零壓開關(guān)（ZVS）相移轉(zhuǎn)換器被廣泛用于滿足電源應(yīng)用市場，比如電信電源、主機計算機-服務(wù)器以及高功率密度和高效率是必需的任何應(yīng)用。為了達到這個目標(biāo)，我們必須最大限度地減小功率損失和電抗值，這可以通過
2020-09-22 12:36:04
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MOSFET 功率開關(guān)是開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里最重要的元件，如果它被集成進 IC里，這種器件便可以被稱作轉(zhuǎn)換器；如果它被外置，能夠驅(qū)動它的器件便可以被稱作控制器，這樣的定義并無什么標(biāo)準可言，但我自己
2020-12-24 16:43:472531 
本文就MOSFET的開關(guān)過程進行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:48549 
Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中，MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗，因此能夠在較高頻率下工作。對硬開關(guān)應(yīng)用而言，MOSFET寄生二極管的恢復(fù)特性可能是個缺點。相反，由于IGBT組合
2018-08-27 20:50:45
選擇時起著作用。在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中，MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗，因此能夠在較高頻率下工作。對硬開關(guān)應(yīng)用而言，MOSFET寄生二極管的恢復(fù)特性可能是個
2021-06-16 09:21:55
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個基本條件：1
2018-07-13 09:48:50
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個基本條件
2018-11-21 15:52:43
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個基本條件：1
2018-07-18 10:09:10
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。MOSFET的開關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時間：Td(on）、上升時間：tr
2018-11-28 14:29:57
MOSFET可以得到充分利用。此外，碳化硅MOSFET也可應(yīng)用更高的開關(guān)頻率，因而可以實現(xiàn)體積更小，更加緊湊的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計。 沒有免費的午餐 當(dāng)然，世上是沒有免費午餐的，在內(nèi)部體二極管和寄生參數(shù)方面
2023-03-14 14:05:02
特性優(yōu)于PowerMESH IGBT?！ ×硪环矫?，硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器在開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷過程中會發(fā)生功率損耗現(xiàn)象，因此，開關(guān)損耗也必須考慮在內(nèi)。開關(guān)損耗的主要誘因是續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電荷，在導(dǎo)通過
2018-11-20 10:52:44
不足的情形發(fā)生。此外，當(dāng)轉(zhuǎn)換器的工作環(huán)境發(fā)生變化，如溫度、濕度、或零件老化等，都可能造成系統(tǒng)穩(wěn)定度的改變，甚至導(dǎo)致電源系統(tǒng)不穩(wěn)定。本文探討因應(yīng)原設(shè)計參數(shù)改變而采用相位提升電路，以改善系統(tǒng)穩(wěn)定度，并以立
2019-07-23 07:27:19
的過渡過程分段轉(zhuǎn)化成矩形和三角形面積，利用式（3）可以計算出這個損耗?！ 》治鲚敵稣?b class="flag-6" style="color: red">器的開關(guān)損耗則要復(fù)雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內(nèi)會引發(fā)很多問題?！ ￠_通期間，過渡過程是由整流管的正向
2023-03-16 16:37:04
反激式轉(zhuǎn)換器。在同步整流器應(yīng)用以及以太網(wǎng)供電（PoE）輸入整流器中，低側(cè)開關(guān)也被用來代替二極管作為整流器。P溝道MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同，N
2021-04-09 09:20:10
開關(guān)過程中還會激起電路分布電感和寄生 電容的振蕩，帶來附加損耗，因此，硬開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率不能太高。軟開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)管，在開通或關(guān)斷過程中，或是加于 其上的電壓為零，即零電壓開關(guān)
2018-12-25 22:32:59
在這里，以“開關(guān)穩(wěn)壓器的特性和評估方法”為主題，說明開關(guān)式DC/DC轉(zhuǎn)換器最佳設(shè)計所須特性的理解及評估方法。使用開關(guān)穩(wěn)壓器用的IC，對電路基板進行包括開關(guān)穩(wěn)壓器在內(nèi)的板載化已經(jīng)不再罕見。開關(guān)穩(wěn)壓器
2018-11-29 14:18:43
開關(guān)穩(wěn)壓器有許多種類，分類方法也視其觀點而各有不同。在這里，根據(jù)輸入電源的區(qū)別、電路方式以及功能和工作的區(qū)別來分類。根據(jù)開關(guān)穩(wěn)壓器的電路方式來分類DC/DC轉(zhuǎn)換器▼非絕緣型異步整流式同步整流式▼絕緣
2018-11-29 14:18:00
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。在
2021-10-28 06:56:14
/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例。另外，功率開關(guān)使用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）MOSFET。與Si半導(dǎo)體相比，SiC是一種損耗低且具有優(yōu)異的高溫工作特性的新一代半導(dǎo)體材料。提起SiC半導(dǎo)體
2018-11-27 17:03:34
。 FAN7631 可用于諧振轉(zhuǎn)換器拓撲，如串聯(lián)諧振、并聯(lián)諧振以及 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器。特性：?占空比為 50% 的變頻控制，用于半橋式諧振轉(zhuǎn)換器拓撲?高效率及零電壓開關(guān) (ZVS)?工作頻率高達
2021-09-17 01:03:04
電路應(yīng)運而生。LLC諧振變換器能夠在較寬的電源和負載波動范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸出，而開關(guān)頻率波動卻較小。在整個工作范圍內(nèi)，能夠獲得零電壓開關(guān)（ZVS）半橋LLC諧振變換器LLC電路MOSFET應(yīng)用不同于PFC
2019-09-17 09:05:04
在整個負載范圍(包括輕載)下都是以ZVS (zero voltage switching, 零電壓開關(guān))條件工作，從而實現(xiàn)高效率;
2020-03-27 09:02:00
近來，]2. LLC 電路的特點LLC]1. LLC 轉(zhuǎn)換器可以在寬負載范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān)。2.]3. 采用頻率控制，上下管的占空比都為50%.4.]5. 無需輸出電感，可以進一步降低系統(tǒng)成本
2020-07-14 07:00:00
?內(nèi)部自舉二極管?欠壓鎖定?支持Intel?電源狀態(tài)4?熱警告輸出?熱關(guān)機應(yīng)用：筆記本電腦、臺式電腦和Ultrabook服務(wù)器和工作站臺式機和一體機DC-DC轉(zhuǎn)換器，大電流DC-DC負載轉(zhuǎn)換器小型電壓調(diào)節(jié)器模塊
2021-07-14 19:55:16
OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
、售前服務(wù)及服務(wù)，給用戶提供最優(yōu)質(zhì)最具競爭力的產(chǎn)品以及最人性化最貼心的服務(wù)。一、概述OC5860 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5860在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)
2020-05-11 11:42:56
溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側(cè)開關(guān)，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離反激式轉(zhuǎn)換器。在同步整流器應(yīng)用以及以太網(wǎng)供電（PoE）輸入整流器中，低側(cè)開關(guān)也被用來代替二極管作為整流器。P溝道
2018-03-03 13:58:23
用于電壓轉(zhuǎn)換的每個開關(guān)模式穩(wěn)壓器都會引起干擾。在電壓轉(zhuǎn)換器的輸入端和輸出端，有一部分是通過線傳輸?shù)模灿幸徊糠质禽椛涞?。這些干擾主要是由快速開關(guān)的邊緣引起的。
2019-08-02 07:14:00
降壓型轉(zhuǎn)換器工作時的電流路徑開關(guān)節(jié)點的振鈴輸入電容器和二極管的配置散熱孔的配置電感的配置輸出電容器的配置反饋路徑的布線接地評估篇開關(guān)穩(wěn)壓器的特性和評估方法開關(guān)穩(wěn)壓器的特性和評估方法的概述開關(guān)穩(wěn)壓器
2018-11-27 16:40:24
的選定輸入電容器的選定總結(jié)DC/DC轉(zhuǎn)換器的基板布局DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB板布局概述降壓型轉(zhuǎn)換器工作時的電流路徑開關(guān)節(jié)點的振鈴輸入電容器和二極管的配置散熱孔的配置電感的配置輸出電容器的配置反饋路徑
2018-11-27 16:38:39
作用導(dǎo)致反向工作時的壓降降低呢？AO4459的一些特性如下：圖2：AO4459的二極管特性圖3：AO4459的傳輸特性VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在開通過程中溝道形成的臨界
2017-04-06 14:57:20
場效應(yīng)晶體管。拓撲如圖2所示采用諧振技術(shù)，利用變壓器的磁化電感（LM）和漏電感（LK）的諧振加上小的輸出電容（CO）來實現(xiàn)零電壓開關(guān)（ZVS），限制關(guān)閉電流，消除體二極管導(dǎo)通。圖2：高頻總線轉(zhuǎn)換器在高頻
2019-04-04 06:20:39
范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān)。2． 能夠在輸入電壓和負載大范圍變化的情況下調(diào)節(jié)輸出，同時開關(guān)頻率變化相對很小。3． 諧振變換器采用頻率控制，上下管的占空比各近似為50％．電路工作沒有偶次諧波分量，有好的EMI特性
2019-08-08 04:30:00
異步DC-DC轉(zhuǎn)換器中箝位二極管的正向壓降通常會產(chǎn)生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類似異步升壓型LED驅(qū)動器更高的輸出電流，特別是在低輸入電壓時。為了改善低輸入電壓時的工作性能，通過配置一
2019-09-25 13:58:43
，MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗，因此能夠在較高頻率下工作。對硬開關(guān)應(yīng)用而言，MOSFET寄生二極管的恢復(fù)特性可能是個缺點。相反，由于IGBT組合封裝內(nèi)的二極管與特定應(yīng)用匹配，極佳
2019-03-06 06:30:00
電路。在使用 MOSFET 設(shè)計開關(guān)電源時， 大部分人都會考慮 MOSFET 的導(dǎo)通電阻、 最大電壓、 最大電流。 但很多時候也僅僅考慮了這些因素， 這樣的電路也許可以正常工作， 但并不是一個好
2022-01-03 06:34:38
是ALTAIR05T-800，它是ALTAIR系列的第一個（全主傳感開關(guān)穩(wěn)壓器）。該IC在同一封裝中集成了高性能，低電壓PWM控制器芯片和800V，雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一種準諧振（QR）電流模式控制器IC，專為QR ZVS（零電壓開關(guān)）反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計
2020-08-12 08:43:59
針對降壓模式轉(zhuǎn)換器級（400V至12V）的理想拓撲為相移全橋 (PSFB)。這個拓撲可以在隔離變壓器的初級側(cè)上實現(xiàn)4個電子開關(guān)的零電壓切換 (ZVS)，以及次級側(cè)的二極管整流器（或MOSFET開關(guān)
2018-09-04 14:39:40
DC-DC 非隔離式穩(wěn)壓式Vicor 的降壓和降壓升壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器系列采用零電壓開關(guān) (ZVS) 拓撲結(jié)構(gòu)，既實現(xiàn)了高工作頻率，同時又將開關(guān)損耗降至最低，并最大程度地提高了能效。 憑借高開關(guān)
2018-08-21 10:43:35
和重量減少了 50%，LLC 轉(zhuǎn)換器（400 V / 16 A 輸出）的峰值效率接近 98.5%。由于 ZVS 產(chǎn)生的串?dāng)_要小得多，因此 SiC MOSFET 即使在沒有負偏置驅(qū)動電壓的情況下也可以可靠
2023-02-27 14:02:43
，用于控制 開關(guān)式DCDC轉(zhuǎn)換器。還有一種電路是使用齊納二極管或三端穩(wěn)壓器從某一高壓中產(chǎn)生所需電壓（同步降壓）。但是如果需要幾安培的大電流量，則需要一個開關(guān)穩(wěn)壓器來進行降壓。開關(guān)穩(wěn)壓器IC比預(yù)想中更易
2022-07-27 11:20:39
。能夠?qū)崿F(xiàn)更高功率密度的轉(zhuǎn)換器拓撲事實證明，得益于零電壓開關(guān)（ZVS）和無緩沖損耗，諸如有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器等半橋（HB）拓撲，即使在很高開關(guān)頻率下也能實現(xiàn)高能效
2022-04-12 11:07:51
。能夠?qū)崿F(xiàn)更高功率密度的轉(zhuǎn)換器拓撲事實證明，得益于零電壓開關(guān)（ZVS）和無緩沖損耗，諸如有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器等半橋（HB）拓撲，即使在很高開關(guān)頻率下也能實現(xiàn)高能效
2022-06-14 10:14:18
自己做一個DA轉(zhuǎn)換器 選擇模擬開關(guān)時沒找到集成類的模擬開關(guān)有沒有推薦的 型號？ （二選一DA 轉(zhuǎn)換我用的是倒T型電阻網(wǎng)絡(luò)的原理）
2018-12-08 16:17:16
OC5862歐創(chuàng)芯0.8A，60V 降壓型轉(zhuǎn)換器Q Q 289 271 5427OC5862 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5862 在 5.5-60V 寬輸入電源
2020-05-08 21:47:07
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開通延時、開通上升時間，關(guān)斷延時和關(guān)斷下降時間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來評估功率MOSFET的開關(guān)
2016-12-16 16:53:16
二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極加控制）（2）：說明功率 MOSFET 在門級控制下的反向?qū)?，也可用一電阻等效，該電阻與溫度
2018-10-25 16:11:27
異步DC-DC轉(zhuǎn)換器中箝位二極管的正向壓降通常會產(chǎn)生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類似異步升壓型LED驅(qū)動器更高的輸出電流，特別是在低輸入電壓時。為了改善低輸入電壓時的工作性能，通過配置一
2019-03-30 09:36:59
反激式轉(zhuǎn)換器工作原理圖1為一個最簡單的反激式轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)，并且包含以下寄生元件：如初級漏電感、MOSFET的寄生電容和次級二極管的結(jié)電容。 圖1包含寄生元件的反激式轉(zhuǎn)換器拓撲圖該拓撲源自一個升降
2018-10-10 20:44:59
降壓轉(zhuǎn)換器結(jié)合起來，與傳統(tǒng)降壓轉(zhuǎn)換器替代方案相比，最高可使DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸減小50%。這一性能提升得益于其能夠在不影響效率的前提下將開關(guān)頻率提高至3倍。換句話說，在相同頻率下工作
2018-10-23 11:46:22
。隨著這種拓撲結(jié)構(gòu)在應(yīng)用中越來越受歡迎，了解dv/dt電感導(dǎo)通問題變得越來越重要。在4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中，dv/dt電感導(dǎo)通是由同步整流MOSFET在降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2019-07-16 06:44:27
降壓轉(zhuǎn)換器結(jié)合起來，與傳統(tǒng)降壓轉(zhuǎn)換器替代方案相比，最高可使轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸減小50%。這一性能提升得益于其能夠在不影響效率的前提下將開關(guān)頻率提高至3倍。換句話說，在相同頻率下工作
2018-12-03 10:58:08
開關(guān)電源采用了全橋變換器結(jié)構(gòu)，使用MOSFET作為開關(guān)管來使用，參數(shù)為1000V/24A.采用移相ZVZCSPWM控制，即超前臂開關(guān)管實現(xiàn)ZVS、滯后臂開關(guān)管實現(xiàn)ZCS.電路結(jié)構(gòu)簡圖如圖1,VT1
2018-09-30 16:18:15
設(shè)計注意事項一個針對降壓模式轉(zhuǎn)換器級（400V至12V）的理想拓撲為相移全橋 (PSFB)。這個拓撲可以在隔離變壓器的初級側(cè)上實現(xiàn)4個電子開關(guān)的零電壓切換 (ZVS)，以及次級側(cè)的二極管整流器（或
2022-11-17 07:37:35
?！ LC 轉(zhuǎn)換器和二極管類型 LLC是一種常用拓撲，可為初級側(cè)橋晶體管提供零電壓開關(guān)，如圖1所示。它允許使用高開關(guān)頻率，同時保持出色的效率水平，因為初級MOSFET中的開關(guān)損耗最小。在次級側(cè)，輸出
2023-02-21 16:27:41
MOSFET的開關(guān)特性是什么D類MOSFET在射頻功放中的應(yīng)用MOSFET器件的維護和存儲
2021-04-22 07:08:48
在啟動期間，由于反向恢復(fù)dv/dt，零電壓開關(guān)運行可能會丟失并且MOSFET可能發(fā)生故障?！?b class="flag-6" style="color: red">在啟動之前諧振電容和輸出電容完全放電。這些空電容導(dǎo)致Q2體二極管進一步導(dǎo)通并且在Q1導(dǎo)通前不會完全恢復(fù)
2019-01-15 17:31:58
。 2. LLC 電路的特點 LLC 拓撲的以下特點使其廣泛的應(yīng)用于各種開關(guān)電源之中： 1. LLC 轉(zhuǎn)換器可以在寬負載范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān)?！ ?. 能夠在輸入電壓和負載大范圍變化的情況下調(diào)節(jié)輸出
2018-12-03 11:00:50
含量等。但這種轉(zhuǎn)換器的功率能力小于半橋或全橋拓撲結(jié)構(gòu)，且變壓器需要磁芯復(fù)位，使這種轉(zhuǎn)換器的最大占空比限制在約50%。此外，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）開關(guān)的漏電壓變化達輸入電壓的兩倍或更多
2021-12-13 10:00:51
輸出LLC轉(zhuǎn)換器，以進行效率和功率密度比較。初級晶體管選擇LLC具有多種優(yōu)勢，因為它具有完全諧振行為，允許在整個范圍內(nèi)進行軟開關(guān)導(dǎo)通，這本質(zhì)上有助于最大限度地減少功率晶體管和磁性元件的損耗。在圖2中
2023-02-27 09:37:29
一步提高可靠性。但高開關(guān)頻率會降低系統(tǒng)的工作效率，因此，設(shè)計時必須在開關(guān)頻率和工作效率之間作一些折衷處理。本文主要針對降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器在汽車電子系統(tǒng)中的應(yīng)用，探討包括上述問題在內(nèi)的一些
2008-09-19 14:37:22
接近ZCS關(guān)斷; (2) 當(dāng)工作在諧振點左面時，變換器工作在低于諧振頻率的升壓狀態(tài)，輸出二極管實現(xiàn)零電流ZCS關(guān)斷，開關(guān)管關(guān)斷瞬間主要存在勵磁電流的較小關(guān)斷損耗。該工作模式主要缺陷原邊勵磁電流有效值
2016-08-25 14:39:53
盡管MOSFET在開關(guān)電源、電機控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師對于MOSFET開關(guān)過程仍然有一些疑惑，本文先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷
2016-11-29 14:36:06
的占空比，并且初級側(cè)諧振電路和FET上的均方根（RMS）電流較低，這意味著更高的效率和以更高的開關(guān)頻率工作轉(zhuǎn)換器的能力。圖1 LLC-SRC為了實現(xiàn)ZVS，在FET的體二極管始終有一個電流導(dǎo)通的時間段內(nèi)
2020-08-02 10:32:31
無需任何外部支持電路的情況下實現(xiàn)高性能峰值電流模式控制，這在基于微控制器的設(shè)計中是獨具特色的功能。此設(shè)計能夠在寬負載范圍內(nèi)實現(xiàn)高效率，其峰值效率大于 95%，同時還在整個負載范圍內(nèi)支持 ZVS 開關(guān)
2022-09-19 07:42:55
在考慮轉(zhuǎn)換器的整體效率時，了解所有主要損耗機制非常重要，包括由二極管動態(tài)特性引起的損耗機制。研究表明，砷化鎵二極管中的低正向壓降、低電容和低/穩(wěn)定 Trr的組合為軟開關(guān)應(yīng)用（如相移全橋）提供了出色
2023-02-22 17:13:39
需要花時間了解它們的特性，以充分利用這一變化，同時還要了解它們的不同限制和故障模式。CoolSiC? 器件中體二極管的正向電壓是硅 MOSFET 的四倍。因此，LLC轉(zhuǎn)換器在輕負載下的效率可能會
2023-02-23 17:11:32
設(shè)計一個簡易的AD轉(zhuǎn)換器的采樣保持電路，要求采樣方波的上升沿采樣，高電平保持，低電平時歸零。該如何設(shè)計模擬開關(guān)呢？
2023-10-25 12:07:38
約略說明一下反激式轉(zhuǎn)換器的工作。電路使用PWM控制的反激式轉(zhuǎn)換器，連續(xù)模式工作。首先，MOSFET為ON時，與變壓器為反向極性，電流經(jīng)過變壓器初級繞組，蓄積電能。此時，二極管為OFF。其次
2018-11-27 17:00:29
重講述二極管的開關(guān)過程（也叫二極管的動態(tài)特性）及其帶來的影響。■ 任何開關(guān)器件的狀態(tài)切換并不是一蹴而就的，在這切換的期間發(fā)生了什么是工程師值得注意的地方。因為結(jié)電容的存在，二極管在零偏置、正向
2019-12-10 17:44:54
環(huán)路控制是開關(guān)電源設(shè)計的一個重要部分。文章前兩部分分別討論了以固定開關(guān)頻率運行的轉(zhuǎn)換器類型、獲取功率級動態(tài)響應(yīng)以及選擇交越頻率和相位裕度。本篇將主要探討開關(guān)電源相關(guān)設(shè)計示例。IV設(shè)計示例:穩(wěn)定交流
2021-04-11 07:00:00
請求各位大佬解釋下ZCS和ZVS軟開關(guān)的工作原理。為什么ZCS的話電流會變零為什么ZVS的話電壓會變零要是能附上電路圖解釋的話就最好不過了十分感謝
2021-06-04 13:08:08
設(shè)計工程師的追捧。但是… 這種拓撲卻對功率器件提出了新的要求?！ ?. LLC 電路的特點 LLC 拓撲的以下特點使其廣泛的應(yīng)用于各種開關(guān)電源之中： LLC 轉(zhuǎn)換器可以在寬負載范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān)
2018-10-22 15:23:49
通后，再開通，才能現(xiàn)零電壓軟開關(guān)ZVS工作，這也是所有零電壓ZVS軟開關(guān)工作的特性。（3）由于變壓器的匝比關(guān)系，以及次級繞組電感較小，實現(xiàn)主功率MOSFET管零電壓軟開關(guān)ZVS工作的輸出反灌電流的大小
2021-05-21 06:00:00
。隨著這種拓撲結(jié)構(gòu)在應(yīng)用中越來越受歡迎，了解dv/dt電感導(dǎo)通問題變得越來越重要。在4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中，dv/dt電感導(dǎo)通是由同步整流MOSFET在降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2018-10-30 09:05:44
有助于將晶體管保持在安全工作區(qū)域。圖3比較了恒流和折返限流兩種方案的VOUT與IOUT響應(yīng)曲線。與恒流限流相反，輸出電流(IOUT)的減小降低了功耗，從而降低了開關(guān)轉(zhuǎn)換器的熱應(yīng)力。圖3. 恒流和折返兩種
2018-10-23 11:46:36
本章特別對降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器的重要零件加以說明其電感和電容器的選定方法如何對性能或特性產(chǎn)生極大影響。為了深入理解，有必要知道降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器的基本工作和工作電流的流動，因此最初先重溫似地從
2018-12-05 10:06:24
轉(zhuǎn)換器，是在DC/DC轉(zhuǎn)換器中也使用的稱呼。只是雖然說法較多，但以往的標(biāo)準型降壓轉(zhuǎn)換器為二極管整流式（非同步式）的，因此存在習(xí)慣性地將二極管整流式的降壓轉(zhuǎn)換器稱為“降壓轉(zhuǎn)換器”的傾向。先不說稱呼了，降壓
2018-11-30 11:39:11
轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)。其中Vin是輸入電壓；S1是上開關(guān)管，用功率MOSFET實現(xiàn)，控制電路決定其導(dǎo)通和關(guān)斷；S2是下開關(guān)管，一般用MOSFET或肖特基二極管實現(xiàn)；L，C為濾波元件；R是負載電阻
2020-12-09 15:28:06
＝Ur為常數(shù)，在圖（b）中，給定電壓ur為一個階躍函數(shù)?！ D 單周期控制的Buck開關(guān)轉(zhuǎn)換器的工作波形 主開關(guān)管V導(dǎo)通時，積分器的輸出A上升；當(dāng)其峰值等于Ur時，V關(guān)斷，與此同時V1閉合；積分器
2010-03-26 09:54:42
為了減小輸出電容和電感的尺寸以節(jié)省印刷電路板（PCB）空間，越來越多的高輸入電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器在更高的開關(guān)頻率下工作。然而，隨著輸出電壓降至5V和更低，設(shè)計更快的開關(guān)高輸入電壓降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
2019-07-16 23:54:06
的占空比，并且初級側(cè)諧振電路和FET上的均方根（RMS）電流較低，這意味著更高的效率和以更高的開關(guān)頻率工作轉(zhuǎn)換器的能力。圖1 LLC-SRC為了實現(xiàn)ZVS，在FET的體二極管始終有一個電流導(dǎo)通的時間段內(nèi)
2022-05-11 10:17:28
的占空比，并且初級側(cè)諧振電路和FET上的均方根（RMS）電流較低，這意味著更高的效率和以更高的開關(guān)頻率工作轉(zhuǎn)換器的能力。圖1 LLC-SRC為了實現(xiàn)ZVS，在FET的體二極管始終有一個電流導(dǎo)通的時間段內(nèi)
2022-05-25 10:08:50
零電壓開關(guān)全橋轉(zhuǎn)換器設(shè)計降低元器件電壓應(yīng)力
很多電源管理應(yīng)用文章都介紹過采用 ZVS(零電壓開關(guān))技術(shù)實現(xiàn)無損轉(zhuǎn)換的優(yōu)勢。為了實現(xiàn) ZVT(零電壓轉(zhuǎn)換)，漏－源電
2009-11-03 09:03:33787 
為了使MOSFET整個開關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實現(xiàn)其在開通過程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或并聯(lián)的肖特基二極管先導(dǎo)通，然后續(xù)流的同步
2012-04-12 11:04:2359180 
將雙開關(guān)正向主電源轉(zhuǎn)換器及反激式待機電源轉(zhuǎn)換器與高壓功率MOSFET集成
2016-05-11 18:00:08
20 近幾年來，開關(guān)電源市場對高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動下，設(shè)計人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓撲。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結(jié)合的開關(guān)電源拓撲，能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關(guān)管在零壓開關(guān)（ZV
2017-12-10 11:36:550 近幾年來，開關(guān)電源市場對高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動下，設(shè)計人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓撲。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結(jié)合的開關(guān)電源拓撲，能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關(guān)管在零壓開關(guān)（ZVS）轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性。
2021-03-16 11:24:252358 
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 10:19:242518 
在下面的表格中，匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時，LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點。LLC轉(zhuǎn)換器通過部分諧振方式實現(xiàn)ZVS工作，部分諧振方式是使用激勵電流對MOSFET的輸出電容Coss進行充電和放電。這樣可以減少開關(guān)損耗，從而可以減小MOSFET封裝和散熱器的尺寸。
2023-02-13 09:30:12661 
在上一篇的圖2的區(qū)域（2）中，MOSFET導(dǎo)通時是ZVS工作，因此LLC轉(zhuǎn)換器通常在這個區(qū)域使用。圖3為區(qū)域（2）中的工作波形。Q1和Q2的漏極電流波形（ID_Q1、ID_Q2）表明在導(dǎo)通時是ZVS工作。
2023-02-13 09:30:13706 
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49622 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS2461開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器MOSFET英文手冊.pdf》資料免費下載
2023-08-29 16:19:151 功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識
2023-11-23 09:06:38407 
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