場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)與雙極型晶體三極管(BJT)一樣能實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的控制。由場(chǎng)效應(yīng)管組成的基本放大電
2009-09-16 09:59:20
40719 根據(jù)提問(wèn)者的意思,N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓?為什么?
2023-05-09 09:06:06
2441 
僅采用四只N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的 全橋驅(qū)動(dòng)電路 工作時(shí),在驅(qū)動(dòng)控制Ic的控制下,使V1、V4同時(shí)導(dǎo)通,V2、V3同時(shí)導(dǎo)通,且V1、V4導(dǎo)通時(shí),V2、V3截止,也就是說(shuō),V1、V4與V2、V3是交替導(dǎo)通的,使
2012-04-05 11:32:28
16353 
`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠(chǎng)家】,供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠(chǎng)家直銷(xiāo),質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu),超低內(nèi)阻,結(jié)電容超小,采用溝槽工藝,性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)20-150V
2020-11-14 13:54:14
中低壓MOS管廣泛應(yīng)用于:LED車(chē)燈電源,LED電源,POE交換機(jī),霧化器,香薰機(jī),加濕器,美容儀,驅(qū)動(dòng)電機(jī)、防盜器等領(lǐng)域 型號(hào)HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V30A30N06 內(nèi)阻
2020-11-12 11:24:12
】型號(hào):HC020N03LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V30A TO-252內(nèi)阻20mR型號(hào):HC3600MN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V8A SOT23-3內(nèi)阻22mR型號(hào):HC3400MN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V5.8ASOT23-3內(nèi)阻
2020-11-11 17:32:09
`型號(hào):HC160N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V10A(10N10)TO-252封裝 內(nèi)阻145mR,可用于霧化器、車(chē)燈電源等型號(hào):HC080N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V17A(17N10
2021-03-03 15:32:16
60V耐壓mos管50N06_低成本_原廠(chǎng)直銷(xiāo)_種類(lèi)齊全型號(hào):HC15N10 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V15A(15N10)TO-252封裝,內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車(chē)燈電源等
2020-12-01 16:18:08
,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。<br/> 第二種命名方法是CS
2009-04-25 15:42:55
現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型
2021-05-13 06:13:46
四大類(lèi)。一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,它們是:柵極;漏極;源極。電路符號(hào)中柵極
2019-05-08 09:26:37
子相連,從而形成三端器件,例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管,并用于模擬和數(shù)字電路。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的一般結(jié)構(gòu)如下所示:場(chǎng)效應(yīng)管MOSFETP溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET和N
2022-09-06 08:00:00
)。β 較大,放大能力強(qiáng)。按照結(jié)構(gòu)的不同,場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵型兩種類(lèi)型,MOS管屬于絕緣柵型。每一類(lèi)型均有兩種溝道,N溝道和P溝道,兩者的主要區(qū)別在于電壓的極性和電流的方向不同。MOS管又分
2011-07-12 20:09:38
場(chǎng)效應(yīng)管都有一個(gè)共同的特點(diǎn),它們都是利用半導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制場(chǎng)效應(yīng)管電流大小的,下面我用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,也就是我們俗稱(chēng)的MOS管來(lái)說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題。比如下圖的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,當(dāng)柵極與源極間的Ugs
2021-03-16 13:48:28
再用場(chǎng)效應(yīng)管做采樣保持電路,這里有電容以及控制場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)的脈沖,但實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí),電容的選擇以及脈沖的構(gòu)造都出現(xiàn)了問(wèn)題。無(wú)法實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能。下面是電路圖。謝謝了
2013-05-26 23:24:36
場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)?場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么?
2021-09-29 07:19:20
場(chǎng)效應(yīng)管在電路中的應(yīng)用
2012-10-29 11:44:02
,測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí),則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,說(shuō)明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,且黑表筆接
2021-05-24 08:07:24
型),它的電路圖符號(hào): 仔細(xì)看看你會(huì)發(fā)現(xiàn),這兩個(gè)圖似乎有差別,對(duì)了,這實(shí)際上是兩種不同的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,第一個(gè)那個(gè)叫N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,第二個(gè)那個(gè)叫P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,它們的的作用是剛好相反
2018-10-10 15:11:23
屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。 制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐?! ∽⒁獠荒苡么朔ㄅ卸ń^緣
2013-03-27 16:19:17
和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,說(shuō)明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,且黑表筆接的是柵極;若兩次測(cè)出的電阻值均很小,說(shuō)明是正向PN結(jié),即是正向電阻,判定為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑
2012-07-28 14:13:50
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種具有pn結(jié)的正向受控作用的有源器件,它是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的大小,其輸入端pn一般工作于反偏狀態(tài)或絕緣狀態(tài),輸入電阻很高,柵極處于絕緣狀態(tài)的場(chǎng)效應(yīng)管,輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡(jiǎn)單的H 橋電路,它由2 個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2 與2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q3 組成,所以它叫P
2021-06-29 07:52:44
小,說(shuō)明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極?! ?制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐
2021-05-13 06:55:31
場(chǎng)效應(yīng)管si2301(p溝道)柵極D1接單片機(jī)引腳,電源接源極(s),輸出端漏極(d)接一個(gè)DCDC然后接負(fù)載。問(wèn)題是,單片機(jī)引腳低電平時(shí),輸出端(d)確實(shí)為高電壓,但是單片機(jī)引腳高電平時(shí)。輸出端為0.69v,并沒(méi)有完全關(guān)斷。這是場(chǎng)效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問(wèn)題?怎么讓場(chǎng)效應(yīng)管完全關(guān)斷呢?
2017-12-09 18:46:35
材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的?! ?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子,N溝道為電子,P溝道為空穴。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
。M0S管按其工作狀態(tài)可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,每種類(lèi)型按其導(dǎo)電溝道不同又分為N溝道和P溝道兩種。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管按其導(dǎo)電溝道不同也分為N溝道和P溝道兩種。下圖所示結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的實(shí)物
2020-12-01 17:36:25
碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小,說(shuō)明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極?! ≈圃旃に嚊Q定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的,可以互換使用,并不
2009-04-25 15:43:42
有大俠知道場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與鑒別,報(bào)下,方法
2011-05-27 19:36:45
的選擇。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管接地,而負(fù)載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí),該場(chǎng)效應(yīng)管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,應(yīng)采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
2020-07-10 14:51:42
`請(qǐng)問(wèn)場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少?`
2019-08-22 15:55:28
看了幾天的場(chǎng)效應(yīng)管,慢慢搞清了一些疑惑!大學(xué)時(shí),老師沒(méi)有將場(chǎng)效應(yīng)管這一章節(jié)?,F(xiàn)在自己看,看了康華光講的場(chǎng)效應(yīng)管的原理,然后看了鈴木雅臣寫(xiě)的晶體管電路設(shè)計(jì)(下)的源級(jí)接地放大電路的設(shè)計(jì)和FET開(kāi)關(guān)電路
2019-08-12 04:36:08
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(電子為載流子),P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(空穴為載流子)。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管有四種類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強(qiáng)型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET。N溝道
2019-06-25 04:20:03
在分析的時(shí)候,比如此時(shí)輸入端為高電平,如何確定場(chǎng)效應(yīng)管源極(S極)的電平,從而無(wú)法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
新技術(shù)(請(qǐng)參看問(wèn)答1),鑒于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在生產(chǎn)工藝和電氣性能方面均比P溝道場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)越的原因,CMOS電路采用P襯底是理所當(dāng)然的,因?yàn)樵诓捎肅MOS產(chǎn)生工藝的集成電路中,N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的數(shù)量要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的數(shù)量。
2012-05-22 09:38:48
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) G16P03 原裝 -30V-16A P溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)G16P03 參數(shù):-30V-16ADFN3*3-8LP溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2020-11-05 16:48:43
東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司【中低壓MOS管廠(chǎng)家】,供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠(chǎng)家直銷(xiāo),質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu),低內(nèi)阻,結(jié)電容小,采用溝槽工藝,性能優(yōu)越。 主營(yíng)SOT23-3
2021-03-13 11:32:45
型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型,PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在
2018-10-27 11:36:33
。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的是增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型,PNP型通常稱(chēng)P溝道型。由圖可看出,對(duì)于N溝道型的場(chǎng)效應(yīng)管其源極
2011-06-08 10:43:25
的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有加強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型;P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類(lèi)。見(jiàn)下圖。
2018-10-29 22:20:31
:HC160N10LS參數(shù):100V5A ,絲?。篐C510 ,類(lèi)型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,內(nèi)阻155mR,低結(jié)電容400pF,封裝:SOT23-3,低開(kāi)啟電壓1.5V,低內(nèi)阻,結(jié)電容小,低開(kāi)啟電壓產(chǎn)品型號(hào)
2020-07-24 17:25:11
NDS9410A N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50:14
SL3042 30V88A 8.5毫歐DFN5x6A-8_EPSL3042 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)
2020-06-20 10:05:27
`SL3402 30V4A 40毫歐SOT23-3LSL3402 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)合作的實(shí)力中低
2020-06-22 10:53:25
SL3403 -30-3.5A 55毫歐SOT23SL3403 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-06-22 10:57:12
SL3415 -20-4A 30毫歐SOT23-3LSL3415 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-06-29 16:39:10
SL3423 -20-3A 44毫歐SOT23-3LSL3423 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管20-3A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚,技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)合作的實(shí)力中低
2020-07-01 16:57:06
AO系列MOS管。SL407 場(chǎng)效應(yīng)管 -60V-15A P溝道功率MOS管優(yōu)勢(shì)替代AOD407【場(chǎng)效應(yīng)管的作用】1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小
2020-06-11 16:43:16
AO系列MOS管。SL409場(chǎng)效應(yīng)管 -60-26AP溝道功率MOS管優(yōu)勢(shì)替代AOD409【場(chǎng)效應(yīng)管的作用】1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必
2020-06-11 16:44:37
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)Vmos管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W
2021-05-13 06:40:51
Q1為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 該電路實(shí)際動(dòng)作:當(dāng)接通220V交流電,開(kāi)關(guān)S為斷開(kāi)時(shí),Q1導(dǎo)通,燈亮;當(dāng)開(kāi)關(guān)S閉合時(shí),Q1截止,燈滅。問(wèn)題:即然Q1為N溝道增強(qiáng)型
2010-11-16 12:28:04
和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)極,分別為:柵極G、漏極D和源極S。場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)工作區(qū)間:可變電阻區(qū)、飽和區(qū)(恒流區(qū))和截止區(qū),對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管而言,柵極與源極之間的電壓Ugs必須滿(mǎn)足一定條件,管子
2021-01-15 15:33:15
的基本原理及實(shí)例說(shuō)明 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓型控制元件,場(chǎng)效應(yīng)管也分N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)極,分別為:柵極G、漏極D和源極S?! ?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)工作區(qū)間:可變電阻區(qū)、飽和區(qū)(恒流區(qū)
2021-03-15 15:12:32
場(chǎng)效應(yīng)管電路有問(wèn)題嗎?用的是P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管BSS84,電路如下,經(jīng)常GS間損壞,損壞后兩腳間有5K左右的電阻造成微導(dǎo)通D端有電壓輸出。電路有問(wèn)題嗎?是什么原因。
2019-10-18 22:00:33
不一樣,但是在脈沖電路和開(kāi)關(guān)電路中不同材料的三極管是否能互換必須進(jìn)行具體的分析,切不可盲目代換。場(chǎng)效應(yīng)管選用技巧選取場(chǎng)效應(yīng)管只要三步:1.選擇須合適的勾道(N溝道還是P溝道)2.確定場(chǎng)效應(yīng)管的額定電流
2019-09-01 08:00:00
型號(hào)如下:型號(hào):HC240N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC310,100V3A 3N10 SOT23-3封裝,內(nèi)阻200mR 型號(hào):HC160N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC510 100V5A
2020-09-23 11:38:52
型號(hào)如下:型號(hào):HC240N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC310,100V3A 3N10 SOT23-3封裝,內(nèi)阻200mR 型號(hào):HC160N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC510 100V5A
2020-10-14 15:18:58
是正電壓或負(fù)電壓),改變感應(yīng)的負(fù)電荷數(shù)量,從而改變ID的大小。VP為ID=0時(shí)的-VGS,稱(chēng)為夾斷電 壓。除了上述采用P型硅作襯底形成N型導(dǎo)電溝道的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)外,也可用N型硅作襯底
2011-12-19 16:52:35
缺點(diǎn)是通態(tài)電阻大、導(dǎo)通壓降高、耐壓和電流容量較難提高等。一、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理場(chǎng)效應(yīng)管有垂直導(dǎo)電與橫向?qū)щ妰煞N結(jié)構(gòu),根據(jù)載流子的性質(zhì),又可分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型v功率場(chǎng)效應(yīng)管幾乎都是由垂直導(dǎo)電
2018-01-29 11:04:58
單片機(jī)控制場(chǎng)效應(yīng)管,單片機(jī)外圍電路設(shè)計(jì)之六:場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō),在大學(xué)期間老師基本沒(méi)有講,讓自己自學(xué)。到了工作的時(shí)候,我們發(fā)現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用還是比較廣泛的。其實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管和三極管還是很相似的。在
2021-07-14 06:38:07
代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS
2012-07-11 11:41:15
是不是發(fā)現(xiàn)比2606主控的電源開(kāi)機(jī)電路多了一個(gè)MOS場(chǎng)效應(yīng)管?這兩個(gè)源極相連的場(chǎng)效應(yīng)管與2606開(kāi)機(jī)電路的一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管有什么不同?場(chǎng)效應(yīng)管的柵極控制是有一個(gè)原則的:P溝道的柵極控制電壓必須是相對(duì)源極輸入
2021-05-25 06:00:00
場(chǎng)效應(yīng)管的G極和S極是絕緣的,其阻抗達(dá)數(shù)十兆歐姆,理論上驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管只需要電壓不需要電流,也就是零功率驅(qū)動(dòng),但許多電路尤其是要驅(qū)動(dòng)功率較大的場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),在G極前面卻有一個(gè)用PNP型和NPN型三極管
2019-05-22 08:29:46
小弟要設(shè)計(jì)一個(gè)直流電機(jī)(90V,70W)正反轉(zhuǎn)的控制電路,考慮用H橋,場(chǎng)效應(yīng)管計(jì)劃用IRF9630和IRF630N,控制部分采用單片機(jī)接光耦來(lái)驅(qū)動(dòng),但是光耦選哪種以及光耦驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管電路不熟悉,請(qǐng)高手提供下合適的驅(qū)動(dòng)電路,如有完整H橋電路最好了,謝謝。
2014-09-08 21:40:12
?這兩個(gè)源極相連的場(chǎng)效應(yīng)管與2606開(kāi)機(jī)電路的一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管有什么不同?原來(lái)場(chǎng)效應(yīng)管的柵極控制是有一個(gè)原則的:P溝道的柵極控制電壓必須是相對(duì)源極輸入高低電位來(lái)說(shuō)的,所以在電路中源極和漏極是不能接反的,即源極
2016-02-02 11:27:12
純直流場(chǎng)效應(yīng)管功放電路原理圖
2019-11-01 09:10:41
)。這種結(jié)構(gòu)的管子稱(chēng)為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,它在電路中用圖1(b)所示的符號(hào)表示,柵極上的箭頭表示柵-源極間的P+N結(jié)正向偏置時(shí),柵極電流的方向(由P區(qū)指向N區(qū))。N溝道JFET的結(jié)構(gòu)剖面圖圖2如果在
2011-12-19 16:41:25
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間加正向電壓,以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電機(jī)理是,利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬窄,從而控制漏極電流ID。若UGS=0時(shí),源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強(qiáng)型MOS管,UGS=0 時(shí),漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。本節(jié)我們講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示:如上圖所示,在一塊P型硅片(半導(dǎo)體)襯底(Substrate,也有稱(chēng)為Bulk或Body)上,形成兩個(gè)高
2023-02-10 15:58:00
1.是N溝道,耗盡型的場(chǎng)效應(yīng)管,是耗盡型。像圖上這樣的話(huà),帶?的那端應(yīng)該是什么極?是源極還是漏極?
2.電路不接管子之前電流還可以,接上場(chǎng)效應(yīng)管,上電就短路,焊下來(lái)后測(cè)量柵極和源極之間不導(dǎo)通,源漏
2023-05-16 14:24:38
請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有用場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)阻抗變換和放大的電路,急!?。?!
2015-09-22 09:31:06
如圖:這個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,這樣接行不行?
2023-11-26 22:22:46
,PNP型也稱(chēng)為P溝道型。從圖中可以看出,N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極與N型半導(dǎo)體相連,P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極與P型半導(dǎo)體相連。我們知道一般的三極管是通過(guò)輸入電流來(lái)控制輸出電流的。但對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管
2021-12-02 16:30:54
延時(shí)關(guān)機(jī)電路
2008-09-23 17:29:20
3958 
雙通道場(chǎng)效應(yīng)管混頻器射頻電路 (Dual MOSFET mixer RF circuit)
2008-11-21 18:37:05
1056 
場(chǎng)效應(yīng)管的基本放大電路
和半導(dǎo)體三極管一樣,場(chǎng)效應(yīng)管的電路也有三種接法即共源極電路、共漏極電路和共柵極電路。
1.共源極電路共源極電路除有
2009-08-22 15:58:20
8074 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其符號(hào)如圖4-1所示。其中圖4-1a為N溝道JFET的結(jié)構(gòu)示意圖。
2009-09-16 09:31:24
9506 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
1.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型
已知場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性表達(dá)式:
2009-11-09 15:59:19
2399 自偏壓電路 自偏壓用于結(jié)型和耗盡型MOS管放大電路,圖5.2-6示出N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管自偏電路。
2010-04-16 10:24:11
3886 
采用兩只N溝道和兩只P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的全橋驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí),在驅(qū)動(dòng)控制IC的控制下,使V4、V1同時(shí)導(dǎo)通,V2、V3同時(shí)導(dǎo)通,且V4、V1導(dǎo)通時(shí),V2、V3截止,也就是說(shuō),V4、V1與V2、V3是交替導(dǎo)通
2012-04-05 11:34:25
12338 
驅(qū)動(dòng)電路由緩沖器U、電阻R2 及1 對(duì)小功率場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管Q1 、Q2 組成。當(dāng)控制信號(hào)為低電平時(shí),同向緩沖器U 輸出低電平,使得與+ 9 V 電源相聯(lián)的P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管Q2 導(dǎo)通,與地相聯(lián)的N 溝道場(chǎng)效應(yīng)
2012-04-17 15:43:04
19410 
模電課件,關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的基本知識(shí),簡(jiǎn)單介紹場(chǎng)效應(yīng)管放大電路及其應(yīng)用
2015-12-31 17:40:48
0 全部采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的推挽功效說(shuō)明。
2021-04-10 09:52:32
12 下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路。
2023-02-15 11:06:40
2145 
下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路
2023-08-14 17:02:13
1018 
場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,可以用于電子器件中的信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類(lèi)型:n溝道型(n-channel)和p溝道型(p-channel),它們
2023-09-02 10:05:17
6887 場(chǎng)效應(yīng)管怎么測(cè)量好壞? 場(chǎng)效應(yīng)管又稱(chēng)為晶體管(transistor),是電子器件中常見(jiàn)的一種。在電子電路設(shè)計(jì)中,場(chǎng)效應(yīng)管的主要作用是作為放大器和開(kāi)關(guān)來(lái)使用。場(chǎng)效應(yīng)管的好壞直接影響到整個(gè)電路的性能
2023-09-02 11:31:24
3314 SVF4N65FTO-220FN溝道場(chǎng)效應(yīng)管
2021-11-16 15:11:27
1 MFB5N10100V7AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:09:56
1 QH5N20K200V5AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:12:17
2 QH9N20K200V9AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:16:07
1 QH10N10100V7AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:19:02
3 QH02N20E200V2AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:44:25
0
評(píng)論