繼6月6日，工信部正式發(fā)放了5G商用牌照，便加快了5G商用步伐，駛向“高速公路”。運營商、設(shè)備商、終端廠商在5G領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力。廣泛應用于通信基站、手機等移動通訊終端的射頻器件也在緊抓5G機遇推陳出新。

在今日舉行的“2019年IMT-2020(5G)峰會”上，南京國博電子副總經(jīng)理錢峰發(fā)表了主題演講，分享了國博電子在5G微波毫米波方向的技術(shù)進展。

眾所周知，在5G射頻產(chǎn)品上，大蛋糕是通訊終端射頻，小蛋糕是通信基站射頻，但從產(chǎn)業(yè)鏈受益先后的角度來看，先受益的是通信基站射頻，其次才是通訊終端射頻。

據(jù)了解，國博電子對兩大射頻器件均有涉及。在基站領(lǐng)域主要有氮化鎵的功率器件，基站、微基站功率放大器，以及一些小信號產(chǎn)品和多功能模組；在移動通信終端領(lǐng)域，主要有一些手機功放、WiFi PA、開關(guān)以及其他的產(chǎn)品。面對5G商用的逐步落地，錢峰表示，希望有驅(qū)動的放大器、各頻段產(chǎn)品、LNA產(chǎn)品等主要頻段能夠形成的射頻貨架系列產(chǎn)品。

此外，國博電子通過對毫米波技術(shù)的研發(fā)，錢峰指出，在小型號5G毫米波芯片中，一般采用硅的技術(shù)，如硅的CMOS技術(shù)實現(xiàn)產(chǎn)品化；后端和前端采用砷化鎵或者氮化鎵的技術(shù)，可形成一個更具靈活性的毫米波前端，而且具有更好性價比。值得注意的是，國博電子總體方案采用硅基的技術(shù)實現(xiàn)多通道波控芯片，采用化合物實現(xiàn)毫米波收發(fā)前端芯片，使用高密度集成實現(xiàn)前端的FEM模組。

錢峰表示，國博電子在基站和終端的小信號產(chǎn)品以及中功率產(chǎn)品方面都實現(xiàn)了批量化的量產(chǎn)，目前正在進入的領(lǐng)域主要有氮化鎵的大功率的器件，以及毫米波的基站的多通道硅基相控陣芯片以及III-V族毫米波射頻收發(fā)前端芯片。

針對產(chǎn)品整體的形態(tài)的形態(tài)，錢峰介紹到三大類封裝形式。

一是傳統(tǒng)的BGA的封裝形式。錢峰并對此表示，將來標準的幅相多功能芯片都會采用BGA的封裝形式；

二是針對一些具有散熱需要的形式，將背面裸露出來方便用戶進行散熱器的貼裝；

三是晶元級的封裝模式，把多顆芯片集中在一個封裝里面。

最后錢峰說道，在未來發(fā)展中，國博電子將構(gòu)建以三代半導體制造為核心，涵蓋一、二、三代半導體設(shè)計與封測射頻集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，隨著5G快速推進，國博電子也會呈現(xiàn)出更快的經(jīng)濟發(fā)展速度和技術(shù)創(chuàng)新能力。