IR2110包括：邏輯輸入、電平轉換、保護、上橋臂側輸出和下橋臂側輸出。邏輯輸入端采用施密特觸發(fā)電路，提高抗干擾能力。輸入邏輯電路與TTL/COMS電平兼容，其輸入引腳閾值為電源電壓Vdd的10%，各通道相對獨立。由于邏輯信號均通過電平耦合電路連接到各自的通道上，允許邏輯電路參考地(VSS)與功率電路參考地(COM)之間有-5 V～+5 V的偏移量，并且能屏蔽小于50 ns脈沖，這樣便具有較理想的抗噪聲效果。兩個高壓MOS管推挽驅動器的最大灌入或輸出電流可達2 A，上橋臂通道可以承受500 V的電壓。輸入與輸出信號之間的傳導延時較小，開通傳導延時為120 ns，關斷傳導延時為95 ns。電源VCC典型值為15 V，邏輯電源和模擬電源共用一個15 V電源，邏輯地和模擬地接在一起。輸出端設有對功率電源VCC的欠壓保護，當小于8.2 V時，封鎖驅動輸出。

　　IR2110具有很多優(yōu)點：自舉懸浮驅動電源可同時驅動同一橋臂的上、下兩個開關器件，驅動500 V主電路系統(tǒng)，工作頻率高，可以達到500 kHz;具有電源欠壓保護相關斷邏輯;輸出用圖騰柱結構，驅動峰值電流為2 A;兩通道設有低壓延時封鎖(50 ns)。芯片還有一個封鎖兩路輸出的保護端SD，在SD輸入高電平時，兩路輸出均被封鎖。IR2110的優(yōu)點，給實際系統(tǒng)設計帶來了極大方便，特別是自舉懸浮驅動電源大大簡化了驅動電源設計，只用一路電源即可完成上下橋臂兩個功率開關器件的驅動。IR2110的典型應用電路如圖2所示。

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　　但是在這種電路的使用上存在很大的問題，當高壓側電壓緩慢地往上升時可以清楚地看見毛刺越來越嚴重，電壓很低時管子發(fā)熱嚴重，芯片很容易燒掉。這些問題都是由于2 11 0自身的一些不足產(chǎn)生的，IR2110不能產(chǎn)生負偏壓，如果用于驅動橋式電路，在半橋電感負載電路下運行，處于關斷狀態(tài)下的IGBT，由于其反并聯(lián)二極管的恢復過程，將承受C-E電壓的急劇上升。此靜態(tài)的dv/dt通常比IGBT關斷時的上升率高。由于密勒效應，此dv/dt在集電極，柵極問電容內產(chǎn)生電流，流向柵極驅動電路，如圖3所示。雖然在關斷狀態(tài)時柵極電壓Vg為零，由于柵極電路的阻抗(柵極限流電阻Rg，引線電感Lg)，該電流令VGE增加，趨向于VGE(th)。最嚴重的情況是該電壓達到閾值電壓，使IGBT導通，導致橋臂短路。IR2110驅動輸出阻抗不夠小，沿柵極的灌人電流會在驅動電壓上加上比較嚴重的毛刺干擾。

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　　2.2 IR2110改進抗干擾電路

　　2.2.1 帶電平箝位的IR2110驅動電路

　　針對IR2110的不足，對輸出驅動電路進行了改進，可以采用在柵極限流電阻上反并聯(lián)一個二極管，但在大功率的環(huán)境下不太明顯。本文介紹的第一種方法就是下面如圖4所示電路。在關斷期間將柵極驅動電平箝位到零電平。在橋臂上管開通期間驅動信號使Q1導通、Q2截止，正常驅動。上管關斷期間，Q1截止，Q2柵極高電平，導通，將上管柵極電位拉到低電平(三極管的飽和壓降)。這樣，由于密勒效應產(chǎn)生的電流從Q2中流過，柵極驅動上的毛刺可以大大的減小。下管工作原理與上管完全相同，不再累述。

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