發(fā)展到以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代以及以氧化鎵、氮化鋁為代表的第四代半導(dǎo)體。目前以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體器件正發(fā)展得如火如荼，在商業(yè)化道路上高歌猛進(jìn)。 ? 與此同時，第四代半導(dǎo)體材料的研究也頻頻取得
2023-04-02 01:53:36
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氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是被國際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者，其禁帶寬度達(dá)到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，因為雜質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
如何預(yù)防氫氣泄漏？半導(dǎo)體氫氣傳感器TGS821特點是什么？半導(dǎo)體氫氣傳感器TGS821有哪些應(yīng)用？
2021-06-16 06:22:57
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運(yùn)動時，便會釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點是無運(yùn)動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
oxide)或濕氧層(wet /field oxide)，當(dāng)作電子組件電性絕緣或制程掩膜之用。氧化是半導(dǎo)體制程中，最干凈、單純的一種；這也是硅晶材料能夠取得優(yōu)勢的特性之一（他種半導(dǎo)體，如砷化鎵
2011-08-28 11:55:49
。 電機(jī)控制IC：爭奇斗艷 家用電器是中國最先推廣節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)及標(biāo)識的產(chǎn)品，家電電力消耗的主力是電機(jī)，電機(jī)的高效、節(jié)能成為大勢所趨，家電電機(jī)控制IC于是成為半導(dǎo)體企業(yè)的新熱點。目前用于電機(jī)控制的IC產(chǎn)品主要
2019-06-21 07:45:46
天線：MassiveMIMO和新材料將應(yīng)用5G封測：各大封測廠積極備戰(zhàn)5G芯片化合物半導(dǎo)體迎來新機(jī)遇電磁屏蔽、導(dǎo)熱材料獲得新市場空間
2020-12-30 06:01:41
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
電阻和氣體敏感膜。金電極連接氣敏材料的兩端，使其等效為一個阻值隨外部待測氣體濃度變化的電阻。由于金屬氧化物有很高的熱穩(wěn)定性，而且這種傳感器僅在半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生可逆氧化還原反應(yīng)，半導(dǎo)體內(nèi)部化學(xué)結(jié)構(gòu)不變
2012-08-29 15:40:48
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測試方法有很多種，其中四探針法具有設(shè)備簡單、操作方便、測量精度高以及對樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
，導(dǎo)電能力明顯改變。2. 本征半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件時用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺，它們原子核的最外層都 有4個價電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體
2017-07-28 10:17:42
，導(dǎo)電能力明顯改變。2. 本征半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件時用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺，它們原子核的最外層都 有4個價電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體
2018-02-11 09:49:21
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
這個樣子：但是后來金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ MOSFET ）的出現(xiàn)，以優(yōu)良的電學(xué)特性、超低的功耗橫掃IC領(lǐng)域。除了模擬電路中BJT還有身影外，基本上現(xiàn)在的集成電路都是由MOS管組成的了。同樣
2020-11-17 09:42:00
,新型,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),能源消耗,物質(zhì)資料,新能源,新挑戰(zhàn),礦物燃料【DOI】：CNKI:SUN:DLDI.0.2010-01-008【正文快照】：.新估計衰明.到2050年我們所搖要的能源可能會達(dá)到現(xiàn)有
2010-05-04 08:06:22
，體現(xiàn)了很好的選擇性，同時其零點漂移要比單一的N型半導(dǎo)體氣敏元件小得多。四、結(jié)論與展望 以SnO2等氧化物為敏感材料的微結(jié)構(gòu)氣敏傳感器已成為當(dāng)前甲烷氣敏傳感器研制開發(fā)的主流，并通過摻雜金屬、金屬陽離子
2018-10-24 14:21:10
GBT 14264-2009 半導(dǎo)體材料術(shù)語
2014-03-06 14:36:00
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
氧化物）中的高質(zhì)量電介質(zhì)。此外，在加工過程中，熱生長的氧化物可用作注入、擴(kuò)散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優(yōu)勢可歸因于這種高質(zhì)量原生氧化物的存在以及由此產(chǎn)生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
。 半導(dǎo)體器件制造中的硅片清洗應(yīng)用范圍很廣，例如 IC 預(yù)擴(kuò)散清洗、IC 柵極前清洗、IC 氧化物 CMP 清洗、硅后拋光清洗等。這些應(yīng)用一般包括以下基本工藝：1、去除有機(jī)雜質(zhì)2、去除金屬污染物3、去除
2021-07-06 09:36:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
使用這些納米線陣列，可以實現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線太陽能電池器件的影響，重點是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)CMOS技術(shù)半導(dǎo)體表面經(jīng)過各種處理步驟，其中添加了具有特定幾何圖案的雜質(zhì)和其他材料制造步驟按順序排列以形成充當(dāng)晶體管和互連的三維區(qū)域MOSFET 的簡化視圖CMOS工藝CMOS 工藝允許在
2021-07-09 10:26:01
半導(dǎo)體工業(yè)中運(yùn)用的多，這主要遭到二氧化硅的影響，可以在器件制造上構(gòu)成掩膜，可以進(jìn)步半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，利于自動化工業(yè)消費?！ 。?）無機(jī)合成物半導(dǎo)體。無機(jī)合成物主要是經(jīng)過單一元素構(gòu)成半導(dǎo)體資料，當(dāng)然
2020-03-26 15:40:25
半導(dǎo)體顧名思義是電導(dǎo)率介于絕緣體與導(dǎo)體之間的物質(zhì)，半導(dǎo)體氣體傳感器的敏感材料就這么一種物質(zhì)。在沒有外界干擾時(真空中)，半導(dǎo)體材料內(nèi)部有很多電子可以導(dǎo)電，很奇妙，在半導(dǎo)體在接觸空氣后會吸附氧，氧會
2015-12-01 14:26:44
我廠專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個電路，例如集成電路計算機(jī)處理器。劃刻并切割用于生產(chǎn)電子元件（如二極管
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
金屬氧化物H+選擇性電極作為玻璃電極的替代材料已引起了廣泛的關(guān)注，文獻(xiàn)報導(dǎo)的金屬氧化物pH電化學(xué)傳感器大部分是基于貴金屬氧化物電極，制備成本較貴，但W及其氧化物價格相對比校低。
2019-09-16 10:05:21
阻使這些材料成為高溫和高功率密度轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)的理想選擇 ［4］?！ 榱顺浞掷眠@些技術(shù)，重要的是通過傳導(dǎo)和開關(guān)損耗模型評估特定所需應(yīng)用的可用半導(dǎo)體器件。這是設(shè)計優(yōu)化開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器的強(qiáng)大
2023-02-21 16:01:16
先進(jìn)陶瓷材料又稱精密陶瓷材料，是指采用精制的高純、超細(xì)的無機(jī)化合物為原料及先進(jìn)的制備工藝技術(shù)制造出的性能優(yōu)異的產(chǎn)品。根據(jù)工程技術(shù)對產(chǎn)品使用性能的要求，制造的產(chǎn)品可以分別具有壓電、鐵電、導(dǎo)電、半導(dǎo)體
2021-03-29 11:42:24
器件的引腳形狀。有時為了器件與電路板的連接方便也需要彎曲引腳。在對器件進(jìn)行彎腳處理時必須注意以下幾點。2、夾緊彎腳時絕對不要固定或夾緊塑料封裝體，因為這樣很可能破壞器件引腳與塑料封裝體的結(jié)合部位
2008-08-12 08:46:34
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
單芯片互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）傳感器有哪幾種？它們分別有什么應(yīng)用以及特點？
2021-06-17 08:54:54
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
`我司專業(yè)生產(chǎn)制造半導(dǎo)體包裝材料。晶圓硅片盒及里面的填充材料一批及防靜電屏蔽袋。聯(lián)系方式：24632085`
2016-09-27 15:02:08
的市場占有率。未來隨著化合物半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)一步提升，在邏輯應(yīng)用方面取代傳統(tǒng)硅材料，從而等效延續(xù)摩爾定律成為了化合物半導(dǎo)體更為長遠(yuǎn)的發(fā)展趨勢。 作為化合物半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用市場，射頻器件市場經(jīng)歷了
2019-06-13 04:20:24
的半導(dǎo)體有熱敏電阻（如鈷、錳、鎳等的氧化物）、光敏電阻（如鎘、鉛等的硫化物與硒化物）。3、 在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量的某種雜質(zhì)后，它的導(dǎo)電能力就可增加幾十萬甚至幾百萬倍。例如在純硅中摻入百萬分之一的硼后
2016-10-07 22:07:14
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅（SiC）的市場前景隨著信息科技的飛速發(fā)展，我國對半導(dǎo)體需求越來越多，我國已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費國，半導(dǎo)體消費量占全球消費量的比重
2021-01-12 11:48:45
的一種最具有優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料.并且具有遠(yuǎn)大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸鋁等
2020-02-18 13:23:44
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應(yīng)用在技術(shù)成熟度曲線的位置，對我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
、PiN二極管和超結(jié)二極管；功率開關(guān)管主要包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)開關(guān)管（MOSFET）、結(jié)型場效應(yīng)開關(guān)管（JFET）、雙極型開關(guān)管（BJT）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO
2023-02-20 15:15:50
。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成
2016-11-27 22:34:51
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導(dǎo)體器件開和關(guān)的策略。
2020-10-29 09:08:19
產(chǎn)生的氫氣和氧氣量相應(yīng)增加。而以陽光加熱金屬氧化物，所產(chǎn)生的氫氣可以增加一倍。 三種金屬氧化物中，加熱釩酸鉍取得的效果最為明顯。研究人員推測加熱其他金屬氧化物可能同樣有效，后續(xù)研究將測試更多材料
2016-03-07 15:18:52
半導(dǎo)體生產(chǎn)用高純度原料高純氧化硼（Boron Oxide，B2O3 ）
2022-01-17 14:16:58
砂混合物經(jīng)過特殊處理后呈現(xiàn)細(xì)粉狀態(tài)。通過軟拋光可以獲得光滑的拋光表面。主要用途： -半導(dǎo)體晶體（硅等） 化合物半
2022-05-31 14:21:38
大多數(shù)實用氣敏傳感器是金屬氧化物半導(dǎo)體或金屬氧化物固體電解質(zhì)材料制作的．所以，把它們分為氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器和氧化物固體電解質(zhì)氣敏傳感器兩類．前者利用待測
2009-04-06 09:09:27
30 DU28120T射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V數(shù)字金屬氧化物半導(dǎo)體 射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V 數(shù)字
2022-11-29 10:41:01
討論了金屬氧化物半導(dǎo)體表面的氣2氣、氣2固反應(yīng)及其相應(yīng)的電子過程, 建立了分析氣敏作用機(jī)理的理論模型, 并提出了改進(jìn)傳感器性能的指導(dǎo)性意見。關(guān)鍵詞: 氣敏傳感器; 金
2009-07-02 09:52:2920 半導(dǎo)體氣敏傳感器有多種分類方法，主要一種是將其分為兩類—電導(dǎo)控制型氣敏傳感器和電壓控制氣敏傳感器。其中電導(dǎo)控制型一般以金屬氧化物半導(dǎo)體材料如SnO、ZnO、FeO系為基體
2009-11-23 14:03:5236 該HI-8585 and HI-8586 是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路，設(shè)計用于在8引腳封裝中直接驅(qū)動ARINC 429總線，兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產(chǎn)生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產(chǎn)品是根據(jù)ARINC 429總線規(guī)范設(shè)計的硅柵互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第十九節(jié):金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
4.3 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
結(jié)型場
2009-09-17 10:49:371050 
半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半
2010-03-04 10:28:035544 低維半導(dǎo)體材料, 低維半導(dǎo)體材料是什么意思
實際上這里說的低維半導(dǎo)體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，主要是不想
2010-03-04 10:31:425083 什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487106 什么是半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可
2010-03-04 10:36:173395 基于氧化物半導(dǎo)體的CMOS電路有望實現(xiàn)
東京工業(yè)大學(xué)教授細(xì)野秀雄研究室，利用一氧化錫（SnO）開發(fā)出了n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體，由此基于氧化物半
2010-03-13 09:42:57905 介紹 Detcon硫化氫氣體傳感器被設(shè)計用以監(jiān)視環(huán)境空氣中硫化氫氣體濃度，它的測量范圍從標(biāo)準(zhǔn)型的0-20/50/100PPM（可在工作現(xiàn)場調(diào)節(jié)）到高測量范圍型的1,000PPM。該產(chǎn)品采用固體氧化物半導(dǎo)體傳感技術(shù)。傳感器由兩片薄片組成：一片是加熱片，另一片是對硫化氫氣
2011-01-25 01:24:0643 本文將著重介紹氧化物無機(jī) 半導(dǎo)體材料 的光電化學(xué)研究領(lǐng)域的一些新進(jìn)展. 本文簡述了二氧化鈦薄膜、氧化鋅薄膜、ZnO/TiO 復(fù)合涂層、SnO2: F 薄膜的發(fā)展概況及應(yīng)用
2011-11-01 17:49:4847 寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2017-11-25 16:19:433885 
臺灣顯示器制造商中華映管（CPT）在Touch Taiwan臺灣觸控、面板暨光學(xué)膜展覽會上展出了采用Gen 4狹縫擠出涂布設(shè)備處理的涂覆iXsenic金屬氧化物半導(dǎo)體涂層的5.8 英寸LCD 顯示屏
2018-02-12 12:14:001228 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33119659 材料，如鍺硅（Ge-Si）、砷化鎵-磷化鎵（GaAs-GaP）等；玻璃半導(dǎo)體（又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體）材料，如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體等；有機(jī)半導(dǎo)體材料，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。
2018-11-26 16:13:4218574 半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。
2019-03-29 15:19:3315937 人工智能很可能成為半導(dǎo)體行業(yè)下一個十年增長周期的催化劑。
2019-04-29 16:09:585118 
本書系統(tǒng)地介紹了金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件和金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路的設(shè)計諸問題。全書共分六章。第一章為引言。第二章和第三章闡述了金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件的工作原理，推導(dǎo)出器件的基本方程并介紹
2021-03-21 11:04:3219 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計規(guī)則 ? 互補(bǔ)金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00248 
本文介紹了用μ-PCD方法對氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的遷移率和Vth漂移的評價結(jié)果。
2021-12-20 15:22:23855 
常見的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:084538 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164200 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體
2023-08-14 11:31:471207 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場要求的不斷提高，對于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對于半導(dǎo)體材料的測試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41262 
半導(dǎo)體材料是指在溫度較低且電流較小的條件下，電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用，如集成電路、太陽能電池、發(fā)光二極管等。其中，硅和二氧化硅是半導(dǎo)體材料中最常見的兩種
2024-01-17 15:25:12508 硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、鍺（Ge）等。其中，硅是最為常見和廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一，它具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和機(jī)械性能，因此硅材料具有廣泛的應(yīng)用前景。硅晶體的晶體結(jié)構(gòu)為鉆
2024-02-04 09:46:07458
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