宜普宣佈推出一個高效無線電源展示系統(tǒng)，內(nèi)含具高頻開關(guān)性能的氮化鎵電晶體。使用宜普的氮化鎵場效應(yīng)電晶體是這種系統(tǒng)的一個理想解決方案，因為它所具備的性能可以在高頻、高
2012-08-16 10:22:16
1111 220V轉(zhuǎn)5V小體積方案采用TT119非隔離電源芯片來實現(xiàn)，些方案輸入端采用了DC全電壓模式，內(nèi)部峰值電壓可達(dá)DC500V，方案輸出默認(rèn)5V150mA和200mA。220V轉(zhuǎn)5V小體積方案外圍元件
2019-12-13 10:55:22
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發(fā)的特點；納微半導(dǎo)體的GaNFast方案則可以通過高頻實現(xiàn)充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。(白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。) 尋找理想開關(guān) 任何電源管理系統(tǒng)的核心是開關(guān)，可以打開和關(guān)閉電源。它就像墻上的照明開關(guān)一樣，但是速度會
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術(shù)迭代。2018 年，氮化鎵技術(shù)走出實驗室，正式運用到充電器領(lǐng)域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù)，當(dāng)時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍(lán)光 LED 照明應(yīng)用中的成功經(jīng)驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應(yīng)用，WBST 計劃特準(zhǔn)計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
數(shù)據(jù)中心），或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備，均可受益于氮化鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。）
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尋找理想開關(guān)
任何電源管理系統(tǒng)的核心
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時，綜合測試
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？
2021-06-17 10:56:45
降低了產(chǎn)品成本。搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調(diào)試方便、高頻工作實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點，可以簡化設(shè)計，降低GaN快充的開發(fā)難度，有助于實現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設(shè)計。 Keep Tops氮化鎵內(nèi)置多種
2023-08-21 17:06:18
目前空間技術(shù)、計算機(jī)、通信及家用電器中的電源多采用高頻開關(guān)電源。開關(guān)電源的效率、體積、重量等指標(biāo)均優(yōu)于線性穩(wěn)壓電源。開關(guān)電源的調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài)，損耗小，效率可達(dá)75-95;穩(wěn)壓電源體積
2013-08-07 15:58:09
公司最近給我安排了一個新的項目，180W的高頻LLC+有源PFC拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)電源，工作頻率達(dá)到了500k,要求工作的效率在93%以上（低壓），采用目前市面上較火的氮化鎵開關(guān)管，菜鳥求助設(shè)計此款電源需要注意哪些方面，特別是磁性元器件方面的選取。
2018-01-10 20:34:36
充電器變得高效起來，發(fā)熱更低，體積也縮小便于攜帶，推進(jìn)了百瓦大功率充電器的普及，也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅(qū)動電壓要求非常敏感，并且對布線要求也很高，這也導(dǎo)致了應(yīng)用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機(jī)
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克證交所代碼: MTSI) (簡稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發(fā)協(xié)議。據(jù)此協(xié)議，意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴(kuò)大
2018-02-12 15:11:38
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時間?？偟膩碚f，氮化鎵器件具備更快速的開關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
系列光隔離探頭現(xiàn)場條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）?，F(xiàn)場連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
高頻、軟開關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化，通過FET、驅(qū)動器和邏輯的單片集成，創(chuàng)建了非常小并且非?？斓囊子谑褂玫?“數(shù)字輸入，電源輸出” 高性能電源轉(zhuǎn)化模塊。內(nèi)置驅(qū)動器以及復(fù)雜的邏輯控制電路，170mΩ導(dǎo)阻，耐壓
2021-01-08 17:02:10
`小體積 PD 18W方案非標(biāo)， 可以做認(rèn)證方案另有A+C 18W27W36W等 單路 雙路 非標(biāo)/認(rèn)證方案更多優(yōu)勢方案歡迎聯(lián)系***，QQ 1850196407`
2020-01-08 17:23:36
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
）行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 SMPS ODM需要置身于滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)半導(dǎo)體器件和主動組件的供應(yīng)商網(wǎng)絡(luò)中。對于氮化鎵來說，在更關(guān)鍵的電子子系統(tǒng)之一，符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的器件已經(jīng)存在，即電源開關(guān)器件和柵極驅(qū)動器
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
，4H-SiC是500，而氮化鎵是900，效率非常高。另外，碳化硅具有2.8 MV/cm的絕緣失效電場強(qiáng)度，以及3.3 MV/cm的氮化鎵。通常，在低頻工作時，其功率損耗是絕緣失效電場的3倍，而在高頻時則是2
2023-02-23 15:46:22
和信號，一直是業(yè)界無法實現(xiàn)的。因為硅器件的開關(guān)速度太慢，而且存在驅(qū)動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器，導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅(qū)動器的設(shè)計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設(shè)計的伺服驅(qū)動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅(qū)動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導(dǎo)的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性，能為高頻電源設(shè)計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢，因此在服務(wù)器、通訊電源及便攜設(shè)備充電器等領(lǐng)域
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關(guān)性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個部分。
2023-09-05 06:13:28
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
材料特性對比展開，通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進(jìn)行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設(shè)計和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵開關(guān)管來取代，一顆頂四顆，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過使用氮化鎵開關(guān)管來減少硅MOS管的數(shù)量，還可以減小保護(hù)板的面積，使保護(hù)板可以集成到主板上，節(jié)省一塊PCB，降低整體成本。儲能電源儲能電源通常
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供，包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器，更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案?？傆幸豢钸m合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
本文介紹了一種基于AD、CPLD、串行閃存來實現(xiàn)的小體積的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。與其他數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)相比，該系統(tǒng)體積小，存儲器便于控制，易于升級存儲器的容量，能夠滿足一般的信號采集。不足是系統(tǒng)的采樣頻率不夠高，只能達(dá)到250kHz／S，不適于高頻信號的采集。
2021-04-07 06:48:52
以適當(dāng)?shù)淖⒁?，測試設(shè)備和測量技術(shù)引入的寄生元件，特別是在較高頻率下工作，可能會使GaN器件參數(shù)黯然失色，并導(dǎo)致錯誤的測量結(jié)果?！ ?yīng)用說明“高速氮化鎵E-HEMT的測量技術(shù)”（GN003）解釋了測量技術(shù)
2023-02-21 16:30:09
INN3365C使用。
貼片Y電容來自四川特銳祥科技股份有限公司，具有體積小、重量輕等特色，非常適合應(yīng)用于氮化鎵快充這類高密度電源產(chǎn)品中。料號為TMY1102M。
特銳祥專注于被動元器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售
2023-06-16 14:05:50
。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決
方案。通過導(dǎo)通電阻選擇
器件內(nèi)部
氮化鎵場效應(yīng)晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>
2022-11-10 06:36:09
實質(zhì)上是一種開關(guān)管，相比傳統(tǒng)硅MOS管具有更低的導(dǎo)通電阻，更小的輸入輸出電容，開關(guān)速度非?？欤梢灾С指叩?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)頻率。通過使用氮化鎵開關(guān)管，可以突破傳統(tǒng)硅器件的性能限制，生產(chǎn)出更高效率和更小體積的電源
2021-11-02 09:03:39
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進(jìn)行設(shè)計。集成功率級諸如EPC23102為設(shè)計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
LM1K24CA的特性是什么？求一個小體積可以防護(hù)DC24直流2KV的新方案
2022-01-14 06:48:36
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
、設(shè)計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
，整合優(yōu)勢資源，讓客戶更加方便地用上氮化鎵技術(shù)，獲得氮化鎵低開關(guān)損耗、高效率的優(yōu)勢，降低充電器的能耗，節(jié)能減排助力“3060雙碳”戰(zhàn)略。茂睿芯年初發(fā)布了業(yè)界最小體積SOT23-6的高頻QR ACDC
2021-11-12 11:53:21
結(jié)構(gòu)將擊穿電壓提高到了750伏。在這些器件中，氧化鎵實現(xiàn)高工作電壓相對容易，這一成績相當(dāng)顯著；僅僅幾年，這種材料的研究就取得了長足進(jìn)步，而氮化鎵的研究則花了幾十年的時間?！ 〔贿^，在更快的開關(guān)電源應(yīng)用中
2023-02-27 15:46:36
靈活應(yīng)對不同的應(yīng)用場景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關(guān)電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動（6V DRV）? 集成高壓啟動（700V）? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
會產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時，其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
隨著電源技術(shù)的發(fā)展，高頻開關(guān)電源控制從最初的模擬電路逐漸發(fā)展到微處理器、DSP等高集成度的控制器件，這些器件體積
2011-02-22 14:23:42
47 集成1A開關(guān)的DN232-SOT-23開關(guān)穩(wěn)壓器在小體積內(nèi)提供高電流輸出
2021-05-16 09:42:405 本文基于光模塊標(biāo)準(zhǔn)和需求出發(fā)，介紹了TI多款小體積電源產(chǎn)品在光模塊里的應(yīng)用及其在光模塊應(yīng)用場景下的注意事項。
2022-02-15 13:36:352354 
隨著PD快充技術(shù)的普及以及氮化鎵快充市場的爆發(fā)，消費類電源市場對高頻率、高效率、小體積的產(chǎn)品需求量日益提升。而在開發(fā)高頻率快充電源時，除了利用氮化鎵器件的高頻特性縮小變壓器的體積之外，氮化鎵快充的高頻特性也會帶來EMI的問題。
2022-07-19 09:07:074209 
小體積電源在光模塊里的應(yīng)用指導(dǎo)
2022-10-28 11:59:573 方案介紹
輸入電源：220V
輸入頻率：50HZ或60HZ
輸出電壓：12V
輸出電流：1A
單層板，可以雙層板打樣。
可以用做電源適配器。也可以當(dāng)輔助電源使用。此電源可以改為小體積電源。元器件相對較少，成本也比較低。
2022-12-02 16:18:117 金升陽推出K12MT系列小體積非隔離POL電源
2022-12-08 19:55:47259 小體積溫控開關(guān)具有體積優(yōu)勢、輕量化優(yōu)勢、安裝方式優(yōu)勢和空間利用優(yōu)勢，能夠更好地滿足特定應(yīng)用場景的需求。
2023-05-22 10:48:48210 
，安全可靠的各種元器件成為首選目標(biāo)。深圳銀聯(lián)寶科技12W開關(guān)電源芯片U62153，六級能效認(rèn)證，小體積低功耗，有利優(yōu)化電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計！12W開關(guān)電源芯片U62153為了
2022-11-21 09:21:01882 
氮化鎵 30W A+C過認(rèn)證方案：
可提供整套方案，價格有優(yōu)勢，小體積，高性能。
2022-04-11 11:34:55357 
基于 NCL2801+NCP13992 的一整套你所需要的方案： 適配于氮化鎵 (GaN) 開關(guān)器件，工作于高頻開關(guān)頻率場合下的小體積PFC LLC方案 。 NC L2801是安森美開關(guān)電源方案中PFC控制芯片家族的一員。內(nèi)置谷底計數(shù)頻率返走（VCFF）、谷底開通等技術(shù)，提供優(yōu)秀的總諧波失
2023-09-19 19:10:01381 在高集成度的控制系統(tǒng)上，電源模塊體積越做越小，但是小體積難以做到大功率。為滿足需求，致遠(yuǎn)電子推出一款小體積、大功率寬壓輸入電源模塊，擁有比1W/3W產(chǎn)品更高的功率，比普通6W/10W產(chǎn)品更小的體積
2023-10-31 08:25:39239 
SUNLORDINC順絡(luò)新研發(fā)新的小體積熱敏電阻以及方案應(yīng)用
2023-10-31 16:18:30225 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電源適配器對器件的小體積要求.doc》資料免費下載
2023-11-15 11:48:171 然后再經(jīng)過變壓器轉(zhuǎn)換為所需電壓或電流輸出的電源轉(zhuǎn)換裝置。它使用高頻開關(guān)器件如MOSFET、IGBT等來實現(xiàn)電源的開關(guān)控制，具有高效率、小體積、輕負(fù)載負(fù)波等優(yōu)點。高頻開關(guān)電源的主要原理是通過開關(guān)器件的快速開關(guān)和斷開來控制電能
2023-11-16 11:22:46523 已全部加載完成
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