雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24
501 
80路串口（230400波特率）同時采集，同時解析，怎么將采集到的字符串解析，目前的思路是一個線程專門讀串口采集將讀取的用連接字符串連接起來存在全局變量里，另一個線程專門解析全局變量。請問大神有沒有
2018-04-30 08:58:45
設(shè)計在欠驅(qū)動狀態(tài)。一般而言，對于功率型MOSFET，10V的驅(qū)動電壓是比較推薦的。另外Rds(on)也是Tj的函數(shù)，一般可用如下公式進行計算：a是依賴于溝道技術(shù)參數(shù)，工藝和使用技術(shù)定下來，a是常量
2018-07-12 11:34:11
MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
MOSFET的新一代MOSFET，在給定的硅面積中具有更低電阻率（R DS(on)），以實現(xiàn)更高的電流容量。我們的PowerStack?封裝技術(shù)將集成電路（IC）和MOSFET相互堆疊（見圖1），以提供能夠供應(yīng)
2019-07-31 04:45:11
演進，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermalrunaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻
2020-07-06 11:28:15
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。MOSFET的開關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時間：Td(on）、上升時間：tr
2018-11-28 14:29:57
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
` MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析
2011-08-17 16:08:07
2個系列相關(guān)的技術(shù)信息鏈接。要想更深入了解產(chǎn)品，需要確認技術(shù)規(guī)格的規(guī)格值和特性圖表，這一點是很重要的。關(guān)鍵要點:?PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻、低柵極總電荷量特征、且
2018-11-28 14:27:08
我看mosfet的技術(shù)手冊，有兩個轉(zhuǎn)移特性曲線，但是不知道這兩個的區(qū)別在哪，為什么不一樣？
2015-10-23 20:51:09
mosfet沒有上電時，mosfet驅(qū)動電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動電壓卻變成了這個樣子，請問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
以及 x86 和 x86-64 上運行。 ASan 的 CPU 開銷約為 2 倍，代碼大小開銷在一半到 2 倍之間，并且內(nèi)存開銷很大（具體取決于您的分配模式，但約為 2 倍。沒有銀彈？軟件實現(xiàn)
2022-08-18 11:20:01
(和理想化的Fuzz驅(qū)動開發(fā)流程)可以處理下一層的bug. 有些內(nèi)存bug可以通過靜態(tài)分析發(fā)現(xiàn)?；谲浖a加固技術(shù)使攻擊者發(fā)現(xiàn)內(nèi)存安全問題越來越難。Stack cookies, 不可執(zhí)行代碼的內(nèi)存
2022-08-18 11:24:47
，serial.h 和 serial.cpp可以直接移植到產(chǎn)品開發(fā)中使用，serial.cpp中open函數(shù)是核心，片段代碼如下：zb_msgzb_msg主要是把串口協(xié)議進行解析，串口協(xié)議設(shè)計如下：start
2022-09-27 16:08:06
細說電流隔離低壓差分信號傳輸 （LVDS）接口，涉及到串行數(shù)據(jù)傳輸?shù)募扔薪涌跇藴?(TIA/EIA-644)
2020-12-18 06:01:32
好的傳感器的設(shè)計是經(jīng)驗加技術(shù)的結(jié)晶。一般理解傳感器是將一種物理量經(jīng)過電路轉(zhuǎn)換成一種能以另外一種直觀的可表達的物理量的描述。而下文我們將對傳感器的概念、原理特性進行逐一介紹，進而解析傳感器的設(shè)計的要點。
2020-08-28 08:04:04
的峰值電壓等于輸入電壓，降低了開關(guān)所承受的電壓應(yīng)力。這種技術(shù)需要額外的MOSFET （Q2）和高端驅(qū)動器，且需要2個高壓低功率二極管（D3和D4），參見圖2。雙開關(guān)正激技術(shù)的每個開關(guān)周期包含3步：第1步
2022-01-06 06:30:00
也會出現(xiàn)一個與SWITCH同頻率的紋波，一般所說的紋波就是指這個。它與輸出電容的容量和ESR有關(guān)系。這個紋波的頻率與開關(guān)電源相同，為幾十到幾百KHz。另外，SWITCH一般選用雙極性晶體管或者MOSFET，不管是哪種，在其導(dǎo)通和截止的時候，都會有一個上升時間和下降時間。這時候在電路中就會出現(xiàn)一個與SW
2021-12-30 08:31:11
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2019-03-06 06:30:00
1、rtthread運行l(wèi)ibcs??v 庫的使用最近做一個，需要做數(shù)據(jù)存儲化的。一開始是，使用數(shù)據(jù)生成的目標文件格式為項目名稱，保存數(shù)據(jù)文件來為格式存儲，使用 cJSON庫進行數(shù)據(jù)解析，每個
2022-08-25 15:40:05
NFC的起源NFC技術(shù)的工作原理NFC與RFID區(qū)別NFC的技術(shù)特征NFC的工作應(yīng)用模式NFC技術(shù)主要應(yīng)用NFC技術(shù)在手機上的主要應(yīng)用
2020-12-18 06:29:05
一文讀懂什么是NEC協(xié)議？
2021-10-15 09:22:14
` 本帖最后由 訊飛開放平臺 于 2018-7-2 08:55 編輯
語音識別是十年來發(fā)展最快的技術(shù)之一，隨著AI的不斷發(fā)展，深度學(xué)習(xí)讓語音識別技術(shù)得到了質(zhì)的飛躍，開始從實驗室走向市場，并逐步
2018-06-28 11:27:08
清晰度或者解決各種各樣的音視頻問題。電子發(fā)燒友特意舉辦了這次音視頻技術(shù)博客大賽，給大家提供一個分享的平臺。所有涉及音視頻技術(shù)的博文，都可以在這里投稿，謝謝參與。本活動旨在建立一個技術(shù)交流平臺，鼓勵廣大
2013-11-12 19:50:40
）文章小結(jié)（5%） 2.參賽博文格式要求 （1）字數(shù)在1500-3000字之內(nèi)，內(nèi)容完整，有條理，能提供2到3張清晰的技術(shù)圖表， （2）對文、圖、表中的專業(yè)英文縮略詞作中文注解 （3）提供100字左右
2013-10-22 00:10:25
了門極信號；如同直通電流一樣，它會影響到該開關(guān)電源。這會產(chǎn)生很大的反向恢復(fù)dv/dt，有時會擊穿MOSFET Q2。這樣就會導(dǎo)致MOSFET失效，并且當采用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性較差
2019-09-17 09:05:04
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是
2017-04-15 15:48:51
電子發(fā)燒友總結(jié)了以“ MOSFET”為主題的精選干貨，今后每天一個主題為一期，希望對各位有所幫助！（點擊標題即可進入頁面下載相關(guān)資料）如何讀懂并理解MOSFET的Datasheet ? （中英雙
2019-04-19 17:45:32
的。那么下管導(dǎo)通瞬間，是發(fā)生在下管的Rdson從無窮大到很小的過程中的。那么下管突然導(dǎo)通，M點的電壓肯定會被拉低，既然被拉低，必然有一個回路存在。如下圖所示：上期回顧：從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（八）
2021-07-09 09:55:28
MOSFET來說，GS內(nèi)部有一個電容存在的。充滿電后，維持住這個電壓，那么就持續(xù)導(dǎo)通了。在充電過程中，是消耗電流和產(chǎn)生功耗的；當充電完成后，電容上是沒有電流的，沒有電流，則沒有損耗。那么，這個時候功耗很低
2021-04-30 09:47:07
個管子的時候，我們也不知道這個管子GS有沒有電，這個管子有可能是導(dǎo)通的，放到電路上去焊接的時候，可能會出現(xiàn)問題。為了考慮到安全性，我們必須在電路設(shè)計的時候，在MOSFET的G和S之間要加一個電阻，這樣
2021-05-10 09:52:22
功率并不小，因為電壓高啊。低壓MOSFET，Rdson小，一般幾mΩ，比如3mΩ，可以做到幾十，甚至100A。下篇文章我們來講一下MOSFET的開通和關(guān)斷上期回顧：從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（一）
2021-05-07 10:11:03
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-9-1 17:15 編輯
接下來接著看12N50數(shù)據(jù)手冊。上面這個參數(shù)是MOSFET的熱阻，RBJC 表示MOS管結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道
2021-09-01 17:10:32
穩(wěn)定一些。這也就是為什么過了平臺區(qū)之后，管子不怎么震蕩了，這也和上面這幅圖表達的含義有關(guān)系的。上面這幅圖相對來說比較關(guān)鍵。它是MOSFET工作的一個安全區(qū)域。MOSFET選型的合適與否，就要看上面這幅圖
2021-09-07 15:27:38
MOSFET開時米勒平臺的形成過程的詳細解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
新手求教，串口通訊接收內(nèi)容能收到，但是不能實時被解析，運行時，解析程序沒反應(yīng)。如果將接收的內(nèi)容復(fù)制到字符串常量中，解析程序有結(jié)果，怎么做能實時解析呢？誰能給解答一下.
2019-04-08 20:06:54
。設(shè)計挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來改進的同時，也帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
從IPv4到IPv6組播過渡技術(shù)解析
2021-05-27 06:37:15
就小了。假設(shè)MOSFET的導(dǎo)通閾值是1V 或者2V，那么一個3.3V的單片機就可以搞定了。那么，我們也知道，高閾值的管子開通的上升沿是很長的，從關(guān)斷到完全開通需要t0-t4這個時間。那么低閾值
2021-08-11 16:34:04
結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道RBJC=0.75。熱阻的計算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結(jié)溫，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面溫度。通過上面公式可以計算一下，表面溫度在25
2021-08-16 11:07:10
光耦PC817中文解析
2012-08-20 14:32:28
扔掉電源線，給自己的智能手機進行無線充電。這對于許多人來說可能有點天方夜譚。但事實上，無線充電技術(shù)很快就要進入大規(guī)模的商用化，這項此前不為大眾所熟悉的技術(shù)，正悄然來到我們的面前。全面解析無線充電技術(shù)
2016-07-28 11:13:33
六大汽車安全技術(shù)全解析
2012-08-20 13:15:06
Google 擊敗了甲骨文（Oracle），關(guān)于 Android 是否屬于 Java API 的技術(shù)抄襲的版權(quán)糾紛告一段落。Google 與甲骨文在 Android 智能手機系統(tǒng)軟件應(yīng)用方面
2016-06-07 11:36:18
語句對GPS信號進行解析，最后再將解析后的語句通過串口1傳送給上位機。但是，經(jīng)多次調(diào)試和仿真后發(fā)現(xiàn)程序會卡在解析函數(shù)nmea_decode_test()函數(shù)中，或者說是只要執(zhí)行到該函數(shù)程序就會跑飛，但是一直找不到原因是為什么？急~求大佬指導(dǎo):(（PS:此處附上整個工程的代碼）
2019-06-03 15:57:28
關(guān)于TFT-LCD的三種廣視角技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-06-04 06:09:29
關(guān)于汽車電子功率MOSFET技術(shù)，總結(jié)的太棒了
2021-05-14 06:13:01
，工程師們已定義一套FOM以應(yīng)用于新的低壓功率MOSFET技術(shù)研發(fā)。由此產(chǎn)生的30伏特(V)技術(shù)以超級接面(Superjunction)為基礎(chǔ)概念，是DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
功率MOSFET數(shù)據(jù)表都包括一組熱電阻數(shù)字，以便為客戶提供器件熱性能的參考點。功率MOSFET數(shù)據(jù)表中提供的最常見的兩種熱電阻是結(jié)到環(huán)境和結(jié)到管殼的熱阻抗。結(jié)到管殼的熱電阻定義為“從半導(dǎo)體器件的工作部分到封裝外部
2018-10-18 09:13:03
樣的。（3）由于我們是410c 的平臺我們cd 到device/qcom/msm8916_64下新建一個文件夾叫Tem/ 接著我們把我們需要內(nèi)置的文佳復(fù)制到Tem/中 （4）在device/qcom
2018-09-25 16:51:36
基于嵌入式的遠程測試控制技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-05-27 07:02:58
基于泰克MSO64的全新時頻域信號分析技術(shù)解析，看完你就懂了
2021-06-17 08:04:35
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
【追蹤嫌犯的利器】定位技術(shù)原理解析（4）
2020-05-04 12:20:20
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是F...
2021-10-28 10:06:38
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46:38
工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的核心是數(shù)據(jù)的價值發(fā)現(xiàn)問題，但由于歷史原因，“信息孤島”現(xiàn)象在企業(yè)內(nèi)部、企業(yè)之間大量存在。標識解析技術(shù)是目前可見解決“信息孤島”、完成工業(yè)大數(shù)據(jù)匯聚以及在此基礎(chǔ)上形成信息融合理解的關(guān)鍵技術(shù)。分析了標識解析在工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域應(yīng)用要解決的幾個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，并且給出了進行工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)理解的研究思路。
2023-09-19 06:07:17
新型低功耗無線標準ZigBee技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-06-04 06:28:11
金鑒出品】新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點定位+FIB解析碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢，可以突破現(xiàn)有電動汽車電機設(shè)計上因器件性能而受到的限制，這是目前國內(nèi)外電動汽車電機領(lǐng)域研發(fā)
2018-11-02 16:25:31
步進電機重要的相關(guān)技術(shù)解析，步進電機已經(jīng)滲透入我們生活的方方面面，本文介紹了一些重要的步進電機相關(guān)技術(shù)，為開發(fā)人員基本了解步進電機的工作原理提供了足夠的信息，同時也介紹了用微控制器或數(shù)字信號處理器
2021-07-09 06:46:23
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
最近我們在弄一個TTL解析程序我用51做了一個PWM的電機控制，再通過傳感器測速的出來的TTL電平數(shù)據(jù)讀到51單片機里面。再顯示到12864上面。現(xiàn)在是這個TTL的解析程序沒有壇子里面有沒有同學(xué)有這方面的程序呀能不能共享一下，或者在這方面指點一下。謝謝了
2013-08-02 13:01:19
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一
2012-12-06 14:32:55
`本書介紹了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一類導(dǎo)電溝道槽結(jié)構(gòu)特殊的場效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新展開起來的高效、功率開關(guān)器件。本書深入解讀了MOSFET的關(guān)鍵特性和指標，通過圖表讓讀者
2019-03-06 16:20:14
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
`藍牙模塊詳細解析物聯(lián)網(wǎng)在智能家居、電子產(chǎn)品等領(lǐng)域全面發(fā)展，使近距離通信的無線連接技術(shù)越來越多的應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)新興產(chǎn)品中，為設(shè)備提供穩(wěn)定和低功耗的數(shù)據(jù)傳輸服務(wù)的藍牙模塊更是成為物聯(lián)網(wǎng)市場的寵兒，被
2018-06-13 17:24:08
運放正負12伏供電，運放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運放反饋端，我想把運放個mosfet進行隔離，求方案。求器件。整個原理其實就是運放控制mosfet實現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
`·隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進步，系統(tǒng)設(shè)計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將
2011-08-17 14:18:59
嗨嘍，各位工程師們我們今天說點啥呢？無意間發(fā)現(xiàn)發(fā)現(xiàn)一塊集成MOSFET的Buck電源的Demo板，雖然電路很簡單，但是布局頗有教科書的意味。我們換個思考方向，看看是不是很容易去理解呢？廢話不說，切入正題！在電路設(shè)計的時候，這個2A~10A這個范圍內(nèi)的DCDC一般都采用這種電源解決方案。
2020-11-02 07:40:06
美國ALLEGRO文丘里風(fēng)機，氣動風(fēng)機，氣動通風(fēng)機，文丘里風(fēng)機應(yīng)用于：煉油廠、發(fā)電廠、造船廠、造紙和紙漿廠、海洋艦船、鋼鐵工業(yè)以及人孔（沙井）的通風(fēng)換氣。文丘里風(fēng)機特別適用于有毒煙霧
2022-10-18 16:30:36
泛亞電池技術(shù)解析
2009-10-30 10:24:45492 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:135530 
《mosfet的應(yīng)用_mosfet品牌-精華匯總》技術(shù)專題包括mosfet品牌、mosfet的應(yīng)用、mosfet基礎(chǔ)知識（含mosfet工作原理和mosfet參數(shù)）、mosfet驅(qū)動（含驅(qū)動電路
2012-08-10 14:30:46
全面解析多點觸控技術(shù)
2017-01-14 12:30:41
15 功率MOSFET在上世紀80年代開始興起，在如今電力電子功率器件中，無疑成為了最重要的主角器件。
2021-04-12 17:03:153756 
MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析MOSFET的驅(qū)動技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動電路。
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