本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測(cè)方法，以兩單元為例:用模擬萬(wàn)用表測(cè)量，判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
8505 變頻器的額定值大多標(biāo)在其銘牌上，包括輸入側(cè)的額定值及輸出側(cè)的額定值。
2012-02-15 15:31:001789 本文首先介紹了IGBT的概念與結(jié)構(gòu)，其次對(duì)IGB模塊原理電路進(jìn)行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見(jiàn)故障處理，最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測(cè)方法以及IGBT模塊的靜態(tài)測(cè)量。
2018-05-22 09:15:539392 雙電壓額定值為 24 V 和 48 V 的變壓器可指定為 240 x 480 – 24 x 48。變壓器的電壓比由這些繞組的互連方式?jīng)Q定，串聯(lián)連接組合電壓，而并聯(lián)連接保持各個(gè)繞組的電壓。這種配置允許靈活的電源和對(duì)不同電壓需求的高效管理。此外，本文還介紹了雙電壓變壓器及其相關(guān)
2023-10-25 15:16:42554 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40506 
時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱也加劇，需十分注意。一般來(lái)說(shuō)，要將集電極電流的最大值控制在直流額定電流以下使用，從經(jīng)濟(jì)角度這是值得推薦的。2. 防止靜電IGBT的VGE的耐壓值為±20V，在IGBT模塊上加出
2021-08-31 16:56:48
產(chǎn)品的最大額定值(電壓、電流、溫度等)范圍內(nèi)使用，一旦超出最大額定值，可能損壞產(chǎn)品，特別是IGBT外加超出VCES的電壓時(shí)可能發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象從而使元件損壞，請(qǐng)務(wù)必在VCES的額定值范圍內(nèi)使用!工作
2012-06-19 11:38:41
世紀(jì)90年代初進(jìn)入實(shí)用化。近幾年來(lái)，功率IGBT模塊散熱器的性能提高很快，額定電流已達(dá)數(shù)百安培，耐壓達(dá)1500V以上，而且還在不斷提高。由于IGBT器件具有PIN二極管的正向特性，P溝功率IGBT模塊
2012-06-19 11:17:58
端子?！ 、?驅(qū)動(dòng)端子需要焊接時(shí)，設(shè)備或電烙鐵一定要接地?！ ?.選擇和使用 ① 請(qǐng)?jiān)诋a(chǎn)品的最大額定值(電壓、電流、溫度等)范圍內(nèi)使用，一旦超出最大額定值，可能損壞產(chǎn)品，特別是IGBT散熱器外加超出
2012-06-19 11:20:34
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
短路等。 由于混合驅(qū)動(dòng)模塊本身的過(guò)流保護(hù)臨界電壓動(dòng)作值是固定的(一般為7～10V)，因而存在著一個(gè)與IGBT散熱器模塊配合的問(wèn)題。通常采用的方法是調(diào)整串聯(lián)在 IGBT模塊散熱器集電極與驅(qū)動(dòng)模塊之間
2012-06-19 11:26:00
要確定主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這個(gè)和IGBT選型密切相關(guān)，額定工作電流、過(guò)載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動(dòng)、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)，引線方式
2022-05-10 10:06:52
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對(duì)光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過(guò)程中，熱性能變化對(duì)于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件，具有M08場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電壓控制、開(kāi)關(guān)頻率高、驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn)，又具備大功率雙極晶體管的通態(tài)壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
一直工作在最大額定值時(shí)會(huì)燒毀芯片嗎
3.手冊(cè)里面的時(shí)序圖中SCLK在空閑時(shí)是低電平，而DSP的SCLK時(shí)鐘在空閑時(shí)是高電平，請(qǐng)問(wèn)這對(duì)數(shù)據(jù)傳輸有影響嗎
麻煩各位老師！
2024-01-11 06:19:30
大家好，我想知道是否有GPIB查詢命令讓我知道以下直流電源的最大電壓和電流額定值？我在手冊(cè)中搜索沒(méi)有運(yùn)氣你的幫助將非常感謝。 E5280 / E5281B，N57xx，662xA問(wèn)候，Ajay
2019-09-29 09:00:59
為了使他們的產(chǎn)品看起來(lái)更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄?？炊甅OSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來(lái)，無(wú)鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS
2018-09-05 15:37:26
嗨，我的FET狂熱愛(ài)好者同行們，歡迎回到“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的第3部分！今天我們來(lái)談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用
2018-09-05 15:37:43
出于好奇，還有一個(gè)問(wèn)題。PSOC引腳結(jié)構(gòu)中二極管的額定值是多少？當(dāng)然，它們是ESD的好兆頭。對(duì)他們的評(píng)級(jí)有什么看法？ 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文Out of curiosity one
2019-05-17 07:22:52
我正在嘗試使用 SPIN3201 來(lái)運(yùn)行 bldc 電機(jī)，我想使用的電機(jī)的最大額定電流超過(guò)了 SPIN 3201 的額定值，盡管 SPIN 3201 的額定電流為 15A，但我看不出什么限制了
2023-01-31 07:47:47
請(qǐng)解釋 4 個(gè)并聯(lián) MOSFET 的用途，為什么我們不能使用 1 個(gè)或 2 個(gè)具有更高額定值的 MOSFET，還有為什么每相使用三個(gè)單獨(dú)的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，為什么不使用 3 通道的單個(gè)驅(qū)動(dòng)器。是否可以使用，請(qǐng)根據(jù)您的設(shè)計(jì)提出使用的任何優(yōu)勢(shì)。
2023-01-06 07:06:07
GB/T12668《調(diào)速電氣傳動(dòng)系統(tǒng)》分為以下部分:第1部分;:一般要求低壓直流調(diào)速電氣傳動(dòng)系統(tǒng)額定值的規(guī)定第2部分:一般要求低壓交流變頻電氣傳動(dòng)系統(tǒng)額定值的規(guī)定第3部分:電磁兼容性要求及其特定
2021-09-06 06:21:53
單相變壓器和三相變壓器額定值之間有什么關(guān)系嗎？
2023-04-07 10:10:17
變壓器的額定值、 損耗和效率 變壓器負(fù)載運(yùn)行時(shí)，原線圈的有功功率為P1=U1I1cosφ1,副線圈給負(fù)載輸出的有功功率為 P2
2009-09-24 12:13:07
IGBT 并聯(lián)運(yùn)行時(shí)避免柵極電流回路的機(jī)制。主要特色設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)額定電壓為 1200V 的并聯(lián) IGBT 模塊（總柵極電荷高達(dá) 10μC）采用外部 BJT 緩沖級(jí)，拉/灌電流額定值高達(dá) 15 Apk
2018-12-07 14:05:13
有沒(méi)有人知道在16F150 3上的DACOUT引腳的輸出電阻/最大電流額定值是多少？我在數(shù)據(jù)表中的任何地方都找不到它，除了一個(gè)不那么含糊的語(yǔ)句，即引腳不打算驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載！
2020-03-19 09:58:00
在絕對(duì)最大額定值條件下，收發(fā)器能夠可靠地發(fā)送數(shù)據(jù)嗎？收發(fā)器的基本工作方式是什么？共模電壓范圍是如何定義的？
2021-05-14 06:37:40
摘要：本文討論了最新PrimePACKTM模塊如何集成到現(xiàn)有的逆變器平臺(tái)中，描述了集成控制和保護(hù)在內(nèi)的逆變器模塊化架構(gòu)概念。該模塊的機(jī)械特性允許對(duì)熱管理進(jìn)行優(yōu)化，進(jìn)而充分發(fā)揮IGBT輸出電流能力
2018-12-03 13:56:42
整個(gè)混合開(kāi)關(guān)的頻率響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)樣品該實(shí)驗(yàn)基于溝槽場(chǎng)停止IGBT芯片的樣品，該芯片的額定阻斷電壓高達(dá)1200 V，標(biāo)稱電流高達(dá)200 A，厚度為125μm。通過(guò)質(zhì)子輻照改善了IGBT的頻率特性，相關(guān)技術(shù)在
2023-02-22 16:53:33
、金屬膜和金屬氧化膜電阻器的值和公差進(jìn)行了識(shí)別。標(biāo)簽識(shí)別金屬陶瓷電阻器、線繞電阻器和箔電阻器的數(shù)值和公差。各類電阻器的額定功率是透過(guò)量度或觀察其物理大小而決定的。甚至在確定電阻器的值、容差和功率額定值之前
2022-04-01 10:51:16
我正在嘗試運(yùn)行額定值為 1HP 或 1/2 HP 的三相交流感應(yīng)電機(jī)，為此，我想使用 NUCLEO-F401RE、X-NUCLEO-IHM09M1、EVALSTDRIVE601。
2022-12-27 08:12:02
選擇拉電流和灌電流的額定值為 25 A、32 A 和 40 A 的器件可編程的 DESAT 和軟關(guān)斷特性8 kV 增強(qiáng)型隔離和大于 50 kV/us 的 CMTI
2018-09-04 09:20:51
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
輸出。所以理解所尋找器件的不同技術(shù)規(guī)格是找到合適器件的關(guān)鍵。在我們這一期的電機(jī)驅(qū)動(dòng)論壇問(wèn)答中，我將主要來(lái)談一談最容易被誤解的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)格：驅(qū)動(dòng)器電流額定值。我還將檢查2個(gè)驅(qū)動(dòng)電流參數(shù)，即峰值輸出
2018-09-07 14:41:08
輸出。所以理解所尋找器件的不同技術(shù)規(guī)格是找到合適器件的關(guān)鍵。在我們這一期的電機(jī)驅(qū)動(dòng)論壇問(wèn)答中，我將主要來(lái)談一談最容易被誤解的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)格：驅(qū)動(dòng)器電流額定值。我還將檢查2個(gè)驅(qū)動(dòng)電流參數(shù)，即峰值輸出
2018-09-07 11:04:47
：驅(qū)動(dòng)器電流額定值。我還將檢查2個(gè)驅(qū)動(dòng)電流參數(shù)，即峰值輸出電流和均方根 (RMS) 輸出電流。峰值輸出電流是在不考慮器件及其封裝的熱限制情況下，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器能夠傳送的最大電流。這個(gè)限值通常由電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的過(guò)
2022-11-18 07:12:17
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來(lái)，無(wú)鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被證明是一個(gè)非常有用的參數(shù)。雖然不建議在
2022-11-18 06:39:27
例如，大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個(gè)值同與周圍環(huán)境無(wú)關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個(gè)函數(shù)。超過(guò)這個(gè)值不會(huì)立即對(duì)FET造成損壞，而在這個(gè)限值以上長(zhǎng)時(shí)間使用將開(kāi)始減少器件
2022-11-18 07:01:33
為了使他們的產(chǎn)品看起來(lái)更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄?？炊甅OSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來(lái)，無(wú)鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS
2015-11-19 15:46:13
絕對(duì)最大額定值絕對(duì)最大額定項(xiàng)目是指即便是瞬間性的也是不可超越的條件。 施加了超過(guò)絕對(duì)最大額定值的電壓或在絕對(duì)最大額定值規(guī)定的溫度環(huán)境外使用時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致IC的特性退化或損壞。對(duì)運(yùn)算放大器、比較器規(guī)定
2019-04-24 22:39:21
產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在FET產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們的。產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)首頁(yè)上出現(xiàn)的脈沖電流額定值（IDM）與連續(xù)電流額定值很
2022-11-18 06:02:49
歡迎場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的愛(ài)好者們?cè)俣裙馀R，閱讀“了解MOSFET產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在FET產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)的安全工作區(qū)圖中是如何描繪它們
2018-09-07 14:52:25
絕對(duì)最大額定值絕對(duì)最大額定項(xiàng)目是指即便是瞬間性的也是不可超越的條件。 施加了超過(guò)絕對(duì)最大額定值的電壓或在絕對(duì)最大額定值規(guī)定的溫度環(huán)境外使用時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致IC的特性退化或損壞。對(duì)運(yùn)算放大器、比較器規(guī)定
2019-06-06 04:21:58
降額設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元器件相關(guān)參數(shù)（電壓、電流、功率等）的額定值怎么理解？電壓 電流 功率 指的是輸入的還是輸出的呢？
2016-04-27 09:18:55
在一些要求高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運(yùn)行30年以上。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計(jì)，并在實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行了驗(yàn)證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
就有可能造成電壓會(huì)超出額定值6500V，我們必須確保工作過(guò)程中處于6500V以內(nèi)，電壓形成是通過(guò)這個(gè)公式計(jì)算出來(lái)的。主要因素是由于模塊內(nèi)部的集成電路以及線路母排電感，要小于額定值。這對(duì)于IGBT是非
2012-09-17 19:22:20
HiPakTM高壓SPT IGBT 模塊的SOA 新基準(zhǔn)
摘要院介紹了電壓額定值從2.5kV到6.5kV的新型高壓HiPakTM IGBT模塊系列遙新系列HiPakTM模塊采用了ABB最新研制的高壓SPT IGBT 和二
2009-11-11 10:38:53
6 大功率IGBT驅(qū)動(dòng)模塊2SD315A 的特性及其應(yīng)用:介紹了一種適用于大功率IGBT 的新型驅(qū)動(dòng)模塊,該模塊工作頻率高,驅(qū)動(dòng)電流大,具有完善的短路、過(guò)流保護(hù)和電源監(jiān)控功能。關(guān)鍵詞:模塊
2010-01-07 11:04:27195 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 本標(biāo) 準(zhǔn) 規(guī) 定了標(biāo)記電氣設(shè)備(見(jiàn)注2)額定值及其他特性的最低要求(見(jiàn)注1)和一般規(guī)則，使之能正確而安全地選擇和安裝與任一供電電源相連的電氣設(shè)備。
2011-02-19 15:33:1081 賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比，新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:24870 本標(biāo)準(zhǔn)給出了關(guān)于變頻器額定值、正常使用條件、過(guò)載情況、浪涌承受能力、穩(wěn)定性、保護(hù)、交流電源接地和試驗(yàn)等性能的要求.本文就相關(guān)的低壓變頻器的參數(shù)額定值和試驗(yàn)要求作以介
2011-06-29 10:00:522407 
詳細(xì)介紹IGBT原理，特性，和實(shí)際應(yīng)用，以及失敗事例
2016-03-01 17:18:3115 嗨，我的FET狂熱愛(ài)好者同行們，歡迎回到看懂MOSFET數(shù)據(jù)表博客系列的第3部分！今天我們來(lái)談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定
2017-04-18 11:47:321778 
在為IGBT模塊安裝散熱器時(shí)，每個(gè)螺釘需按說(shuō)明書(shū)中給出的力矩?cái)Q緊。力矩不足會(huì)導(dǎo)致熱阻增加或運(yùn)動(dòng)中出現(xiàn)螺釘松動(dòng)現(xiàn)象。僅安裝一個(gè)IGBT模塊時(shí)，應(yīng)將其裝在散熱器中心位置，使熱阻最小。安裝幾個(gè)IGBT模塊
2017-05-23 14:30:372276 
特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測(cè)試原理，設(shè)計(jì)并搭建壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試平臺(tái)。采用Ansoft Q3D軟件對(duì)測(cè)試平臺(tái)的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:013 S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊，額定值高達(dá)1700V和450A. 這些模塊依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)能夠可靠、靈活地提供高效快速的開(kāi)關(guān)速度。
2018-09-05 08:44:004843 和最大值。這些極限值是由制造商規(guī)定的，并且通過(guò)了設(shè)計(jì)驗(yàn)證或詳盡測(cè)試和良率分析的檢驗(yàn)，有所保證。數(shù) 據(jù)手冊(cè)中還包含了絕對(duì)最大額定值部分，提供了器件可以容忍的絕對(duì)最大額定值，但這絕不是正常工作時(shí)的條件，就像火一樣，您最好遠(yuǎn)離這些ABS極限值，否則 很容易引火燒身!
2019-04-10 10:24:496121 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。
2020-04-30 11:52:394039 在電力系統(tǒng)中是指當(dāng)一次側(cè)施加額定電壓時(shí)，二次側(cè)空載時(shí)的電壓有效值；在儀器儀表中是指當(dāng)一次側(cè)施加額定電壓是，二次側(cè)接額定負(fù)載時(shí)的電壓有效值。
2020-05-26 17:13:5213153 
除了絕對(duì)最大額定值外，技術(shù)規(guī)格書(shū)中還會(huì)給出“推薦工作條件”和“標(biāo)準(zhǔn)值”。要想很好地了解絕對(duì)最大額定值，這兩項(xiàng)是僅次于“定義”的重要項(xiàng)目。
2021-02-26 11:45:573610 歡迎場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的愛(ài)好者們?cè)俣裙馀R，閱讀“了解 MOSFET 產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)”博客系列的第四部分！今天，筆者將談?wù)撁}沖電流額定值、它們的計(jì)算方法以及在 FET 產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)的安全工作區(qū)圖中
2021-01-06 00:03:0036 今天我們來(lái)談一談 MOSFET 電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定 RDS（ON） 和柵極電荷等參數(shù)的方法測(cè)量出來(lái)的，而是被計(jì)算出來(lái)的，并且有
2021-01-06 00:07:0011 IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開(kāi)關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:315907 小編告訴大家油泵電機(jī)轉(zhuǎn)速低于
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