為了選出一個(gè)合適的LDO ，我們需要注意一些關(guān)鍵的指標(biāo)，它們包括：輸入電壓值VIN (min),VIN (max),輸出電壓和輸出電流VOUT,IOUT,耗散功率,最小電壓差,電源紋波抑制比（PSRR),靜態(tài)電流
VIN (max):我們所需要輸入的最大電壓是多少,可以在輸入電壓上留有25%的余量。例如輸入電壓是5V，我們可以選擇輸出最大能夠支持5V*1.2=6V這種。

VOUT：LDO輸出的基本原理由分壓電阻和運(yùn)放，以及MOS管（三極管）作為開(kāi)關(guān)使用。以下為L(zhǎng)DO的基本原理框圖：

IOUT：所選LDO的電流輸出能力必須滿足應(yīng)用的需要，負(fù)載電流與輸入輸出電壓差的乘積又決定了功耗，這些都必須被同時(shí)考慮到。LDO因?yàn)椴捎猛獠縈OS管（也可用三極管）來(lái)提供電流，可以有更大的電流輸出能力。

耗散功率（Power Dissipation)

LDO的功耗是由跨過(guò)LDO輸入、輸出端的電壓降（VIN-VOUT）乘上流過(guò)它的電流所決定的，其計(jì)算公式為PD = (VIN - VOUT)* ILOAD。

下圖顯示了特定功耗值下允許的LDO電壓降與電流之間的關(guān)系曲線。

流過(guò)LDO的電流或落在LDO上的電壓降增加時(shí) ，會(huì)迅速導(dǎo)致功耗的增加，在選擇LDO的封裝時(shí)必須考慮到這一因素，確保其可以承擔(dān)這一功耗，否則LDO會(huì)過(guò)熱。

輸入輸出電壓差（Dropout Voltage)

LDO是低壓差的線性穩(wěn)壓器，意味著即使輸入電壓非常接近輸出電壓時(shí)它仍然能夠保持輸出電壓的穩(wěn)定。

LDO的最小電壓差被定義為跨過(guò)它的電壓低至它開(kāi)始不能維持其穩(wěn)定輸出電壓時(shí)的輸入輸出電壓差。

這是一個(gè)使用P溝道 的MOS管的LDO的基本電路， MOS管的源極與VIN相連接到VIN 。為了調(diào)節(jié)輸出電壓，誤差放大器控制著相對(duì)于VIN的P-MOS的柵極電壓，因而控制著MOS的導(dǎo)通程度。

電源紋波抑制比(PSRR)

PSRR是電源紋波抑制比(Power Supply Ripple Rejection)的縮寫。LDO的 PSRR數(shù)據(jù)是用來(lái)量化LDO對(duì)不同頻率的輸入電源紋波的抑制能力的，它反映了LDO不受噪聲和電壓波動(dòng)、保持輸出電壓穩(wěn)定的能力，PSRR越大越好。

在此樣圖中顯示了PSRR與頻率之間的關(guān)系。在頻率高在低頻（10kHz以下 ），該 LDO具有高的開(kāi)環(huán)電壓增益，有較強(qiáng)的紋波抑制能力。

當(dāng)頻率增加時(shí)，環(huán)路增益因?yàn)長(zhǎng)DO的帶寬限制而降低，PSRR曲線隨之變高。更高的LDO負(fù)載電流將負(fù)荷極點(diǎn)推向上方，所以在高負(fù)荷條件下的單位增益頻率也較高。在此范例中，10mA負(fù)載時(shí)的LDO單位增益頻率為300kHz，300mA負(fù)載時(shí)就變成了1MHz，這可以從圖中曲線的峰值上看出來(lái)。

靜態(tài)電流 (IQ)

LDO的靜態(tài)電流是指由IC內(nèi)部的反饋控制和驅(qū)動(dòng)電路所消耗的電流，通過(guò)對(duì)流過(guò)LDO接地引腳的電流進(jìn)行測(cè)量可以獲得該數(shù)據(jù)。