入高阻抗達(dá)到10的9次方Ω，內(nèi)部集成施密特觸發(fā)開(kāi)關(guān)，這也使得對(duì)噪聲有比較高的抵抗能力。

（6）在VCC與GND之間一定要增加0.1uf電容，作為濾波和緩沖高速開(kāi)關(guān)切換產(chǎn)生的瞬時(shí)浪涌電流，實(shí)際可以酌情增加一個(gè)10uf電容。

（7）在集成LDO輸入增加0.1uf電容，輸出0.1uf和4.7uf電容，以優(yōu)化LDO性能。

（8）如果使用芯片驅(qū)動(dòng)MOSFET從而控制感性負(fù)載時(shí)，一定要給負(fù)載斷開(kāi)時(shí)提供能量的續(xù)流回路，否則會(huì)燒壞器件。

4.原理圖PCB封裝：

審核編輯：劉清