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本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。這種 SiC JFET 適用于任何需要高功率和快速開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用。然而，它特別適合用于音頻行業(yè)，在高端放大器中可以找到它。
簡(jiǎn)要總結(jié)
SJEP120R100A 是一種碳化硅 (SiC) 功率JFET，可正常關(guān)閉工作（參見(jiàn)圖 1）。它具有極快的開(kāi)關(guān)速度（即使在高達(dá) 150°C 的溫度下，也沒(méi)有尾電流），并且與標(biāo)準(zhǔn)集成電路完全兼容。使用簡(jiǎn)單的技術(shù)，它可以并行連接到其他設(shè)備。讓我們探索它的主要功能：
Rds(on)：0.08 歐姆（最大 0.1 歐姆）；
漏源阻斷電壓 (BVds)：1200 V；
連續(xù)漏極電流 (Tj=100° C)：17 A；
連續(xù)漏極電流 (Tj=150° C)：11 A；
脈沖漏極電流 (TC=25° C)：30 A；
短路耐受時(shí)間：50 uS；
功耗（TC=25°C）：114 W；
柵源電壓 (Vgs)：-10 V 至 +15 V；
工作和儲(chǔ)存溫度：-55° C 至 +150° C。
圖 1：JFET SJEP120R100A 及其引腳排列
在繼續(xù)進(jìn)行仿真之前，用戶(hù)必須首先在 Internet 上搜索組件的 SPICE 模型，然后可以直接在所選仿真器中使用該模型?；蛘撸梢允褂?a href="http://www.www27dydycom.cn/v/tag/796/" target="_blank">萬(wàn)用表和示波器直接在設(shè)備上進(jìn)行測(cè)量。
.subckt SJEP120R100 DGS
.param R=530m ; R_gate
Rg G Gi {R} tc=-3m
Rd D Di 70m tc=8m 10u
Csd S Di 3p
Cgd G Di 43p
吉帝吉S SJEP120R100
.model SJEP120R100 njf
+ Vto=1 貝塔=10.5 B=1
+ Lambda=2m Vk=2k 阿爾法=20u
+ 是=1f N=3.4
+ Isr=1n Nr=6.8
+ Cgd=1n Cgs=755p Pb=2.6 M=0.8
+ Kf=100f Af=1
+ VtoTC=-2m BetaTCe=-0.6 Xti=86
. 結(jié)束 SJEP120R100
Rds （開(kāi)）
這很可能是設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)要考慮的最重要因素之一。它是元件在飽和狀態(tài)下為漏極和源極之間的電流流動(dòng)提供的電阻。因此，在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，Rds (on)電阻是計(jì)算傳導(dǎo)損耗的重要指標(biāo)。開(kāi)關(guān)器件的漏源電壓在關(guān)斷時(shí)非常高，但在導(dǎo)通時(shí)下降到幾百毫伏。因此，隨著相對(duì)散熱量的減少，當(dāng)這個(gè)數(shù)字盡可能低時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)最佳效率。然而，即使新技術(shù)大大降低了這個(gè)值，仍然需要最低水平的阻力。即使是最好的銅線或銀線也不具有零電阻。在計(jì)算電阻 Rds (on)之前，漏極電流并且必須在靜態(tài)狀態(tài)下測(cè)量漏源電壓以獲得廣義結(jié)果（on）。為了進(jìn)行一些測(cè)量，圖 2 顯示了設(shè)備飽和的通用接線圖。它由以下元素組成：
V1：主電源電壓200V；
V2：“柵極”驅(qū)動(dòng)電壓 15 V；
J1：JFET SJEP120R100A；
R1：25 歐姆電阻負(fù)載。
所有這些數(shù)據(jù)均來(lái)自組件的官方數(shù)據(jù)表中的“絕對(duì)最大額定值”值。當(dāng)電路被激活時(shí)，巨大的電流從漏極流向源極，導(dǎo)致以下結(jié)果：
7.97 A 的漏極電流；
漏源電壓為 807.7 mV；
設(shè)備耗散僅為 6.47 W；
1587 W 負(fù)載耗散（這是完全正常的）；
在這種情況下，靜態(tài)效率為 99.6%，這意味著所有電池電量都被負(fù)載有利地使用，而沒(méi)有大量損失。
圖 2：靜態(tài)狀態(tài)下的接線圖
這個(gè)結(jié)果完全符合官方數(shù)據(jù)表中的規(guī)格。
此值可能會(huì)因其他因素而顯著變化。第一個(gè)依賴(lài)項(xiàng)指出，Rds (on)?隨著柵極電壓的增加而降低，但明顯在制造商的規(guī)格范圍內(nèi)。當(dāng)柵極電壓升得太高時(shí)，組件的可靠性會(huì)受到影響（參見(jiàn)圖 3中的圖表）。
圖 3：Rds(on) 電阻與柵極電壓的關(guān)系圖
圖 4：Rds(on) 電阻與結(jié)溫的函數(shù)關(guān)系圖
在第二個(gè)相關(guān)性中，Rds (on)隨著結(jié)溫的增加而增加。高溫是電子設(shè)計(jì)師的大敵，尤其是在大功率領(lǐng)域。出于這個(gè)原因，在組件過(guò)熱的情況下，始終建議應(yīng)用被動(dòng)和主動(dòng)散熱器。如圖4所示， Rds (on)值通常包括在相同的工作環(huán)境和輸出端施加的負(fù)載下的以下值：
-50°C：0.0510536 歐姆；
-40°C：0.056689 歐姆；
-30°C：0.0625714 歐姆；
-20°C：0.0687101 歐姆；
-10°C：0.0751157 歐姆；
0°C：0.0818013歐姆；
10°C：0.0887818歐姆；
20°C：0.0960751歐姆；
30°C：0.103702 歐姆；
40°C：0.111686 歐姆；
50°C：0.120058歐姆；
60°C：0.128852歐姆；
70°C：0.13811 歐姆；
80°C：0.147887歐姆；
90°C：0.15825歐姆；
100°C：0.169286 歐姆；
110°C：0.181111歐姆；
120°C：0.193885歐姆；
130°C：0.207841歐姆；
140°C：0.223336歐姆；
150°C：0.240983 歐姆。
該圖形完全符合制造商數(shù)據(jù)表的規(guī)格。第三個(gè)相關(guān)性，如圖 5 所示，表明 Rds (on)對(duì)漏極上的電流不敏感，除非在極低的負(fù)載水平下，器件在關(guān)鍵區(qū)域工作。
圖 5：電阻 Rds(on) 與施加到漏極的負(fù)載的關(guān)系圖
SiC器件速度
SiC 器件的真正性能是由它提供的，尤其是在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，它必須執(zhí)行艱苦的工作才能以快速開(kāi)關(guān)速率傳輸大量能量。SiC 器件與其直接前身有很大不同，特別是在高開(kāi)關(guān)速度方面。因此，它們之前必須有高質(zhì)量的驅(qū)動(dòng)器條款，為它們提供必要的激活電壓和電流，以及完全平滑的方形和矩形信號(hào)。在低開(kāi)關(guān)速率下（參見(jiàn)圖 6 中的圖表），這些組件顯然不會(huì)引起任何問(wèn)題，并且負(fù)載上的電流準(zhǔn)確地跟隨柵極上的驅(qū)動(dòng)信號(hào)同相。
當(dāng)運(yùn)行速度繼續(xù)增長(zhǎng)時(shí)，負(fù)載上的電流不再能夠完全跟隨柵極上的信號(hào)，原因有多種，包括：
柵極電阻增加；
門(mén)的容抗上升到不可接受的水平；
開(kāi)啟延遲、上升時(shí)間、關(guān)閉延遲和下降時(shí)間參數(shù)越來(lái)越高。
因此，在高運(yùn)行速度下，負(fù)載上存在的電流“拐點(diǎn)”在上升沿，最重要的是在下降沿變得明顯。在這些情況下，當(dāng)大量電壓和電流值重疊時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗變得無(wú)法忍受，從而增加了作為無(wú)用熱量浪費(fèi)的功率。
圖 6：SiC 器件的開(kāi)關(guān)速度對(duì)組件性能有重大影響。
結(jié)論
所有上述測(cè)量表明，在使用 SiC 器件進(jìn)行開(kāi)關(guān)之前，設(shè)計(jì)人員應(yīng)檢查電力電子系統(tǒng)的操作要求，并直接考慮制造商數(shù)據(jù)表上的組件規(guī)格。這是設(shè)計(jì)人員確保他們選擇最佳設(shè)備的唯一方法。
審核編輯：湯梓紅
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論