MOSFET 對(duì)于現(xiàn)代模擬 IC 設(shè)計(jì)至關(guān)重要。然而，該文章主要關(guān)注 MOSFET 的大信號(hào)行為。
2024-01-19 18:25:12
1996 
海飛樂(lè)技術(shù)20V MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開(kāi)關(guān)用
2020-03-03 17:36:16
通時(shí)，IC1控制Q1導(dǎo)通，發(fā)熱芯開(kāi)始通電加熱，當(dāng)溫度到了設(shè)定溫度時(shí)，IC1控制Q1斷電，停止加熱，Q1相當(dāng)于電子開(kāi)關(guān)，發(fā)熱芯的電源由Q1來(lái)控制。四：常見(jiàn)問(wèn)題的處理 936烙鐵在接通電源后，控制板檢測(cè)溫控回路
2013-01-14 21:36:04
什么是MOSFET管？由哪幾部分組成？MOSFET的主要參數(shù)是什么？如何選型？
2022-02-23 06:57:53
MOSFET門(mén) 源極并聯(lián)電容后，開(kāi)關(guān)可靠性得到提升開(kāi)關(guān)電路如下圖電路解釋開(kāi)關(guān)電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開(kāi)關(guān)，當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時(shí)，開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通；2.電路中D3作用為鉗位Q1門(mén)源
2021-12-30 07:40:23
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號(hào)的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
獵芯網(wǎng)近期表示，芯片供應(yīng)商生產(chǎn)成本明顯上升，不少成本敏感的芯片報(bào)價(jià)已經(jīng)開(kāi)始往上漲，其中，2020年第3季就一再喊漲的LCD驅(qū)動(dòng)IC及MOSFET芯片價(jià)格應(yīng)該確定在第4季會(huì)調(diào)漲，且未來(lái)還會(huì)持續(xù)上升
2020-10-15 16:30:57
要選擇一個(gè)大概工作400hz,24電源的mosfet要怎么選擇型號(hào)
2018-12-04 10:10:09
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet選型什么參數(shù)優(yōu)先考慮？`
2019-10-29 16:30:15
設(shè)計(jì)所必要的“部件選定”相關(guān)信息的看圖方法，特別是開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器中重要的“輸出LC濾波器”和“相位補(bǔ)償”。?部件選定“電源IC技術(shù)規(guī)格的解讀方法：應(yīng)用電路例”一項(xiàng)已經(jīng)說(shuō)明，除了電路例之外，有些廠商或IC有時(shí)
2018-11-28 14:40:10
如前面的“ 降壓轉(zhuǎn)換器的基本工作及不連續(xù)模式和連續(xù)模式”中所述，在輸出功率較小的AC/DC降壓轉(zhuǎn)換器中較為普遍。下一章開(kāi)始將對(duì)組成該電路的主要元器件的選型和常數(shù)計(jì)算進(jìn)行解說(shuō)。關(guān)鍵要點(diǎn):?選擇滿足電源規(guī)格的電源IC是設(shè)計(jì)的開(kāi)始。?了解與隔離型的電路區(qū)別。
2018-11-27 17:04:05
PWM輸入變高時(shí)，高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器將通過(guò)從CBST中抽出電荷開(kāi)始打開(kāi)高壓側(cè)MOSFET，Q1當(dāng)Q1打開(kāi)時(shí)，SW引腳將上升到VIN，迫使BST引腳達(dá)到VIN+VC（BST），這是足以保持Q1打開(kāi)的門(mén)到源電壓
2020-07-21 15:49:18
和圖2分別給出了LLC諧振變換器的典型線路和工作波形。如圖1所示LLC轉(zhuǎn)換器包括兩個(gè)功率MOSFET（Q1和Q2），其占空比都為0.5；諧振電容Cr，副邊匝數(shù)相等的中心抽頭變壓器Tr，等效電感Lr，勵(lì)
2018-12-05 09:56:02
可能發(fā)生功率MOSFET的潛在失效。下圖給出了可能出現(xiàn)潛在器件失效的工作模式。在t0~t1時(shí)段，諧振電感電流Ir變?yōu)檎Ｓ捎?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET Q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，諧振電感電流流過(guò)MOSFET Q1 溝道。當(dāng)Ir開(kāi)始
2019-09-17 09:05:04
一、MOS管選型注重的參數(shù)1、負(fù)載電流IL?--它直接決定于MOSFET的輸出能力；2、輸入-輸出電壓–它受MOSFET負(fù)載占空比能力限制；3、開(kāi)關(guān)頻率FS–參數(shù)影響MOSFET開(kāi)關(guān)瞬間的耗散功率
2021-11-16 09:06:09
可以是AC-DC電源IC。前端IC的選型有幾點(diǎn)：1，輸出功率（供電負(fù)載能力）足夠滿足你的要求；2，腳位有帶FB腳，上拉電阻能固定用100K 方案推薦：車充快充方案：FP6601Q
2018-07-26 08:54:49
的設(shè)計(jì)案例 AC/DC 非隔離型降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例概要 何謂降壓轉(zhuǎn)換器－基本工作及不連續(xù)模式和續(xù)模式 電源IC的選擇和設(shè)計(jì)案例主要元器件的選型輸入電容器C1與VCC用電容器C2主要部件的選型電感 L1
2018-11-27 16:40:24
和設(shè)計(jì)案例主要元器件的選型輸入電容器C1與VCC用電容器C2主要部件的選型電感 L1電流檢測(cè)電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對(duì)策 實(shí)裝PCB板布局與總結(jié)使用SiC-MOSFET
2018-11-27 16:38:39
TB9045FNG是什么？TB9045FNG電源IC有哪些主要特性？TB9045FNG的主要規(guī)格是什么？
2021-07-09 06:09:44
cpu基本部件的選型存儲(chǔ)相關(guān)的部件數(shù)據(jù)預(yù)處理部件運(yùn)算部件數(shù)據(jù)通路選擇部件控制單元（控制器）1.存儲(chǔ)相關(guān)的部件（1）寄存器堆（組）讀數(shù)據(jù)（根據(jù)指令中的rs或rt）寫(xiě)數(shù)據(jù)（根據(jù)指令中的rt或rd）32個(gè)
2022-01-13 06:00:25
與地的電阻將設(shè)定PWM頻率。IC可以通過(guò)將ROSC引腳連接到外部MOSFET柵極與外部振蕩電阻之間，切換至恒定關(guān)斷時(shí)間 (PFM)工作模式;5、LED燈串和外部MOSFET開(kāi)關(guān)管Q1電流檢測(cè)電阻。如電流
2016-12-23 17:27:58
1 低壓降壓 IC 實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)的偏置電源圖 1 顯示一款解決占空比問(wèn)題的一個(gè)電路。恒定導(dǎo)通控制器 (U1) 驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓降壓功率級(jí)，其包含一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路 (Q2, Q3) 驅(qū)動(dòng)的 P 通道
2011-12-28 10:11:58
LLC轉(zhuǎn)換器包括兩個(gè)功率MOSFET（Q1和Q2），其占空比都為0.5；諧振電容Cr，副邊匝數(shù)相等的中心抽頭變壓器Tr，等效電感Lr，勵(lì)磁電感Lm，全波整流二極管D1和D2以及輸出電容Co。圖1 LLC
2021-08-23 09:23:12
下拉，此時(shí)為低電平，因此N溝道MOS管Q2處于關(guān)斷狀態(tài)，此時(shí)標(biāo)注點(diǎn)3的電壓由于電阻R14的上拉，此時(shí)為9V高電平，P溝道MOS管Q1處于關(guān)斷狀態(tài)，因此總電源SW_9V此時(shí)電壓為0V，整個(gè)系統(tǒng)處于斷電
2012-04-25 15:45:11
LM***-Q1的datasheet，在Vout=3.3V/2A的情況下，Vin最大只做了36Vdc，難道不能48vdc輸入么，而且輸出電流在0-1A的變化中，Vout變化幅度有點(diǎn)大啊，從3.34到3.28了，這個(gè)穩(wěn)壓效果不是很好啊，見(jiàn)下圖：
2019-07-24 12:56:53
為什么我的Labview 2023 Q1用Crack破解后依然需要激活？
運(yùn)行時(shí)如圖。
2023-11-12 11:20:27
電路原理：當(dāng)RP有光照時(shí)，RP阻值很小，Q1的B極電位很低（也可以這樣理解，RP阻值很小，Q1的B極接地），使Q1處于截止?fàn)顟B(tài)，Q1的C極處于高電位，即Q的B極處于高電位，使Q截止。困惑：當(dāng)RP有
2023-03-22 13:42:20
電流與柵極電荷成正比：QGATE = IGATE × tSW (1)其中，IGATE是隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC電流，tSW是MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間。對(duì)于≥150kW的牽引逆變器應(yīng)用，隔離柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)具有
2022-11-03 07:38:51
關(guān)于74HC164應(yīng)用，這種接法，開(kāi)關(guān)的頻率為多少？同1時(shí)刻，Q1和Q分別4輸出高電平還是低電平?
2019-09-06 10:35:19
簡(jiǎn)單可靠、損耗小。（5）根據(jù)情況施加隔離。下面介紹幾個(gè)模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。1、電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET圖1 IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式，同時(shí)
2019-02-21 06:30:00
—功率 MOSFET 的選型1 我的應(yīng)用該選擇哪種類型的 MOSFET？前面說(shuō)了，實(shí)際應(yīng)用主要使用增強(qiáng)型功率 MOSFET，但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢？如果你對(duì)這個(gè)問(wèn)題有疑問(wèn)，下面的圖
2019-11-17 08:00:00
設(shè)計(jì)一個(gè)電源系統(tǒng)的時(shí)候，已知條件有：輸入電壓范圍、輸出電壓/輸出電流、效率、工作頻率、驅(qū)動(dòng)電壓，當(dāng)然還有其他的技術(shù)指標(biāo)和功率MOSFET相關(guān)的主要是這些參數(shù)。步驟如下： （1）根據(jù)輸入電壓范圍、輸出電壓
2019-04-04 06:30:00
可控硅產(chǎn)品選型手冊(cè)2013Q1歡迎瀏覽下載：
2013-01-27 15:49:19
—功率 MOSFET 的選型1 我的應(yīng)用該選擇哪種類型的 MOSFET？前面說(shuō)了，實(shí)際應(yīng)用主要使用增強(qiáng)型功率 MOSFET，但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢？如果你對(duì)這個(gè)問(wèn)題有疑問(wèn)，下面的圖
2019-11-17 08:00:00
如何連接MOSFET和MOSFET的驅(qū)動(dòng)，還有MOSFET的驅(qū)動(dòng)如何選型
2016-04-24 18:05:56
常見(jiàn)常用開(kāi)關(guān)電源LED驅(qū)動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)調(diào)速鋰電保護(hù)板MOSFET產(chǎn)品選型表
2019-02-22 12:55:13
本文作為“主要部件的選型”的第二篇文章，將介紹在開(kāi)關(guān)電源中發(fā)揮著重要作用的電感的選型方法。電感：L1電感L1如右側(cè)電路圖所示，由輸出電容器C5和LC濾波器共同組成。L1電感值的設(shè)置要使設(shè)備在不連續(xù)
2018-11-27 16:53:22
結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠、損耗小。（5）根據(jù)情況施加隔離。下面介紹幾個(gè)模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。1、電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET圖 1 IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式
2017-01-09 18:00:06
[tr=transparent]R1右邊連接蓄電池，這個(gè)電路簡(jiǎn)單的給蓄電池充電。有個(gè)不明白的現(xiàn)象，請(qǐng)教大家：當(dāng)蓄電池沒(méi)接上時(shí)候，IRF_CON標(biāo)號(hào)低電平時(shí)候，Q1截至，Q1的D極電壓為0，當(dāng)蓄電池（26V）接入時(shí)候，為什么測(cè)Q1的D極有9V電壓？[/tr]
2018-04-17 22:00:02
百思不得其解。。求高手分析一下，這個(gè)電路接220V電，三極管Q1會(huì)立即炸掉，是什么原因造成的，該怎么解決？
2013-08-19 22:38:45
所示LLC轉(zhuǎn)換器包括兩個(gè)功率MOSFET（Q1和Q2），其占空比都為0.5;諧振電容Cr,副邊匝數(shù)相等的中心抽頭變壓器Tr,等效電感Lr,勵(lì)磁電感Lm,全波整流二極管D1和D2以及輸出電容Co。 圖
2018-12-03 11:00:50
端上的電壓將會(huì)下降。假負(fù)載會(huì)吸收大量電流。R1 上的電壓下降可用來(lái)檢測(cè)這一大量電流。Q1 導(dǎo)通并觸發(fā) OPP 電路。圖 2 3、有源并聯(lián)穩(wěn)壓器與假負(fù)載在線電壓 AC 到低壓 DC 的開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品領(lǐng)域
2021-08-05 07:00:00
電流的最大值為：Ic≈Iemax=（Vcc-Vces1）/RL考慮留有一定余量Icmax=Vcc/RL3、集電極最大功率在功率放大電路中，電源提供的功率，除了轉(zhuǎn)換輸出功率外，其余部分主要消耗在功率管Q1
2021-08-25 10:07:25
自己應(yīng)用的哪一款呢？ADI《RF和微波IC》最新選型指南來(lái)幫您。（附件） 最新版的《RF和微波IC[size=10.5000pt]》選型指南主要包括RF放大器、可變?cè)鲆娣糯笃?、衰減器、RF混頻器、I
2018-09-13 11:33:52
百思不得其解。。急，求高手分析一下，這個(gè)電路接220V電，三極管Q1會(huì)立即炸掉，是什么原因造成的，該怎么解決？
2013-08-19 22:41:19
，企業(yè)不斷發(fā)展壯大現(xiàn)由深圳總部，臺(tái)州辦事處，常州辦事處及中山辦事處組成，區(qū)域性布局增強(qiáng)了品牌影響力?，F(xiàn)我司主要致力于推廣銷售霍爾IC，電源管理，LED驅(qū)動(dòng)系列產(chǎn)品。電源系列主要產(chǎn)品包括電壓升降壓管理
2021-03-30 17:12:29
電機(jī)的電流為IO。此外，Q1～Q4的MOSFET在輸出段的H橋電路中。小信號(hào)部電路的功耗可以簡(jiǎn)單地通過(guò)Icc×Vcc來(lái)計(jì)算。H橋部分是高邊Q1和低邊Q4導(dǎo)通，IO從Vcc經(jīng)由Q1流向電機(jī)，并經(jīng)由Q
2021-11-12 07:00:00
本文是“主要部件的選型”的第三篇文章。在案例電路中，需要以限制開(kāi)關(guān)電流為主要目的的電流檢測(cè)電阻。電流檢測(cè)電阻的選型與上一篇“電感 L1”有著密切的關(guān)系。電流檢測(cè)電阻：R1右側(cè)電路圖為案例摘錄。從內(nèi)置
2018-11-27 16:52:46
電路圖如上，VCC_DDR電源為1.25V ，VCCIO_PMU為1.8V ，DDRIO_PWROFF的電平為3.3V。這樣能控制Q1導(dǎo)通給VCC_DDRC供電嗎？為什么Q1不用PMOS？
2018-07-05 16:08:24
電源的電磁噪聲及雜波信號(hào)進(jìn)行抑制，防止對(duì)電源干擾，同時(shí)也防止電源本身產(chǎn)生的高頻雜波對(duì)電網(wǎng)干擾。C3、C4 為安規(guī)電容，L2、L3 為差模電感。 ② R1、R2、R3、Z1、C6、Q1、Z2、R4、R5
2020-07-15 08:00:00
部件的選定－MOSFET相關(guān) 其1主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其2主要部件的選定－CIN和緩沖主要部件的選定－輸出整流器和Cout主要部件的選定－IC的VCC相關(guān)主要部件的選定－IC的設(shè)定、其他
2018-11-28 11:37:09
的保護(hù)功能啟動(dòng)等級(jí)或限流值等的部件。前文已經(jīng)說(shuō)明了其中幾項(xiàng)部件，接下來(lái)將說(shuō)明剩下的主要部件。VH引腳電阻 R1VH引腳是指IC搭載的啟動(dòng)電路（Starter）的電源引腳，引腳耐壓值為650V。輸入AC電源
2018-11-27 16:56:22
變壓器的設(shè)計(jì)結(jié)束，接下來(lái)是開(kāi)關(guān)元件，本節(jié)說(shuō)明MOSFET Q1的選定和相關(guān)電路構(gòu)成。最初，根據(jù)開(kāi)關(guān)電壓或電流等來(lái)選定MOSFET Q1。對(duì)此，本稿將說(shuō)明“主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其1
2018-11-27 16:58:28
在“主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其1”中選定MOSFET Q1，接下來(lái)將建構(gòu)MOSFET外圍的電路。首先，來(lái)重溫電路工作。以D4、R5、R6調(diào)整從IC的OUT（PWM輸出）端輸出的信號(hào)，讓
2018-11-27 16:58:07
本文將從設(shè)計(jì)角度首先對(duì)在設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述，本文中會(huì)涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計(jì)和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個(gè)新課題。因此，設(shè)計(jì)中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
這是網(wǎng)上的一個(gè)電路圖，解釋是說(shuō)如果C8漏電或輸出短路，則在起機(jī)瞬間，RT1的壓降增大，Q1導(dǎo)通從而使Q2沒(méi)有柵極電壓不導(dǎo)通，RT1進(jìn)而燒毀，保護(hù)后極電路。但我看不懂當(dāng)RT1壓降增大，是怎么使Q1導(dǎo)通的？Q1的b極電壓是如何大于e極電壓的？
2018-10-25 11:57:56
請(qǐng)分析上面電路圖原理？R3,J6,Q1起什么作用？可以省略嗎？
2021-05-22 13:52:02
請(qǐng)問(wèn)能否解釋一下TPS***參考設(shè)計(jì)中的Q1的用處？
2019-06-28 07:42:03
如圖這個(gè)Q1的發(fā)射極接的是一個(gè)RL電阻，如果我保證調(diào)節(jié)這個(gè)R1電位器使這個(gè)Q1的PN結(jié)供電電壓大于0.7V的時(shí)候，這個(gè)三極管在這種接法下能進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)嗎？《電子技術(shù)》書(shū)籍上說(shuō)三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)需
2019-07-17 04:36:08
如果不用Q1行不行啊，我是在網(wǎng)上看的原理圖，不明白這個(gè)Q1的作用，請(qǐng)幫解釋下，謝謝
2019-05-05 23:02:36
1，Q1 mos管GS電容放電回路是怎么樣的？2，初始上電，驅(qū)動(dòng)電路路徑是怎么樣的？經(jīng)R5 1MC6 103 ?3, mos管GS電容 充電路徑是怎么樣的
2018-10-23 11:05:56
機(jī)第一個(gè)開(kāi)關(guān)周期，上下管會(huì)同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)短暫的峰值電流Ids1 和Ids2. 由于MOSFET Q1開(kāi)通時(shí)會(huì)給下管Q2的輸出電容Coss充電，當(dāng)Vds為高電平時(shí)充電結(jié)束。而峰值電流Ids1和Ids2也
2019-02-20 06:30:00
車電零部件可靠性驗(yàn)證(AEC-Q)車用電子主要依據(jù)國(guó)際汽車電子協(xié)會(huì)(Automotive Electronics Council，簡(jiǎn)稱AEC)作為車規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，包括AEC-Q100(集成電路IC
2018-09-06 17:05:17
過(guò)流保護(hù)電路變成恒流電路了，為什么Q1發(fā)燙且一會(huì)就燒壞了，管子的耐壓和電流都?jí)?，為什么?huì)被燒？
2022-09-20 10:15:19
情況施加隔離。下面介紹幾個(gè)模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET圖1 IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式，同時(shí)也是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，使用這種
2019-09-25 07:30:00
2中概述的互補(bǔ)電路用于連接到正電源軌的“高側(cè)”負(fù)載，例如本例中所示的繼電器。圖2用于高端負(fù)載的互補(bǔ)電路。 請(qǐng)注意，Q1已被PNP晶體管取代，Q2現(xiàn)在是N溝道MOSFET。該電路以與上述類似的方式操作
2018-08-18 11:01:37
概述：PIC***-Q1是德州儀器公司出品的一款降壓－升壓開(kāi)關(guān)模式調(diào)節(jié)器。其規(guī)定的工作溫度范圍為-40℃～+125℃。TPIC***-Q1同時(shí)又是一款符合汽車電子標(biāo)準(zhǔn)的DC/DC電源管理IC。
2021-04-07 06:59:35
Power MOSFET IC主要應(yīng)用在功率電路終端輸出段，由于使用上必需面對(duì)各種嚴(yán)苛的動(dòng)作要求與環(huán)境考驗(yàn)，因此MOSFET IC經(jīng)常在使用中遭到破壞，有鑒于此本文要探討有關(guān)Power MOSFET IC使用上
2010-06-12 08:52:09
24 Power MOSFET IC 主要應(yīng)用在功率電路終端輸出段，由于使用上必需面對(duì)各種嚴(yán)苛的動(dòng)作要求與環(huán)境考驗(yàn)，因此MOSFET IC 經(jīng)常在使用中遭到破壞，有鑒于此本文要探討有關(guān)Power MOSFET IC 使用上的
2011-05-23 16:36:1573 鉦銘科LED驅(qū)動(dòng)電源IC芯片選型，型號(hào)齊全
2016-02-29 16:11:1557 LED IC無(wú)電源高壓線性恒流方案選型， 無(wú)(免)電源led驅(qū)動(dòng)ic芯片方案，IC轉(zhuǎn)換效率高，本身功耗較小，IC帶底部散熱器，可以快速將熱量傳遞到外殼。
2016-05-05 14:06:4226 AC-DC適配器、充電器電源IC芯片方案選型表，AC-DC開(kāi)關(guān)電源IC芯片，采用原邊反饋和次級(jí)反饋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，應(yīng)用于適配器、DVD和機(jī)頂盒電源供電。
2016-05-13 14:41:3155 主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路
2019-07-02 15:06:293454 MOSFET器件選型，你需要掌握的3大法則！
2019-07-02 14:45:526729 伸縮門(mén)穩(wěn)定控制的各種檢測(cè)用引腳所需部件的電源 IC?首先來(lái)看一下電源 IC BD7682FJ 檢測(cè)用引腳功能。BD7682FJ 通過(guò) FB 引腳，ZT 引腳，CS 引腳來(lái)監(jiān)測(cè)所需的位置(點(diǎn))，從而
2020-11-03 21:14:21644 WAYON維安MOSFET參數(shù)選型推廣與應(yīng)用
2021-10-27 16:03:3116 JSCJ長(zhǎng)晶長(zhǎng)電原廠MOSFET品選型表.pdf
2021-10-27 16:51:575 惠海半導(dǎo)體電源管理IC選型表
2022-08-20 09:35:1314 集成電路芯片：電源管理IC中的集成電路芯片是整個(gè)電源管理系統(tǒng)的核心部件，它包括控制器、PWM調(diào)制器、反饋電路、過(guò)載保護(hù)等功能，可以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定、可靠的電源管理。
2023-02-21 17:17:36410 本節(jié)要討論的問(wèn)題是，非同步或同步降壓型開(kāi)關(guān)控制器電源電路中，高邊和低邊MOSFET（或低邊續(xù)流二極管）該如何選型？
2023-06-26 15:01:111523 
MOSFET是電路中非常常見(jiàn)的元件，常用于信號(hào)開(kāi)關(guān)、功率開(kāi)關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多，應(yīng)用面廣，本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:44734 功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論