`菜鳥(niǎo)問(wèn)一個(gè)問(wèn)題：MOS 管在做開(kāi)關(guān)使用時(shí)為什么常常都要配合一個(gè)三極管使用？而不是用MCU的I/O口直接控制MOS管的G極，如圖。謝謝各位大神回答。`
2017-06-05 10:51:57
(VGE)：5.5VG-E極漏電流(IGES)：100na工作溫度：-55~+150℃引線數(shù)量：3 MOS管25N120又稱場(chǎng)效應(yīng)管，我們首先介紹一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件——MOS電容，可以更好地理解MOS管
2021-10-30 15:41:50
我們打開(kāi)一個(gè)MOS管的SPEC，會(huì)有很多電氣參數(shù)，今天說(shuō)一說(shuō)熱阻、電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間這三個(gè)。
2021-01-26 07:48:11
求助：請(qǐng)問(wèn)
一下大家對(duì)于
MOS管參數(shù)的測(cè)試工裝有沒(méi)有了解的?。?/div>
2019-04-10 17:35:38
如圖，請(qǐng)問(wèn)一下，如果C1被短路，也就是MOS管的GD短路，最終會(huì)擊穿MOS管，使MOS管三個(gè)極都導(dǎo)通嗎？其中VCC是13V
2018-02-02 09:59:30
：SOA（Safe operating area）是由一系列（電壓，電流）坐標(biāo)點(diǎn)形成的一個(gè)二維區(qū)域，開(kāi)關(guān)器件正常工作時(shí)的電壓和電流都不會(huì)超過(guò)該區(qū)域。簡(jiǎn)單的講，只要MOS管器件工作在SOA區(qū)域內(nèi)就是安全
2019-04-08 13:42:38
，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo) ·gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù) ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6. 導(dǎo)通電
2012-08-15 21:08:49
MOS管主要參數(shù)及使用注意事項(xiàng)
2018-03-06 17:12:25
的是MOS管作為開(kāi)關(guān)管的使用。對(duì)于MOS管的選型，注意4個(gè)參數(shù)：漏源電壓（D、S兩端承受的電壓）、工作電流（經(jīng)過(guò)MOS管的電路）、開(kāi)啟電壓（讓MOS管導(dǎo)通的G、S電壓）、工作頻率（最大的開(kāi)關(guān)頻率
2021-10-28 07:46:04
只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員最關(guān)心的是MOS的最小傳導(dǎo)損耗?！ ∥覀兘?jīng)?？?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS（ON）參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗，對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，RDS
2018-10-31 13:59:26
在MOS管中 寄生電阻、電感、電容過(guò)大過(guò)小可能對(duì)雙閉環(huán)電路產(chǎn)生的短路/短路故障，根據(jù)輸出的電壓波形做具體的分析判斷，可以倒推出MOS管中具體哪部分出的問(wèn)題附件中列出了可能的故障類型，是否可以調(diào)節(jié)具體的參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)？ 謝謝
2020-05-23 23:48:06
不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買(mǎi)的IRF4905型PMOS管。從圖中可見(jiàn)此PMOS管
2015-07-24 14:24:26
，MOS管的輸入與輸出是相位相反，恰好180度，也就是等效于一個(gè)反相器，也可以理解為一個(gè)反相工作的運(yùn)放，如下圖：有了以上模型，就好辦了，尤其從運(yùn)放這張圖中，可以一眼看出，這就是一個(gè)反相積分電路，當(dāng)
2018-11-21 14:43:01
mos管的基本參數(shù)，大家熟悉的必然是Ids電流，Ron導(dǎo)通電阻，Vgs的閾值電壓，Cgs、Cgd、Cds這幾項(xiàng)，然而在高速應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)速度這個(gè)指標(biāo)比較重要。上圖四項(xiàng)指標(biāo)，第一項(xiàng)是導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間，第二項(xiàng)
2018-12-05 14:15:27
一般有三個(gè)極。四類MOS管增強(qiáng)型運(yùn)用較為普遍，下圖是畫(huà)原理圖時(shí)增強(qiáng)型NMOS和PMOS管的符號(hào)：漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（指有線圈負(fù)載的電路，如馬達(dá)），這個(gè)二極管
2019-01-28 15:44:35
1、首先看一個(gè)普通SOT-23封裝mos管的開(kāi)關(guān)參數(shù)Qg表示MOS管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極需要的總的電荷量，這個(gè)參數(shù)直接反應(yīng)mos管的開(kāi)關(guān)速度，越小的話MOS管的開(kāi)關(guān)速度就越快。
2021-10-29 08:10:05
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)。gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)?！ ?.導(dǎo)通電阻RON 導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明
2018-11-20 14:06:31
跨導(dǎo)。gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)?！ ?.導(dǎo)通電阻RON 導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響，是漏極特性某一
2018-11-20 14:10:23
的情況下，測(cè)得的漏極和柵極之間的電容為反向傳輸電容。反向傳輸電容等同于柵漏電容。Cres =Cgd，反向傳輸電容也常叫做米勒電容，對(duì)于開(kāi)關(guān)的上升和下降時(shí)間來(lái)說(shuō)是其中一個(gè)重要的參數(shù)，他還影響這關(guān)斷延時(shí)
2019-08-20 07:00:00
[*附件：MOS管的ID與極限參數(shù)介紹.pdf]()歡迎咨詢，謝謝。
2023-04-03 13:36:59
。 4、MOS管的調(diào)試是一個(gè)復(fù)雜而又重要的過(guò)程，必須要確保每一個(gè)細(xì)節(jié)都滿足實(shí)際要求，以有效地為MOS管工作提供恒定的參數(shù)和精確的電壓等。原作者：8點(diǎn)專利數(shù)據(jù)
2023-03-08 14:17:15
擊穿，進(jìn)而保護(hù)MOS；對(duì)于高速開(kāi)關(guān)場(chǎng)合，寄生二極管由于開(kāi)通速度慢，導(dǎo)致反向后無(wú)法迅速開(kāi)通，進(jìn)而損壞MOS，因此需要在外部并聯(lián)一個(gè)快恢復(fù)或肖特基二極管?！ ?.MOS管的主要參數(shù) IRF3205
2021-01-20 16:20:24
現(xiàn)在用全橋輸出拓?fù)漭^多經(jīng)?？匆?jiàn)在每個(gè)橋臂的MOS管G極前加一個(gè)阻值不大但是功率較大的電阻同時(shí)和MOS并聯(lián)的還有一個(gè)RCD（電阻+二極管+電容）電路現(xiàn)在知道這個(gè)RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。同樣的問(wèn)題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)合。2，寬電壓應(yīng)用中輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路
2018-11-14 09:24:34
MOS管的漏電流在微型可穿戴設(shè)備中，對(duì)于電池的功耗要求很高，所以為了省電，其實(shí)電路也是很多的，最省電的無(wú)疑就是直接斷開(kāi)電池的供電了。這種方案要用到一個(gè)NMOS和一個(gè)PMOS組合使用，NMOS作為下管
2021-10-12 16:45:51
在開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中，開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷和開(kāi)通時(shí)間影響著開(kāi)關(guān)電源的工作效率，而MOS管的一些參數(shù)起著決定性的作用，那么MOS管的選擇又存在哪些技巧呢? 由于MOS管對(duì)電路的輸出有很好的益處，其在電源中經(jīng)
2021-10-28 08:44:51
電壓、最大電流?！ 〉芏鄷r(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)最好的設(shè)計(jì)方案?！ 《鴮?duì)MOS管更細(xì)致地追求，還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一...
2022-01-03 06:54:52
**。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。 MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于**工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在
2019-02-14 11:35:54
相當(dāng)于與一個(gè)0.1歐姆電阻并聯(lián)放電，瞬間電流從200多A降到幾毫安，mos管關(guān)于電流的參數(shù)主要有兩個(gè)，持續(xù)工作最大電流IDM，最大單次脈沖電流IDM，這兩個(gè)都不太適合來(lái)評(píng)價(jià)我的這種用法是否可行，不知道
2018-11-21 14:47:12
問(wèn)題（1）流過(guò)MOS管的瞬時(shí)電流就是60乘以5為300A嗎?（2）給MOS管選型，看到的DATASHEET中有兩個(gè)參數(shù)，Id（連續(xù)工作電流）圖中是102A和Idm（寫(xiě)的是脈沖最大電流）圖中是300A 我
2017-08-18 13:50:39
一、MOS管選型注重的參數(shù)1、負(fù)載電流IL?--它直接決定于MOSFET的輸出能力；2、輸入-輸出電壓–它受MOSFET負(fù)載占空比能力限制；3、開(kāi)關(guān)頻率FS–參數(shù)影響MOSFET開(kāi)關(guān)瞬間的耗散功率
2021-11-16 09:06:09
想請(qǐng)教大家一下MOS管的問(wèn)題，原來(lái)產(chǎn)品上使用一個(gè)IRF4905S的MOS管，現(xiàn)在想用其他的替代。設(shè)計(jì)要求是120℃的環(huán)境下，最大電流30A能持續(xù)工作。我找了幾個(gè)相近的，不知道適不適合，請(qǐng)大家指教。IPD50P04P4-13 ； DMP4010SK3Q ；ATP114 ；有沒(méi)有合適的MOS管推薦？
2016-10-12 20:16:45
自己設(shè)計(jì)了一個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)電路，仿真時(shí)候上管正常開(kāi)關(guān)，下管始終關(guān)斷，但是測(cè)得上管柵源極之間電壓波形是這樣的，有一個(gè)很大的抖動(dòng)，想請(qǐng)教這是為什么？
2019-11-06 20:46:17
`我司專注中低壓mos管（場(chǎng)效應(yīng)管）AON6144參數(shù)以及各系列、型號(hào)，保證原裝正品，大量現(xiàn)貨供應(yīng)，閃電發(fā)貨。產(chǎn)品品牌有AOS美國(guó)萬(wàn)代、松木MOS管、新潔能MOS管、mojay茂捷AC-DC
2020-03-13 11:28:27
做開(kāi)關(guān)電源尋找MOS功率管時(shí)，對(duì)其電流參數(shù)不理解，Continuous Drain Current (Package limited)=100A，Continuous Drain Current
2018-01-09 12:08:26
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得
2019-07-03 07:00:00
Mos管有哪些參數(shù)？Mos管的功耗主要來(lái)自哪？
2021-09-30 06:34:24
誰(shuí)來(lái)闡述一下mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分？
2019-10-28 14:47:13
mos管測(cè)試的時(shí)候有個(gè)是測(cè)試GMP的這個(gè)是測(cè)試的什么？他和跨導(dǎo)GM是什么關(guān)系？
2015-08-13 16:45:08
三極管選型要看功率結(jié)合進(jìn)行選型，那么MOS管需要結(jié)合功率選型嗎？看了很多MOS管選型，就是考慮VDS ，VGS， 等效電阻，損耗，結(jié)溫，就是沒(méi)有考慮MOS管的功率，請(qǐng)問(wèn)MOS選型是不是可以自動(dòng)忽略功率這項(xiàng)參數(shù)，我用的是AO3400驅(qū)動(dòng)150mA的電機(jī)。有老哥知道不，請(qǐng)解答下。
2020-11-27 22:58:39
一個(gè)簡(jiǎn)單的NPN+P_MOS開(kāi)關(guān)控制，負(fù)載是850nm激光二極管，驅(qū)動(dòng)MCU是STC15F2?，F(xiàn)在出現(xiàn)mos管容易損壞的情況，本人菜鳥(niǎo)不知道是什么原因造成的，還望各位大神能指點(diǎn)一二
2018-08-29 18:06:20
來(lái)搭建H橋，一般常用的元器件是三極管，MOS管，三極管的電路比較簡(jiǎn)單，但有一個(gè)問(wèn)題，CE極導(dǎo)通的時(shí)候會(huì)有一個(gè)0.7V左右的壓降，從而使加到電機(jī)上電壓減小，采用MOS管可以很好的解決這個(gè)問(wèn)題，MOS管導(dǎo)
2018-05-23 18:37:13
選型最近在推MOS管的過(guò)程中，遇到一些問(wèn)題，最主要的是一個(gè)品牌交換參數(shù)的對(duì)應(yīng)問(wèn)題，很多時(shí)分我們只關(guān)注了電流電壓
2021-11-12 08:43:18
LT1910高端MOS管驅(qū)動(dòng)IC具有哪些參數(shù)應(yīng)用？
2021-11-03 06:11:06
目的：IO口控制第一個(gè)MOS管通斷來(lái)實(shí)現(xiàn)第二個(gè)MOS管柵極是否有15v加上繼而控制第二個(gè)MOS的快速通斷。措施一：如圖一所示，第一個(gè)MOS管G加IO口，此MOS管vgs（th）為0.45到1v
2018-10-17 15:16:30
想必電路設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)師在選擇MOS管是都有考慮過(guò)一個(gè)問(wèn)題，是該選擇P溝MOS管還是N溝MOS管？作為廠家而言，一定是想要自己的產(chǎn)品能夠以更低的價(jià)格來(lái)競(jìng)爭(zhēng)其他的商家，也需要反復(fù)推選。那到底該怎么挑選呢？具有豐富經(jīng)驗(yàn)的飛虹MOS管廠家這就為大家分享。
2019-01-24 17:48:59
1.15（a）所示，是Salicide的MOS管結(jié)構(gòu)圖。1.6 溝道離子注入和暈環(huán)離子注入技術(shù)MOS器件的特征尺寸縮小到深亞微米導(dǎo)致的另外一個(gè)問(wèn)題是短溝道效應(yīng)引起的亞閾值漏電流。隨著MOS器件的柵極長(zhǎng)度
2018-09-06 20:50:07
極性三極管，它是電流控制器件。它的基極串聯(lián)電阻是為了了限制基極電流的大小，否則對(duì)于驅(qū)動(dòng)信號(hào)源來(lái)說(shuō)，三極管的基極對(duì)地之間就等效成一個(gè)二極管，會(huì)對(duì)前面驅(qū)動(dòng)電路造成影響?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOS管，由于它的柵極相對(duì)于漏極
2023-03-10 15:06:47
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管的選型是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本，同時(shí)也會(huì)給工程師帶來(lái)諸多麻煩，下面就跟著銀聯(lián)寶科技一起來(lái)學(xué)習(xí)下MOS管正確的選擇方法吧！第一步：選用N溝道還是P
2018-10-19 10:10:44
創(chuàng)作時(shí)間：2020-11-17目錄：1.使用MOS管作為開(kāi)關(guān)控制的應(yīng)用2.單晶體管負(fù)載開(kāi)關(guān)3.MOS管說(shuō)明，什么是PMOS,什么是NMOS?4.實(shí)例，采用PMOS進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，且如何看懂
2021-10-29 08:39:45
設(shè)計(jì)一個(gè)mos管作為負(fù)載的電池放電器，如何控制mos管的開(kāi)關(guān)特性，Vgs又如何控制
2016-03-10 12:02:57
參數(shù)的，怎么不能修改寬長(zhǎng)啊？2、我主要是想：在后續(xù)的共源共柵放大器設(shè)計(jì)中，能夠根據(jù)設(shè)計(jì)的電路圖，計(jì)算出每一個(gè)mos管的寬長(zhǎng)，并設(shè)置相應(yīng)參數(shù)。求大神賜教??！
2015-04-16 21:36:28
只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員最關(guān)心的是MOS的最小傳導(dǎo)損耗?！ ∥覀兘?jīng)?？?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS（ON）參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗，對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，RDS
2018-10-25 14:40:18
，而且也沒(méi)有一個(gè)簡(jiǎn)單的公式可用于MOS管的評(píng)估。但我們不妨考慮一些關(guān)鍵的參數(shù)，以及這些參數(shù)為什么至關(guān)重要。傳統(tǒng)上，許多電源設(shè)計(jì)人員都采用一個(gè)綜合品質(zhì)因數(shù)(柵極電荷QG×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))來(lái)評(píng)估
2018-12-17 14:16:21
代碼主要在這個(gè)文件里：C:\Users\DQ_SZU\Desktop\RoboFlyDEMO\Drive\src\motor.c我們要利用mos管的特性，定義4個(gè)引腳復(fù)用推挽輸出，同時(shí)要注意每一個(gè)
2022-01-19 08:19:48
兩個(gè)mos管，第一個(gè)MOS管柵極接單片機(jī)io口，通過(guò)io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos管通斷，開(kāi)關(guān)頻率要求不高，對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求，開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小，有沒(méi)有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫(huà)的簡(jiǎn)單示意圖
2018-10-16 22:40:53
MOS管的參數(shù)如何查看，以及如何修改參數(shù)，如寬長(zhǎng)比？ORCAD謝謝
2013-05-12 12:41:29
如何去選擇新MOS管來(lái)提高產(chǎn)品效能？選擇新的MOS管要考慮哪些參數(shù)？
2021-06-08 07:09:13
阻，兩者均為幾千歐。因此根據(jù)測(cè)量可知，兩個(gè)管子的導(dǎo)通程度不一樣，MOS管的D、S之間電阻值是遠(yuǎn)小于IGBT管c、e之間的電阻值，于是可以分辨出MOS與IGBT管。`
2019-05-02 22:43:32
@[TOC]驅(qū)動(dòng)一個(gè)MOS管1 如何驅(qū)動(dòng)一個(gè)MOS管1.1 推挽電路直接上菜，這就是大名鼎鼎的推挽電路了，學(xué)過(guò)單片機(jī)的小伙伴們是不是很熟悉，沒(méi)錯(cuò)就是IO口內(nèi)部的推挽電路，也叫圖騰柱電路，古代部落對(duì)于
2022-02-28 13:41:37
本帖最后由 hrbcw 于 2014-1-8 11:36 編輯
如下圖中的可調(diào)電源：1. 如何將Q改成MOS管，要并聯(lián)幾個(gè)MOS管，要修改那些電路。2.如果能改的話用什么MOS 管 或什么參數(shù)
2014-01-07 18:50:06
構(gòu)成了一個(gè)N溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。MOS管的基本特性：MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在
2018-10-25 16:36:05
，買(mǎi)的不好就很糟心。 在電子元件當(dāng)中，參數(shù)和型號(hào)也很重要的，要知道電子產(chǎn)品是由不同的電子元件組成，每一個(gè)電子元件在自己的位置上發(fā)揮自己的作用。在選購(gòu)電子元件時(shí)要能看懂上面的參數(shù)和型號(hào)，參數(shù)沒(méi)看懂型號(hào)沒(méi)
2022-05-23 14:13:33
。影響MOS管質(zhì)量高低的參數(shù)非常多，像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無(wú)法標(biāo)注這么多參數(shù)，所以在MOS管表面一般只標(biāo)注了產(chǎn)品的型號(hào)?！ ∵€要說(shuō)明的是，溫度也是MOS管一個(gè)非常重要的性能參數(shù)。主要包括環(huán)境溫度
2018-12-28 11:54:50
用MOS管做一個(gè)加熱電路，請(qǐng)教哈各位。我應(yīng)該怎么設(shè)置電路，選擇哪個(gè)型號(hào)的MOS管
2015-07-29 14:23:13
1、溝道 上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長(zhǎng)條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導(dǎo)通后是電阻特性，因此它的一個(gè)重要參數(shù)就是導(dǎo)通電阻，選用MOS管必須清楚這個(gè)參數(shù)是否符合需求
2019-01-03 13:43:48
多以NMOS為主?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS
管的三
個(gè)管教之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的，寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩
一些，但沒(méi)有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹?！ ≡?/div>
2018-12-03 14:43:36
的單向?qū)ǚ较?b class="flag-6" style="color: red">一致?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">一些電池保護(hù)電路中，常有兩個(gè)MOS管共漏極使用的情況，因?yàn)樵谶@些保護(hù)電路中，既要進(jìn)行過(guò)充檢測(cè)也要進(jìn)行過(guò)放檢測(cè)?！ 〈蜷_(kāi)該類MOS的規(guī)格書(shū)我們會(huì)看到許多如下參數(shù)： 那么如何測(cè)試
2023-03-10 16:26:47
對(duì)于一個(gè)MOS電路來(lái)說(shuō)，計(jì)算的話，有兩個(gè)參數(shù)是比較重要的。一個(gè)是vth，一個(gè)是UnCox。不考慮其他效應(yīng)。那有一個(gè)工藝庫(kù)，就要知道工藝庫(kù)的這兩個(gè)參數(shù)。一種方法直接看工藝庫(kù)參數(shù)，但是現(xiàn)在的工藝庫(kù)
2022-07-15 17:54:48
求助一個(gè)完善的MOS管 H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，帶PWM控制的
2017-04-08 09:51:04
求推薦一款光MOS管，要兩個(gè)光MOS管封裝在一個(gè)片子里，隔離電壓在1000v以上，現(xiàn)在用的是松下的AQV258HAX，產(chǎn)品升級(jí)，如果要用兩個(gè)的話空間和成本都受較大限制，現(xiàn)在希望尋找一款產(chǎn)品進(jìn)行替代。
2016-07-22 10:07:18
特性對(duì)開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，下面就對(duì)MOS管的特性做一個(gè)簡(jiǎn)要的分析?！ ?b class="flag-6" style="color: red">一、MOS管的電壓特性，在MOS管柵源之間的施加電壓在多數(shù)情況下不能超過(guò)20V,在實(shí)際應(yīng)用中功率MOS管的柵極電壓一般被控
2018-10-19 16:21:14
加入保護(hù)電阻，所以這也是MOS管可能擊穿的原因，而通過(guò)更換一個(gè)內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)可防止此種失效的發(fā)生。還有由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。所以
2012-07-14 15:34:14
θsink-ambiance等。如其間還有絕緣材料還須將其熱阻考慮進(jìn)去?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管損耗的8個(gè)組成部分 在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì)MOS管的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算）。`
2019-02-21 12:02:20
在
MOS管的G極和S極所加的電壓大于芯片所規(guī)定的最大值，
MOS管會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象、？比如在IRF540N的GS端電壓為24V，在IRF4905的GS端電壓為-24V，這個(gè)倆
個(gè)管子會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象？IRF540/IRF4905的datasheet的
參數(shù)如下圖片所示、謝謝?。。?/div>
2016-01-09 20:56:09
請(qǐng)問(wèn)單獨(dú)用MOS管開(kāi)關(guān)和三極管配合MOS管做開(kāi)關(guān)有什么區(qū)別呢？
2018-11-27 15:28:29
請(qǐng)問(wèn)高手，DLPA3005D內(nèi)部集成了mos管，為什么要用外置mos管？是因?yàn)閮?nèi)置mos管的電流小嗎？如果是的話，能給出一個(gè)參數(shù)嗎？比如電流有多少。我看資料上好像沒(méi)提。
2019-02-13 07:42:42
有一道題，現(xiàn)在需要用一顆MOS管來(lái)控制閃光燈，要求閃光的時(shí)間盡可能的短，對(duì)于這顆MOS管的選型，你會(huì)關(guān)注哪些參數(shù)？求指教謝謝！
2019-07-03 04:36:03
求推薦一款光MOS管，要兩個(gè)光MOS管封裝在一個(gè)片子里，隔離電壓在1000v以上，現(xiàn)在用的是松下的AQV258HAX，產(chǎn)品升級(jí)，如果要用兩個(gè)的話空間和成本都受較大限制，現(xiàn)在希望尋找一款產(chǎn)品進(jìn)行替代。
2020-05-20 10:00:34
ncp81074a這個(gè)mos管的驅(qū)動(dòng)看不太懂，為啥珊級(jí)要加兩個(gè)電阻，OUTL和OUTH不是是驅(qū)動(dòng)兩個(gè)mos管嗎？只用一個(gè)電阻不行嗎？
2020-08-10 10:34:51
麻煩推薦一個(gè)1MHz的mos管
2012-11-28 11:07:13
二極管上面流過(guò)，然后與R1串聯(lián)放電，這樣等減小了驅(qū)動(dòng)電阻，讓MOS管快速的關(guān)斷，減小了關(guān)斷損耗，這一個(gè)電路中，一般R1與R4的電阻參數(shù)的匹配，一般R1要小于R4，比如R1 是22Ω，R4是47Ω的參數(shù)
2021-06-28 16:44:51
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