單片開關(guān)電源原理及應(yīng)用 一、TOP開關(guān)結(jié)構(gòu)及工作原理 1、結(jié)構(gòu): TOP開關(guān)集各種控制功能、保護功能及耐壓700V的功率開關(guān)MOSFET于一體,采用TO?220或8腳DIP封裝。少數(shù)采用8腳封裝的TOP開關(guān),除D、C兩引腳外,其余6腳實際連在一起,作為S端,故仍系三端器件。三個引出端分別是漏極端D、源極端S和控制端C。其中,D是內(nèi)裝MOSFET的漏極,也是內(nèi)部電流的檢測點,起動操作時,漏極端由一個內(nèi)部電流源提供內(nèi)部偏置電流。控制端C控制輸出占空比,是誤差放大器和反饋電流的輸入端。在正常操作時,內(nèi)部的旁路調(diào)整端提供內(nèi)部偏置電流,且能在輸入異常時,自動鎖定保護。源極端S是MOSFET的源極,同時是TOP開關(guān)及開關(guān)電源初級電路的公共接地點及基準(zhǔn)點。 2、工作原理: TOP包括10部分,其中Zc為控制端的動態(tài)阻抗,RE是誤差電壓檢測電阻。RA與CA構(gòu)成截止頻率為7kHz的低通濾波器。主要特點是: 下面簡要敘述一下: ?。?)帶隙基準(zhǔn)電壓源 帶隙基準(zhǔn)電壓源除向內(nèi)部提供各種基準(zhǔn)電壓之外,還產(chǎn)生一個具有溫度補償并可調(diào)整的電流源,以保證精確設(shè)定振蕩器頻率和門極驅(qū)動電流。 ?。?)振蕩器 內(nèi)部振蕩電容是在設(shè)定的上、下閾值UH、UL之間周期性地線性充放電,以產(chǎn)生脈寬調(diào)制器所需要的鋸齒波(SAW),與此同時還產(chǎn)生最大占空比信號(Dmax)和時鐘信號(CLOCK)。為減小電磁干擾,提高電源效率,振蕩頻率(即開關(guān)頻率)設(shè)計為100kHz,脈沖波形的占空比設(shè)定為D。 (4)放大器 誤差放大器的增益由控制端的動態(tài)阻抗Zc來設(shè)定。Zc的變化范圍是10Ω~20Ω,典型值為15Ω。誤差放大器將反饋電壓UF與5.7V基準(zhǔn)電壓進行比較后,輸出誤差電流Ir,在RE上形成誤差電壓UR。 (5)脈寬調(diào)制器(PWM) 脈寬調(diào)制器是一個電壓反饋式控制電路,它具有兩層含義。第一、改變控制端電流Ic的大小,即可調(diào)節(jié)占空比D,實現(xiàn)脈寬調(diào)制。第二、誤差電壓UR經(jīng)由RA、CA組成截止頻率為7kHz的低通濾波器,濾掉開關(guān)噪聲電壓之后,加至PWM比較器的同相輸入端,再與鋸齒波電壓UJ進行比較,產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號UB。 (6)門驅(qū)動級和輸出級 門驅(qū)動級(F)用于驅(qū)動功率開關(guān)管(MOSFET),使之按一定速率導(dǎo)通,從而將共模電磁干擾減至最小。漏?源導(dǎo)通電阻與產(chǎn)品型號和芯片結(jié)溫有關(guān)。MOSFET管的漏?源擊穿電壓U(bo)ds≥700V。 ?。?)過流保護電路 過流比較器的反相輸入端接閾值電壓ULIMIT,同相輸入端接MOSFET管的漏極。此外,芯片還具有初始輸入電流限制功能。剛通電時可將整流后的直流限制在0.6A或0.75A。 ?。?)過熱保護電路 當(dāng)芯片結(jié)溫TJ>135℃時,過熱保護電路就輸出高電平,將觸發(fā)器Ⅱ置位,Q=1,,關(guān)斷輸出級。此時進入滯后調(diào)節(jié)模式,Uc端波形也變成幅度為4.7V~5.7V的鋸齒波。若要重新起動電路,需斷電后再接通電源開關(guān);或者將控制端電壓降至3.3V以下,達到Uc(reset)值,再利用上電復(fù)位電路將觸發(fā)器Ⅱ置零,使MOSFET恢復(fù)正常工作。 ?。?)關(guān)斷/自起動電路 一旦調(diào)節(jié)失控,關(guān)斷/自動重起動電路立即使芯片在5%占空比下工作,同時切斷從外部流入C端的電流,Uc再次進入滯后調(diào)節(jié)模式。倘若故障己排除,Uc又回到并聯(lián)調(diào)節(jié)模式,自動重新起動電源恢復(fù)正常工作。自動重起動的頻率為1.2Hz。 ?。?0)高壓電流源 在起動或滯后調(diào)節(jié)模式下,高壓電流源經(jīng)過電子開關(guān)S1給內(nèi)部電路提供偏置,并且對Ct進行充電。電源正常工作時S1改接內(nèi)部電源,將高壓電流源關(guān)斷。 當(dāng)TOP開關(guān)起動操作時,在控制端環(huán)路振蕩電路的控制下,漏極端有電流流入芯片,提供開環(huán)輸入。該輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器時,由控制端進行閉環(huán)調(diào)整,改變Ir,經(jīng)由PWM控制MOSFET的輸出占空比,最后達到動態(tài)平衡。 二、TOP開關(guān)的典型應(yīng)用 1、12V/30W小功率開關(guān)電源: 12V/30W小功率開關(guān)電源原理圖如圖2所示。該電源特性是:簡單,直接可與220V交流電源連接,經(jīng)橋式整流電容濾波后產(chǎn)生300V直流高電壓起動開關(guān)電源工作。并且重量輕、體積小,接線簡單外圍元件少。 該電路特點是利用三極管Q1,二極管D8及電阻R5、R6組成過低壓保護電路,當(dāng)輸入電壓降低到一定程度時,Q1導(dǎo)通,控制端C電位降低,TOP開關(guān)關(guān)閉,開關(guān)電源沒有輸出。 ?。?)輸入電路 電網(wǎng)交流220V輸入電壓經(jīng)橋式整流、電容濾波后產(chǎn)生300V直流高壓起動開關(guān)電源工作。 ?。?)電源變換器部分 在該電路中,T2為高頻變壓器,其中 開關(guān)電源工作后,反饋繞組N2經(jīng)整流、濾波、限流后送至TOP開關(guān)控制極C,以調(diào)整TOP開關(guān)內(nèi)部PWM占空比。當(dāng)因某種原因如負(fù)載變輕引起輸出電壓升高時,N2電壓將升高,即流入TOP開關(guān)控制端C的電流增加。在振蕩電路的控制下,漏極端D有電流流入芯片,提供開環(huán)輸入,該輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器,由控制端進行閉環(huán)調(diào)整,經(jīng)由PWM控制MOSFET的輸出占空比,使其占空比線性減小,從而使輸出電壓下降,最后達到動態(tài)平衡,保持輸出穩(wěn)定。電路中并接于初級繞組N1兩端的瞬態(tài)電壓抑制二極管D5、電容C4及快速二極管D6組成鉗位削峰電路。鉗制電感放電脈沖的最高電位,減少漏感抗引起的漏極端電壓畸變。在實際繞制高頻電源變壓器時,為了減小漏感的影響,可采用初級與次級相互交叉的繞制方法。同時,采用自我屏蔽作用較為良好的罐形磁芯,將線圈都用磁芯封在里邊。 ?。?)反饋控制回路 電容C6決定軟起動恢復(fù)時間,C6、R5、R4、C5、D7決定控制回路的零點。R4阻值過小,限流線性差,容易導(dǎo)致TOP開關(guān)損壞;過大則調(diào)整線性差。在實驗中取值為10kΩ ?。?)輸出回路 N3、D10、C8、D11構(gòu)成輸出回路。肖特基勢壘整流二極管D10對高頻變壓器次級的高頻方波電壓進行整流,經(jīng)低ESR值的電解電容濾波及雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管D11削峰穩(wěn)壓后,提供給負(fù)載電路。R7既可改善電源本身的輸出阻抗,又能小幅度地調(diào)整輸出電壓的范圍,同時又可在電源空載時為電容C8提供放電回路。R7取值為430Ω。 2、12.5V/25W精密開關(guān)電源: 12.5V/25W精密開關(guān)電源原理圖如圖3所示。由TOP204構(gòu)成隔離式+12.5V、2A(25W)開關(guān)電源電路,該電源的特性為:當(dāng)交流輸入電壓U從85V變化到265V時,電壓調(diào)整率為±0.2%;當(dāng)負(fù)載電流從10%(0.2A)變化到100%(2A)時,負(fù)載調(diào)整率也達±0.2%,可與線性集成穩(wěn)壓電源相媲美。該電路的主要特點是利用一片TL431(IC3)與光電耦合器(IC2)構(gòu)成外部誤差放大器。它再與片內(nèi)誤差放大器配合使用,對控制電流進行精細(xì)調(diào)整,從而大大提高了穩(wěn)壓性能。 由于TOP芯片內(nèi)部完全集成了SMPS的全部功能,所以利用它設(shè)計出的開關(guān)電源周期短,成本低,對于小功率電源,簡單,體積小,重量輕。 |
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