硫系化合物隨機(jī)存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲(chǔ)介質(zhì).
2012-04-27 11:05:09
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程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器兩個(gè)獨(dú)立的地址空間，通常稱這種形式為哈佛結(jié)構(gòu)（分別獨(dú)立編址）。51 系列單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理位置看，有 4 個(gè)存儲(chǔ)器空間，即片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱片內(nèi) RAM）、片內(nèi)程序存...
2021-12-01 08:32:35
用6678，第一個(gè)核做fft，將數(shù)據(jù)存在共享存儲(chǔ)區(qū)MSM，然后使用MessageQ通知第二個(gè)核將這些數(shù)據(jù)做第二次處理。首先說明一下，我現(xiàn)在是將原始數(shù)據(jù)和做完fft的數(shù)據(jù)放在共享存儲(chǔ)區(qū)，使用這些數(shù)據(jù)
2019-01-10 11:33:06
第 4 章 存儲(chǔ)器4.1概述存儲(chǔ)器可分為那些類型現(xiàn)代存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲(chǔ)器分類1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類（1）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲(chǔ)器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲(chǔ)器
2021-07-29 07:40:10
只是短暫曇花一現(xiàn)(如靜電存儲(chǔ)器)，有的則持續(xù)了幾十年才“退休”(如磁芯)?！ ∪缃?，存儲(chǔ)器普遍使用半導(dǎo)體晶片制造。相形之下，儲(chǔ)存則處于從磁碟過渡到半導(dǎo)體的歷史中期，半導(dǎo)體正迅速擴(kuò)大并取代其磁碟產(chǎn)品
2017-07-20 15:18:57
【嵌入式系統(tǒng)】存儲(chǔ)器映射與寄存器映射原理一、存儲(chǔ)器映射圖1 存儲(chǔ)器映射存儲(chǔ)器在產(chǎn)家制作完成后是一片沒有任何信息的物理存儲(chǔ)器，而CPU要進(jìn)行訪存就涉及到內(nèi)存地址的概念，因此存儲(chǔ)器映射就是為物理內(nèi)存按
2021-12-20 08:17:30
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲(chǔ)器映射存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過程就稱為存儲(chǔ)器映射，具體見圖 5-5。如果給存儲(chǔ)器再分配一個(gè)地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過程稱為存儲(chǔ)器映射，如果再分配一個(gè)地址就叫重映射存儲(chǔ)器映射ARM 將這 4GB 的存儲(chǔ)器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
各種各樣的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器分類按存儲(chǔ)器介質(zhì)分類按存儲(chǔ)方式分類按在計(jì)算機(jī)中的作用分類存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)如圖，存儲(chǔ)系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)主要體現(xiàn)在緩存-主存和主存-輔存這兩個(gè)存儲(chǔ)層次上。CPU和緩存、主存都能直接交換信息；緩存能直接和CPU、主存交換信息；主存可以和CPU、緩存、輔存交換信息。緩存-主存層
2022-01-19 06:35:54
**第一至第三章**Q1. 若存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位，存取周期為200ns，則存儲(chǔ)器的帶寬是多少？存儲(chǔ)器的帶寬指單位時(shí)間內(nèi)從存儲(chǔ)器進(jìn)出信息的最大數(shù)量。存儲(chǔ)器帶寬 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
可以為外部針對(duì)存儲(chǔ)器的訪問，例如，上述裝置之外的第二裝置請(qǐng)求獲取上述裝置的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的內(nèi)容時(shí)，將產(chǎn)生針對(duì)上述存儲(chǔ)器的多個(gè)訪問。上述第一操作時(shí)機(jī)可以為針對(duì)存儲(chǔ)器的多個(gè)訪問到達(dá)存儲(chǔ)控制器的時(shí)間點(diǎn)；上述第二
2019-11-15 15:44:06
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲(chǔ)器的特性進(jìn)行分割成為一個(gè)合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲(chǔ)器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲(chǔ)器，帶寬分割在高水平上，主要有3個(gè)
2018-05-17 09:45:35
[table][tr][td=670][table][tr][td]arm處理器本身所產(chǎn)生的地址為虛擬地址，每一個(gè)arm芯片內(nèi)都有存儲(chǔ)器，而這個(gè)芯片內(nèi)的存儲(chǔ)器的地址為物理地址。我們寫程序的目的是為了
2014-03-24 11:57:18
匯編語言程序目錄一、CPU對(duì)存儲(chǔ)器的讀寫二、內(nèi)存地址空間三、將各類存儲(chǔ)器看作一個(gè)邏輯器件——統(tǒng)一編址四、內(nèi)存地址空間的分配方案——以8086PC機(jī)為例一、CPU對(duì)存儲(chǔ)器的讀寫CPU想要進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫
2021-12-10 08:04:16
的。 CY7C68013A-128AXC有一個(gè)EA引腳。EA=0表示首先使用片內(nèi)的RAM作為程序存儲(chǔ)器，如下圖所示： 這里，程序從片內(nèi)的0x0000地址開始存，片內(nèi)16KB。如果程序不足16KB，則只使用片內(nèi)
2015-06-21 00:51:54
未斷電時(shí)候能對(duì)EEPROM里的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀出來，當(dāng)斷一次電再進(jìn)行讀的時(shí)候只能顯示第一個(gè)地址的數(shù)據(jù)，請(qǐng)問是什么原因啊EEPROM的讀寫函數(shù)進(jìn)行存儲(chǔ)與讀出的函數(shù)fm.c (7.46 KB )
2019-04-01 04:24:54
問題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
``附件里是FRDM-KL25Z開發(fā)第一期（平臺(tái)介紹、環(huán)境搭建、第一個(gè)工程）的資料。其中第一部分和第二部分PPT里有介紹。第三部分工程建立請(qǐng)看以下圖片資料：``
2015-01-30 18:12:05
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
和幾乎所有的 GPD,GED 故障。其算法復(fù)雜度可以表示為11xP+4xR ,其中P和R分別表示一次編程和讀取操作,N表示存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量(字?jǐn)?shù))。宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大
2020-11-16 14:33:15
集成了多達(dá) 8 個(gè)TMS320C66x DSP CorePac，能夠?qū)崿F(xiàn)無與倫比的定點(diǎn)與浮點(diǎn)處理能力。KeyStone 架構(gòu)經(jīng)精心設(shè)計(jì)，是一款效率極高的多內(nèi)核存儲(chǔ)器架構(gòu)，允許并行執(zhí)行任務(wù)的同時(shí)，還能
2011-08-13 15:45:42
}" 則 "0x05，0x06" 被放置于常量段， 在初始化 a[] 的時(shí)候會(huì)有一段匯編指令用于將常量段中的內(nèi)容拷貝到 a[] 中。軟件存儲(chǔ)區(qū)與硬件存儲(chǔ)器類型是怎么對(duì)應(yīng)的呢
2018-08-08 17:10:39
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器，45nm
2023-04-07 16:41:05
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了
一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
從三個(gè)層面認(rèn)識(shí)SRAM存儲(chǔ)器
2021-01-05 07:09:10
第一部分、章節(jié)目錄3.2.1.STM32的存儲(chǔ)器映像13.2.2.STM32的存儲(chǔ)器映像23.2.3.STM32的位帶操作詳解3.2.4.STM32的啟動(dòng)模式3.2.5.STM32的電源管理系統(tǒng)
2021-12-30 08:11:20
【朱老師課程總結(jié) 侵刪】第一部分、章節(jié)目錄3.2.1.STM32的存儲(chǔ)器映像3.2.2.STM32的位帶操作詳解3.2.3.STM32的啟動(dòng)模式3.2.4.STM32的電源管理系統(tǒng)3.2.5.復(fù)位
2021-08-20 06:06:01
題目是一個(gè)停車場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來存地址信號(hào)，通過刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號(hào)，用來讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
問題： 1 什么是存儲(chǔ)器映射？是怎么一個(gè)運(yùn)作過程？2 Stm32總體架構(gòu)3CM3內(nèi)核結(jié)構(gòu)1 STM32系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 要想深刻理解STM32的存儲(chǔ)器，需要首先知道STM32的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。如Figure 1
2018-08-14 09:22:26
`第19章 漢字顯示方式二（放到外部存儲(chǔ)器） 本期教程主要講如何將字庫放置到外部存儲(chǔ)器的方法，這里以放到SD卡為例，放到其他存儲(chǔ)器是一樣的。本章教程提供的方法是以前UCGUI時(shí)代遺留下來的，這種
2015-04-04 11:40:09
主要分為鐵芯式變壓器和殼式變壓器兩種。
鐵芯式三相變壓器
考慮一個(gè)三相單相鐵芯型變壓器，彼此成120°，如下圖所示。如果將平衡的三相正弦電壓施加到繞組上，則磁通量φ一個(gè)，
φb和φc也將是正弦
2023-04-23 17:48:56
一揮間！你還記得你的第一個(gè)網(wǎng)名嗎？記得在《第一次親密接觸》的時(shí)代，好友列表里的姑娘們的網(wǎng)名都是一個(gè)款的，心舞飛揚(yáng)，輕舞飛揚(yáng)，裙角飛揚(yáng)………總之，在那個(gè)全民裝那啥的年代，每個(gè)人的網(wǎng)名中總透著點(diǎn)對(duì)自由
2016-04-21 11:19:58
了巨大的變化，從聊天室到QQ，從MSN到微博，彈指一揮間！你還記得你的第一個(gè)網(wǎng)名嗎？記得在《第一次親密接觸》的時(shí)代，好友列表里的姑娘們的網(wǎng)名都是一個(gè)款的，心舞飛揚(yáng)，輕舞飛揚(yáng)，裙角飛揚(yáng)………總之，在那個(gè)全民
2016-04-22 13:54:11
什么是存儲(chǔ)器映射？是怎么一個(gè)運(yùn)作過程？stm32的總體架構(gòu)是由哪些部分組成的？
2022-01-21 06:09:45
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
技術(shù)節(jié)點(diǎn)的新式存儲(chǔ)器機(jī)制和材料。目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲(chǔ)機(jī)制，相變存儲(chǔ)器（PCM）就是其中一個(gè)最被業(yè)界看好的非易失性存儲(chǔ)器，具有閃存無法匹敵的讀寫性能和升級(jí)能力。在室溫環(huán)境中，基于第六族
2019-06-26 07:11:05
的使用是：要么只作為 數(shù)據(jù)暫存器，不存放固定數(shù)據(jù)或需要長期保存的數(shù)據(jù)。要么就附加一個(gè)電池來保 持存儲(chǔ)器始終處于一種帶電狀態(tài)（可能是工作狀態(tài)或休眠狀態(tài)），以保持存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)不易丟失?！ 》且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器：指
2020-12-25 14:50:34
決這個(gè)問題，可將頁面地址提前從數(shù)據(jù)總線中輸出并存放在鎖存器中備用。將鎖存器直接掛在數(shù)據(jù)總線上，并為其安排一個(gè)I/O地址，構(gòu)成頁面寄存器。在訪問儲(chǔ)器時(shí)，提前將頁面地址作為數(shù)據(jù)寫入頁面寄存器中
2018-07-26 13:01:24
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
你好，我懷疑，在4Mbit（128 K×32）流水線同步SRAM（CY7C1339 G）。沒有這個(gè)引腳ADSP，ADSC，我能得到同步SRAM內(nèi)存。我可以用作為一個(gè)外部存儲(chǔ)器，如果我能比我用ADSP
2019-08-15 07:02:35
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲(chǔ)器的種類日益繁多，每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序，為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率，一種多功能存儲(chǔ)器芯片
2019-07-26 06:53:39
發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的問題：我把我的數(shù)據(jù)發(fā)送到FX2LP，當(dāng)我想再讀取它時(shí)，數(shù)據(jù)被移動(dòng)。如何將數(shù)據(jù)寫入FIFO的第一個(gè)地址，并從第一個(gè)地址讀取數(shù)據(jù)？接收數(shù)據(jù)JPG158.2 K 以上來自于百度翻譯 以下
2019-06-18 09:12:45
如何使用寄存器點(diǎn)亮第一個(gè)LED？
2021-11-30 07:44:36
如何制作一個(gè)磁帶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器？
2021-11-11 07:43:42
本人新手，需要構(gòu)建一個(gè)使用大量SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用，求指點(diǎn)，具體需求如下：需要大量的高速存儲(chǔ)，只能使用SRAM才能滿足要求，計(jì)劃使用10塊8M的片外SRAM。目前我已學(xué)會(huì)基本的知識(shí)（看完芯航線
2019-08-07 15:25:58
如何點(diǎn)亮第一個(gè)LED燈？
2022-01-20 06:58:38
IAM即將完成PSOC3（我的第一個(gè)主要項(xiàng)目）的創(chuàng)建者項(xiàng)目，并希望在發(fā)布之前使用一些閃存保護(hù)。在TRM或某個(gè)地方，閃存保護(hù)不能用于保存SPC數(shù)據(jù)（如EEPROM存儲(chǔ)器）的字節(jié)。我的問題是：如何識(shí)別
2019-06-18 09:14:56
采用NI系列PXI板卡及靈活方便的LabVIEW軟件平臺(tái)，構(gòu)建了一套某裝備存儲(chǔ)器的檢測(cè)系統(tǒng)。
2021-05-12 06:53:27
怎樣為計(jì)算機(jī)去設(shè)計(jì)一個(gè)主存儲(chǔ)器呢？該主存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-10-22 07:23:01
老師你好，，我想請(qǐng)教一下m25p32存儲(chǔ)芯片存數(shù)數(shù)據(jù)的問題，，由于單片機(jī)存數(shù)據(jù)少，所以找了一塊4M的存儲(chǔ)芯片m25p32，這個(gè)芯片有64個(gè)扇區(qū)，每隔扇區(qū)有256頁，每頁有256字節(jié) 。如果我一
2014-02-13 22:03:46
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
轉(zhuǎn)stemwin教程本期教程主要講如何將字庫放置到外部存儲(chǔ)器的方法，這里以放到SD卡為例，放到其他存儲(chǔ)器是一樣的。本章教程提供的方法是以前UCGUI時(shí)代遺留下來的，這種方法相對(duì)于后面要講到的XBF
2016-10-14 08:21:42
什么存儲(chǔ)介質(zhì)適用于intel optane SSD 800P，900P，905P，intel optane SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)是所有相變存儲(chǔ)器或相變存儲(chǔ)器的一部分，如果它們
2018-11-19 14:18:38
基于12F1822芯片的電池放電測(cè)試器1、使用AD來測(cè)量被測(cè)電池電壓，8位精度2、每隔10S記錄一次3、存滿之后使用LED指示想知道 怎么檢測(cè)存儲(chǔ)器存滿！說明書里也沒有對(duì)應(yīng)的標(biāo)志位，謝謝。
2016-07-14 10:30:42
FPGA運(yùn)行時(shí)需要用外部存儲(chǔ)器存一些采樣數(shù)據(jù)：一組臨時(shí)存儲(chǔ)即可，幾十k字節(jié)；另一組長期存掉電不能丟失，也有幾十k字節(jié)；分別用什么存儲(chǔ)器？FPGA開發(fā)板上有三個(gè)片子：SDRAM、FLASH、EEPROM（I2C），用起來有什么區(qū)別，兩組數(shù)據(jù)各自用什么存比較好？謝謝大神！
2018-03-28 12:03:30
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的？怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器？
2021-05-26 07:00:22
座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí)，它通過一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場(chǎng)后
2011-11-19 11:53:09
座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí)，它通過一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場(chǎng)后
2011-11-21 10:49:57
相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的基本原理, 設(shè)計(jì)了一種依靠電流驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路, 整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路
2010-05-08 09:42:33
43 摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182411 
相變存儲(chǔ)器技術(shù)基礎(chǔ) 相變存儲(chǔ)器（PCM）是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:55751 相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)
相變存儲(chǔ)器（PCM）是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:032895 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46634 
面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22630 Numonyx推出全新相變存儲(chǔ)器系列
該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(chǔ)(PCM)的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371141 相變存儲(chǔ)器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。PCM存儲(chǔ)單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:00961 相變存儲(chǔ)器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:421953 相變存儲(chǔ)器(PCM)是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲(chǔ)技術(shù)更具實(shí)用性和可行性。 近年來，相變存儲(chǔ)器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計(jì)算機(jī)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001567 近日，淮安市舉行集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)暨江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司相變存儲(chǔ)器工廠竣工運(yùn)營啟動(dòng)儀式。
2018-03-28 14:58:196707 Numonyx相變存儲(chǔ)器（PCM）的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲(chǔ)器，以及它正如何改變著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的面貌。
2018-06-26 08:55:003158 近年來，非易失性存儲(chǔ)技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)能效提升帶來了新的契機(jī)，采用新型非易失性存儲(chǔ)技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)可以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對(duì)高存儲(chǔ)能效的需求。以相變存儲(chǔ)器
2019-03-19 15:43:016997 
據(jù)介紹，相變存儲(chǔ)器是一種兼具壽命長且斷電后仍可保存數(shù)據(jù)兩種優(yōu)點(diǎn)的存儲(chǔ)器，而目前通用的存儲(chǔ)器技術(shù)主要是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和閃存兩種，占了95%的市場(chǎng)份額。
2019-08-27 17:19:221140 相變存儲(chǔ)器具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402042 
相變存儲(chǔ)器具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:515090 。以相變存儲(chǔ)器為代表的多種新型存儲(chǔ)器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲(chǔ)器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國內(nèi)外最新研究進(jìn)展。 一、相變存儲(chǔ)器的工作原理 相變存儲(chǔ)器（Phase Change
2022-12-20 18:33:251012 本應(yīng)用筆記描述了如何使用瑞薩電子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相變存儲(chǔ)器，并解釋了為此目的提供的示例代碼的用法。請(qǐng)注意，示例代碼是用于
2021-06-18 17:23:151205 
對(duì)于存儲(chǔ)器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機(jī)內(nèi)就具備存儲(chǔ)器。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)只讀存儲(chǔ)器的種類予以介紹，并對(duì)相變存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對(duì)比。如果你對(duì)存儲(chǔ)器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:007265 華中科技大學(xué)成功研制全球最低功耗相變存儲(chǔ)器：比主流產(chǎn)品1000倍 來源：芯智訊 1月20日，從華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院獲悉，該學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制出全世界功耗最低的相變存儲(chǔ)器，比主流產(chǎn)品功耗低了1000
2022-01-21 13:15:00545 相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:15699 
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