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MOS管的參數(shù)介紹

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MOS管的相關(guān)參數(shù)

MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多,以MOS管VBZM7N60為例,下面一起來看一看,MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。
2023-09-27 10:12:49854

100V 3A MOS 替代SI2328DS介紹

惠海半導(dǎo)體 供應(yīng) 100V 3A MOS 替代SI2328DS,mos原廠,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷100V MOS 參數(shù):100V 3ASOT-23MOS/場(chǎng)效應(yīng)品牌:惠海半導(dǎo)體
2020-11-20 13:54:17

100V MOS推薦 100V SOT-89香薰機(jī)MOS

深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 100V MOS推薦 100V SOT-89香薰機(jī)MOS,HN0801,HN03N10D,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷HN0801 參數(shù):100V MOS100V 8A
2021-05-08 15:10:13

MOS25N120-ASEMI是什么

編輯-ZMOS25N120廣泛應(yīng)用于各種電路中,MOS的形狀類似于三極、晶閘管、三端穩(wěn)壓器、IGBT,所以大家有時(shí)分不清MOS是什么,下面我以MOS25N120為例給大家做個(gè)詳細(xì)的介紹
2021-10-30 15:41:50

MOS25N120參數(shù),ASEMI場(chǎng)效應(yīng)25N120應(yīng)用

。25N120是NPT溝槽技術(shù)、正溫度系數(shù),有極強(qiáng)的雪崩能力,該器件非常適合諧振或軟開關(guān)應(yīng)用如感應(yīng)加熱、微波爐等 以上就是關(guān)于MOS25N120參數(shù),ASEMI場(chǎng)效應(yīng)25N120應(yīng)用的詳細(xì)介紹。強(qiáng)元芯電子
2021-12-18 16:10:55

MOS參數(shù)介紹

我們打開一個(gè)MOS的SPEC,會(huì)有很多電氣參數(shù),今天說一說熱阻、電容和開關(guān)時(shí)間這三個(gè)。
2021-01-26 07:48:11

MOS參數(shù)的相關(guān)測(cè)試

求助:請(qǐng)問一下大家對(duì)于MOS參數(shù)的測(cè)試工裝有沒有了解的?。?/div>
2019-04-10 17:35:38

MOSGD短路問題的請(qǐng)教

如圖,請(qǐng)問一下,如果C1被短路,也就是MOS的GD短路,最終會(huì)擊穿MOS,使MOS三個(gè)極都導(dǎo)通嗎?其中VCC是13V
2018-02-02 09:59:30

MOS主要參數(shù)

MOS主要參數(shù)MOS主要參數(shù):1.開啟電壓VT  ·開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;  ·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS,VT約為3~6V;  ·通過工藝上
2012-08-15 21:08:49

MOS主要參數(shù)及使用注意事項(xiàng)(摘抄)

MOS主要參數(shù)及使用注意事項(xiàng)
2018-03-06 17:12:25

MOS作為開關(guān)的使用講解

的是MOS作為開關(guān)的使用。對(duì)于MOS的選型,注意4個(gè)參數(shù):漏源電壓(D、S兩端承受的電壓)、工作電流(經(jīng)過MOS的電路)、開啟電壓(讓MOS導(dǎo)通的G、S電壓)、工作頻率(最大的開關(guān)頻率
2021-10-28 07:46:04

MOS使用問題

有誰用過IRLML6401,接法如下圖,但是mos不能導(dǎo)通是什么原因?
2015-12-18 11:19:37

MOS具有哪些特性功能應(yīng)用?

MOS種類和結(jié)構(gòu)MOS導(dǎo)通特性MOS驅(qū)動(dòng)及應(yīng)用電路
2021-04-21 06:02:10

MOS發(fā)熱的原因,它的原理是什么?

只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此,我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員最關(guān)心的是MOS的最小傳導(dǎo)損耗?! ∥覀兘?jīng)常看MOS的PDF參數(shù),MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,對(duì)開關(guān)應(yīng)用來說,RDS
2018-10-31 13:59:26

MOS寄生參數(shù)對(duì)雙閉環(huán)升降壓斬波電路的影響

MOS中 寄生電阻、電感、電容過大過小可能對(duì)雙閉環(huán)電路產(chǎn)生的短路/短路故障,根據(jù)輸出的電壓波形做具體的分析判斷,可以倒推出MOS中具體哪部分出的問題附件中列出了可能的故障類型,是否可以調(diào)節(jié)具體的參數(shù)來實(shí)現(xiàn)? 謝謝
2020-05-23 23:48:06

MOS導(dǎo)通電阻問題

我在網(wǎng)上一些帖子上面看到,MOS導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子,這是因?yàn)榫€性區(qū)的ID電流較大,同時(shí)RDS也較大,功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè),上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的,這個(gè)也算是電阻大嘛?這不是與上面的介紹想矛盾嗎?另外,MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢?
2018-10-25 11:14:39

MOS并聯(lián)均流技術(shù)分析

不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos的問題。并聯(lián)mos的兩大問題,其一就是mos的選型,其二就是mos參數(shù)的篩選。首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買的IRF4905型PMOS。從圖中可見此PMOS
2015-07-24 14:24:26

MOS應(yīng)用概述(四):基本參數(shù)

mos的基本參數(shù),大家熟悉的必然是Ids電流,Ron導(dǎo)通電阻,Vgs的閾值電壓,Cgs、Cgd、Cds這幾項(xiàng),然而在高速應(yīng)用中,開關(guān)速度這個(gè)指標(biāo)比較重要。上圖四項(xiàng)指標(biāo),第一項(xiàng)是導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間,第二項(xiàng)
2018-12-05 14:15:27

MOS開關(guān)電路特性及判斷使用-KIA MOS

數(shù)字電路中MOS常被用來作開關(guān),所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中,根據(jù)構(gòu)成和導(dǎo)通特性可分為四類MOS:g被稱為柵極,d為漏極,s為源極,B為襯底,在實(shí)際生產(chǎn)中,襯底與源極相連,所以MOS
2019-01-28 15:44:35

MOS開關(guān)速度的相關(guān)參數(shù)有哪些

1、首先看一個(gè)普通SOT-23封裝mos的開關(guān)參數(shù)Qg表示MOS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極需要的總的電荷量,這個(gè)參數(shù)直接反應(yīng)mos的開關(guān)速度,越小的話MOS的開關(guān)速度就越快。
2021-10-29 08:10:05

MOS是怎么工作的?

MOS的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS的工作機(jī)制MOS的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47

MOS正確選擇的步驟介紹

件?! 〉谒牟剑簺Q定開關(guān)性能  選擇MOS的最后一步是決定MOS的開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗,因?yàn)樵诿看?/div>
2020-07-10 14:54:36

MOS電路邏輯及MOS參數(shù)

揭秘mos電路邏輯及mos參數(shù)  1.開啟電壓VT  開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS,VT約為3~6V;·通過工藝上的改進(jìn)
2018-11-20 14:06:31

MOS電路邏輯及MOS參數(shù)

跨導(dǎo)。gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力,是表征MOS放大能力的一個(gè)重要參數(shù)。一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)?! ?.導(dǎo)通電阻RON  導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響,是漏極特性某一
2018-11-20 14:10:23

MOS的ID與極限參數(shù)介紹

[*附件:MOS的ID與極限參數(shù)介紹.pdf]()歡迎咨詢,謝謝。
2023-04-03 13:36:59

MOS的基礎(chǔ)知識(shí)/主要參數(shù)/應(yīng)用電路

擊穿,進(jìn)而保護(hù)MOS;對(duì)于高速開關(guān)場(chǎng)合,寄生二極由于開通速度慢,導(dǎo)致反向后無法迅速開通,進(jìn)而損壞MOS,因此需要在外部并聯(lián)一個(gè)快恢復(fù)或肖特基二極?! ?.MOS的主要參數(shù)    IRF3205
2021-01-20 16:20:24

MOS的應(yīng)用是什么

件的搭配,本文就針對(duì)筆者在實(shí)際工作中的關(guān)于 MOS (三極)的應(yīng)用做一些整理。本文所介紹的功能,使用三極也是可以的,但是實(shí)際應(yīng)用中,多使用 MOS ,故本文多以 MOS 進(jìn)行說明。2. 應(yīng)用2.1 NMOS 開關(guān)控制如圖,通過 NMOS 的開關(guān)作用,完成對(duì) LED 的亮滅控制。此時(shí)
2021-11-11 08:02:38

MOS的開關(guān)損耗和自身那些參數(shù)有關(guān)?

本帖最后由 小小的大太陽(yáng) 于 2017-5-31 10:06 編輯 MOS的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds,而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān),與MOS的結(jié)電容,輸入電容,輸出電容都有關(guān)系吧?具體的關(guān)系是什么?有沒有具體計(jì)算開關(guān)損耗的公式?
2017-05-31 10:04:51

MOS的開通/關(guān)斷原理

MOS的開通/關(guān)斷原理
2021-03-04 08:28:49

MOS的構(gòu)造/工作原理/特性

什么是MOSMOS的構(gòu)造MOS的工作原理MOS的特性MOS的電壓極性和符號(hào)規(guī)則MOS和晶體三極相比的重要特性什么是灌流電路
2021-01-06 07:20:29

MOS的柵極電流怎么估算

張飛電子第四部,MOS不像三極的BE有固定壓降,所以不知道怎么計(jì)算。運(yùn)放那邊輸出開路時(shí),MOS導(dǎo)通,具體是怎么工作的。1、剛開始,三極基極電流怎么算,可以用15/(7.5K+2K)估計(jì)
2021-04-27 12:03:09

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MOS的漏電流是什么意思?MOS的漏電流主要有什么組成?
2021-09-28 07:41:51

MOS的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)開關(guān)電源考慮的因素

  MOS因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。而MOS的驅(qū)動(dòng)常常根據(jù)電源IC和MOS參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOS設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí),大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻、最大
2022-01-03 06:54:52

MOS種類和結(jié)構(gòu)

**。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS。下面的介紹中,也多以NMOS為主?! ?b class="flag-6" style="color: red">MOS的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需要的,而是由于**工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在
2019-02-14 11:35:54

MOS耐流討論

相當(dāng)于與一個(gè)0.1歐姆電阻并聯(lián)放電,瞬間電流從200多A降到幾毫安,mos關(guān)于電流的參數(shù)主要有兩個(gè),持續(xù)工作最大電流IDM,最大單次脈沖電流IDM,這兩個(gè)都不太適合來評(píng)價(jià)我的這種用法是否可行,不知道
2018-11-21 14:47:12

MOS選型型號(hào)及重視六大要點(diǎn)-KIA MOS

環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。根據(jù)這個(gè)方程可解出系統(tǒng)的最大功率耗散,即按定義相等于I2×RDS(ON)。第四步:決定開關(guān)性能選擇MOS的最后一步是決定MOS的開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多,但
2019-01-11 16:25:46

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一、MOS選型注重的參數(shù)1、負(fù)載電流IL?--它直接決定于MOSFET的輸出能力;2、輸入-輸出電壓–它受MOSFET負(fù)載占空比能力限制;3、開關(guān)頻率FS–參數(shù)影響MOSFET開關(guān)瞬間的耗散功率
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三極選型要看功率結(jié)合進(jìn)行選型,那么MOS需要結(jié)合功率選型嗎?看了很多MOS選型,就是考慮VDS ,VGS, 等效電阻,損耗,結(jié)溫,就是沒有考慮MOS的功率,請(qǐng)問MOS選型是不是可以自動(dòng)忽略功率這項(xiàng)參數(shù),我用的是AO3400驅(qū)動(dòng)150mA的電機(jī)。有老哥知道不,請(qǐng)解答下。
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MOS電性參數(shù):6A 600V芯片材質(zhì):GPP連續(xù)二極正向電流(IS):6A脈沖二極正向電流(ISM):24A二極正向電壓(VSD):1.4V柵極漏電流(IDSS):1uA反向恢復(fù)時(shí)間(trr
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一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù);比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,以及最大的結(jié)溫。第四步:決定開關(guān)性能選擇MOS的最后一步是決定MOS的開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極
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設(shè)計(jì)一個(gè)mos作為負(fù)載的電池放電器,如何控制mos的開關(guān)特性,Vgs又如何控制
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2018-10-25 14:40:18

反激變換器MOS的耐壓性能的問題

MOS電壓應(yīng)力部分的能量;第二種說下自己的理解,路過的大佬幫忙看看是否正確;先根據(jù)下圖和自己電路的參數(shù)求取結(jié)溫再根據(jù)結(jié)溫與擊穿電壓點(diǎn)的關(guān)系求取Vds擊穿電壓
2018-12-21 10:46:27

合適的mos和外圍電路

兩個(gè)mos,第一個(gè)MOS柵極接單片機(jī)io口,通過io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos通斷,開關(guān)頻率要求不高,對(duì)開關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求,開關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小,有沒有推薦的電路圖和MOS,圖片是我畫的簡(jiǎn)單示意圖
2018-10-16 22:40:53

如何修改MOS參數(shù)

MOS參數(shù)如何查看,以及如何修改參數(shù),如寬長(zhǎng)比?ORCAD謝謝
2013-05-12 12:41:29

如何去選擇新MOS來提高產(chǎn)品效能?

如何去選擇新MOS來提高產(chǎn)品效能?選擇新的MOS要考慮哪些參數(shù)
2021-06-08 07:09:13

如何識(shí)別MOS和IGBT?

電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常??墒?b class="flag-6" style="color: red">MOS和IGBT由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很,有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS和IGBT可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清
2019-05-02 22:43:32

如圖中的可調(diào)電源 將Q改成MOS

本帖最后由 hrbcw 于 2014-1-8 11:36 編輯 如下圖中的可調(diào)電源:1. 如何將Q改成MOS,要并聯(lián)幾個(gè)MOS,要修改那些電路。2.如果能改的話用什么MOS 或什么參數(shù)
2014-01-07 18:50:06

對(duì)MOS的基本講解

是采用普通的萬用表來判斷三極或者二極的好壞,雖然對(duì)所判斷的三極或二極的電氣參數(shù)沒法確認(rèn),但是只要方法正確對(duì)于確認(rèn)晶體三極的“好”與“壞”還是沒有問題的。同樣MOS也可以應(yīng)用萬用表來判斷其
2018-10-25 16:36:05

影響MOS使用性能的因素

。影響MOS質(zhì)量高低的參數(shù)非常多,像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無法標(biāo)注這么多參數(shù),所以在MOS表面一般只標(biāo)注了產(chǎn)品的型號(hào)。  還要說明的是,溫度也是MOS一個(gè)非常重要的性能參數(shù)。主要包括環(huán)境溫度
2018-12-28 11:54:50

挖掘MOS驅(qū)動(dòng)電路秘密

開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS。下面的介紹中,也多以NMOS為主。  MOS的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需要的,而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)
2018-10-18 18:15:23

揭秘MOSMOS驅(qū)動(dòng)電路之間的聯(lián)系

是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?! ∠旅媸俏覍?duì)MOSMOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料。包括MOS介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?! OSFETFET
2018-12-03 14:43:36

MOS的電路仿真時(shí),怎么才能找到MOS的波形圖

MOS的電路仿真時(shí),怎么才能找到MOS的波形圖
2011-12-27 17:41:18

淺析MOS的電壓特性

?! ⊥ㄟ^上述對(duì)MOS電壓特性的介紹,相信大家明白了MOS的電壓特性,方便大家在熟悉其特性以后在更合理的選擇和使用MOS。``
2018-10-19 16:21:14

淺析MOS驅(qū)動(dòng)電路的奧秘

和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS。下面在立深鑫的介紹中,也多以NMOS為主。  MOS的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需要的,而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇
2018-10-26 14:32:12

積分電路中MOS是干嘛用的呢,還有C29的參數(shù)是根據(jù)什么來選的?

這個(gè)積分電路中MOS是干嘛用的呢,還有C29的參數(shù)是根據(jù)什么來選的?
2018-07-27 09:27:09

詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路

正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。下面是我對(duì)MOSMOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,并非原創(chuàng)。包括MOS介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。MOSFETFET的一種(另一種是JEFT),可以被制造成
2017-12-05 09:32:00

詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路

的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。下面是我對(duì)MOSMOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,并非原創(chuàng)。包括MOS介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。MOSFETFET的一種(另一種是JEFT
2017-08-15 21:05:01

請(qǐng)教MOS的保護(hù).

請(qǐng)教各位老師,我的MOS經(jīng)常擊穿,是怎么回事.如何保護(hù).MOSVDS為60V,ID=60A.負(fù)載為24V150W燈.驅(qū)動(dòng)脈沖100HZ.請(qǐng)看圖片.謝謝!!!
2013-10-24 08:47:33

請(qǐng)教個(gè)MOS與繼電器選型的問題

1、開關(guān)電源輸出DC 30V,開關(guān)電源的輸出接MOS對(duì)電源進(jìn)行開關(guān)控制,請(qǐng)問MOS的VDS電壓根據(jù)什么來選擇?比如VDS=100V?200V?2、繼電器切換11A左右的DC直流負(fù)載,選擇
2018-05-25 17:49:22

請(qǐng)問DLPA3005D內(nèi)部集成了mos,為什么要用外置mos?

請(qǐng)問高手,DLPA3005D內(nèi)部集成了mos,為什么要用外置mos?是因?yàn)閮?nèi)置mos的電流小嗎?如果是的話,能給出一個(gè)參數(shù)嗎?比如電流有多少。我看資料上好像沒提。
2019-02-13 07:42:42

請(qǐng)問選擇這個(gè)MOS需要關(guān)注哪些參數(shù)?

有一道題,現(xiàn)在需要用一顆MOS來控制閃光燈,要求閃光的時(shí)間盡可能的短,對(duì)于這顆MOS的選型,你會(huì)關(guān)注哪些參數(shù)?求指教謝謝!
2019-07-03 04:36:03

這個(gè)積分電路中MOS是干嘛用的呢,還有C29的參數(shù)是根據(jù)什么來選的?

這個(gè)積分電路中MOS是干嘛用的呢,還有C29的參數(shù)是根據(jù)什么來選的?
2018-07-26 11:45:09

高效電源是如何選擇合適MOS

在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中,MOS的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要?! ∧壳?,影響開關(guān)電源電源效率
2016-12-23 19:06:35

高端MOS和低端MOS

什么是高低端MOS?它們的區(qū)別是什么?請(qǐng)各位大神指教,希望能分享相關(guān)資料,非常感謝!
2016-09-01 09:51:08

(原創(chuàng)干貨)MOS驅(qū)動(dòng)電路分析

都是有直接驅(qū)動(dòng)MOS的能力的,只是在應(yīng)用這種驅(qū)動(dòng)方式的時(shí)候。1、需要去注意下我們芯片規(guī)格里面的Sink/Source Capability,不同的芯片對(duì)應(yīng)的參數(shù)是不一樣的。2、了解下MOSFET
2021-06-28 16:44:51

微碧半導(dǎo)體(VBsemi):這是一期正經(jīng)的自我介紹# MOS廠家# MOS

MOS
微碧半導(dǎo)體VBsemi發(fā)布于 2024-01-11 15:08:48

MOS介紹

MOS介紹在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大
2017-10-24 11:19:2016965

mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分_mos管的作用介紹

本文開始介紹MOS管概念和MOS管工作原理,其次介紹MOS管的性能參數(shù)以及mos管三個(gè)引腳的區(qū)分方法,最后介紹MOS管是如何快速判斷與好壞及引腳性能的以及介紹mos管的作用。
2018-04-03 14:30:30105443

如何查看MOS管的型號(hào)和功率參數(shù)

Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常見的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要了解MOS管的型號(hào)和功率參數(shù),以便選擇合適的MOS管。本文將介紹如何查看
2023-12-28 16:01:421926

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