來來來~~~~~~~~~~~~~~~~來瞧一瞧！看一看咯！下載不用錢！下載真的不用錢！誰下誰知道，用過的都說很好用！耶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~圖片添加文字.rar (26.58 KB )熱阻計(jì)算器.rar (197.27 KB )
2019-08-16 04:35:45
qjx 試圖采用簡(jiǎn)單的熱阻表示復(fù)雜的芯片傳熱現(xiàn)象? 芯片內(nèi)部的熱傳現(xiàn)象非常復(fù)雜，無法使用熱阻來完美表示；? 熱阻qjx 無法用于準(zhǔn)確預(yù)測(cè)芯片的溫度，只能提供定性的熱性能對(duì)比；? 如需準(zhǔn)確預(yù)測(cè)特定工況下芯片的溫度，我們需要其它的方法
2023-09-25 07:56:13
芯片熱設(shè)計(jì)有什么注意事項(xiàng)？
2021-04-23 06:25:11
在一起，可對(duì)6個(gè)重要的封裝設(shè)計(jì)特性進(jìn)行統(tǒng)一分析，即(1)熱阻、(2)熱變形、(3)熱應(yīng)力、(4)芯片和基板的熱阻、(5)鍵合層的壽命、(6)應(yīng)力引起電性能的改變。一個(gè)合適的封裝結(jié)構(gòu)可以通過模擬反復(fù)修改，直到
2018-08-23 08:46:09
DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
進(jìn)行了研究，并得到了不同狀態(tài)下模塊的退化特性?！ D1 IGBT的傳熱結(jié)構(gòu) 研究人員在不同工作條件下的IGBT模塊進(jìn)行老化實(shí)驗(yàn)時(shí)，在相同的老化時(shí)間下觀察模塊的熱阻變化情況，通過對(duì)熱網(wǎng)絡(luò)模型
2020-12-10 15:06:03
今天在使用ISE的Isim仿真時(shí)發(fā)現(xiàn)輸出一直為高阻，經(jīng)過排查發(fā)現(xiàn)這種情況是由于仿真器無法全面檢查測(cè)試模塊導(dǎo)致，使用綜合器檢查即可排查錯(cuò)誤。在我的測(cè)試模塊中，同時(shí)使用上升沿和下降沿賦值，在仿真器中通過，而這在綜合器中是不允許的，改為單上升沿賦值解決了問題。
2017-09-06 14:45:39
%的電能轉(zhuǎn)換成光，其余的全部變成了熱能，熱能的存在促使我們金鑒必須要關(guān)注LED封裝器件的熱阻。一般，LED的功率越高，LED熱效應(yīng)越明顯，因熱效應(yīng)而導(dǎo)致的問題也突顯出來，例如，芯片高溫的紅移現(xiàn)象；結(jié)溫
2015-07-29 16:05:13
說，如何降低產(chǎn) 品的熱阻，使PN結(jié)產(chǎn)生的熱量能盡快的散發(fā)出去，不僅可提高產(chǎn)品的飽和電流，提高產(chǎn)品的發(fā)光效率，同時(shí)也提高了產(chǎn)品的可靠性和壽命。為了降低產(chǎn)品的熱阻， 首先封裝材料的選擇顯得尤為重要，包括熱沉
2011-12-25 16:17:45
MMIC熱阻Thermal resistance (qJC) values are supplied with eachMMIC in the Microwave
2009-06-13 00:04:49
MOS管瞬態(tài)熱阻測(cè)試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
上升。因此，必須注意PCB溫度也保持在可接受的范圍內(nèi)。 4.1.2 MOSFET的Rth參數(shù)及其局限性 為了對(duì)器件的熱性能進(jìn)行一些測(cè)量，采用“熱阻”數(shù)值是MOSFET數(shù)據(jù)表的常規(guī)工業(yè)做法?！?b class="flag-6" style="color: red">熱阻
2023-04-20 16:49:55
POL的熱阻測(cè)量方法及SOA評(píng)估方法。PCB Layout對(duì)熱阻的影響芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)都會(huì)標(biāo)注芯片的熱阻參數(shù)，如下Figure 1 TPS543820 Thermal Information所示。但這個(gè)
2022-11-03 06:34:11
Protel99se貼片排阻封裝怎么畫？本站有沒有可提供下載的，能不能告訴下地址
2012-11-07 23:14:51
請(qǐng)教各位大蝦一個(gè)問題，SMA，SMAJ與SMB封裝除了尺寸不同之外，它們的熱阻有沒有什么區(qū)別?(例如SS14 SMAJ,SS14 SMA,SS14 SMB熱阻的區(qū)別)
2013-08-25 22:47:42
目錄—T3Ster的應(yīng)用案例 ◇ 測(cè)量結(jié)殼熱阻◇ 封裝結(jié)構(gòu)的質(zhì)量檢查 △ 結(jié)構(gòu)無損檢測(cè)△ 失效分析◇ 老化試驗(yàn)表征手段◇ 利用T3Ster研究新型微通道散熱結(jié)構(gòu)◇ 提供器件的熱學(xué)模型 ◇ 仿真模型
2013-01-08 15:29:44
UCSP封裝的熱考慮因素有哪些？
2021-06-07 06:55:42
USB Blaster仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:06:20
本帖最后由 小綠葉蟬 于 2016-8-2 16:59 編輯
封裝有兩個(gè)主要目的，一是提供保護(hù)，即防止芯片受到外界傷害，包括外部沖擊，濕氣侵蝕，以及輻射等等。二是提供芯片到基板或者組件到大板
2016-07-22 12:49:00
altium6.9的貼片排阻，封裝怎么畫？0603跟0805 8*4P的
2015-04-12 11:21:21
`如下圖，為 48-PIN-LQFP 的PCB封裝 ；請(qǐng)教：1. pads中，想給 這個(gè)封裝加個(gè) 熱焊盤，怎么加 ？2. 添加過程是在 PCB decal editor環(huán)境下操作，還是 在PCB環(huán)境
2017-08-23 00:08:19
=62℃/WMOS管上的最大損耗P≤（Tj-Ta）/Rja=1.37W, 通過計(jì)算最大損耗不能超過1.37W。如果是加散熱器的要分兩種情況：1、加的散熱器非常大并且接觸足夠良好接觸熱阻非常小可以忽略
2021-09-08 08:42:59
大家上午好！該系列視頻為開關(guān)電源免費(fèi)教程，今天講解MOS管的熱阻。持續(xù)關(guān)注，我們會(huì)持續(xù)更新！大家有關(guān)于開關(guān)電源以及工作中遇到的關(guān)于電源相關(guān)的難題，都可以在帖子下面與我們交流討論。
2021-09-22 09:57:47
測(cè)試及散熱能力評(píng)估”的業(yè)務(wù)。服務(wù)客戶：LED封裝廠、LED燈具廠、LED芯片廠、器件代理商服務(wù)內(nèi)容：1．封裝器件熱阻測(cè)試2．封裝器件內(nèi)部“缺陷”辨認(rèn)3．結(jié)構(gòu)無損檢測(cè)4．老化試驗(yàn)表征手段5．接觸熱阻測(cè)試
2015-07-27 16:40:37
航空航天大學(xué)特種電機(jī)研究中心進(jìn)行電機(jī)實(shí)際運(yùn)行環(huán)境的仿真分析，根據(jù)對(duì)方給出數(shù)據(jù)，項(xiàng)目組選擇6組相對(duì)有代表性的環(huán)境因素對(duì)該電機(jī)進(jìn)行熱分析計(jì)算，6種環(huán)境工況如表1所示。 表1 電機(jī)熱仿真六種工況 通過
2020-08-25 11:50:59
特性的綜合圖5顯示了結(jié)到管殼的熱阻Rth(j-c)和管殼到環(huán)境的熱阻Rth(c-a)相對(duì)于芯片面積和封裝類型的計(jì)算值。芯片面積的范圍從0.25mm2到33.5mm2，封裝為TO220和TO247。兩種
2018-12-05 09:45:16
現(xiàn)在需要測(cè)IGBT的熱阻，我的方案是直接讓它導(dǎo)通然后用大電流加熱到一定的程度后，突然切斷大的電流源，看他在100ma下的vce變化（已知100ma工況下vce和節(jié)溫的關(guān)系），然后將測(cè)試到的vce
2017-09-29 10:40:46
大佬們，電容在直流中和在交流中熱耗存在哪些差異？最好有公式計(jì)算～謝謝
2019-04-03 20:21:30
陣列封裝），其芯片面積與封裝面積之比不小于1：1.14，屬于BGA封裝技術(shù)的一個(gè)分支。該項(xiàng)革新技術(shù)的應(yīng)用可以使所有計(jì)算機(jī)中的DRAM內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高兩到三倍，TinyBGA采用BT樹脂
2018-08-28 16:02:11
，根據(jù)LED正向電壓隨溫度變化的原理，利用電流表、電壓表等常用工具，測(cè)量了T0封裝功率型LED器件的熱阻，對(duì)功率型LED的器件設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供有力支持。關(guān)鍵詞： 功率型LED；熱阻；TO封裝
2009-10-19 15:16:09
嗨，我嘗試使用XPE工具計(jì)算FPGA器件的功耗。我把結(jié)果提到的'Total On-Chip Power'。我注意到該值隨著電路板熱阻的變化而變化。功耗與電路板的熱阻有什么關(guān)系？相反，它應(yīng)該只影響IC
2019-03-21 16:18:59
基于Cotherm的自動(dòng)化熱流耦合計(jì)算及熱設(shè)計(jì)優(yōu)化
2021-01-07 06:06:32
計(jì)算大多數(shù)半導(dǎo)體器件結(jié)溫的過程廣為人知。通常情況下，外殼或引腳溫度已知。測(cè)量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝，包括
2018-09-30 16:05:03
射頻(RF)放大器可采用引腳架構(gòu)芯片級(jí)封裝(LFCSP)和法蘭封裝，通過成熟的回流焊工藝安裝在印刷電路板(PCB)上。PCB不僅充當(dāng)器件之間的電氣互聯(lián)連接，還是放大器排熱的主要途徑（利用封裝底部
2021-01-13 06:22:54
本帖最后由 偏偏要落腳 于 2015-5-5 12:49 編輯
求助，怎么做，非常急。 基于LabVIEW的兩臺(tái)污垢熱阻上位機(jī)軟件實(shí)現(xiàn)利用labview編程，設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)界面，在電腦屏幕上能夠
2015-05-05 12:46:29
算例？多組仿真算例的數(shù)據(jù)對(duì)比和優(yōu)化分析表明，兼顧仿真精度與計(jì)算效率的板級(jí)熱仿真技術(shù)可以較精確地預(yù)測(cè)芯片的結(jié)溫和殼溫，為系統(tǒng)級(jí)熱仿真提供更為準(zhǔn)確的局部環(huán)境？ 引言 由于電子設(shè)備產(chǎn)品的小型化？輕量化
2018-09-26 16:22:17
詳細(xì)建模需要對(duì)計(jì)算精度和效率 進(jìn)行平衡；3） 熱過孔對(duì)于板級(jí)熱仿真結(jié)果的精度影響明顯，直接影響到每個(gè)芯片尤其是不使用散熱片的芯片的散熱；4） 熱過孔可以通過截面積相等的原則進(jìn) 行簡(jiǎn)化，但不宜過粗
2018-09-26 16:03:44
大家有沒有做過八角封裝的串阻，怎么做？為什么要做成八角？
2019-06-05 11:33:25
，一些專用引線框架在封裝的每一面均熔接幾條引線，以起到均熱器的作用。這種方法為裸片焊盤的熱傳遞提供了較好的散熱路徑。IC與封裝散熱仿真散熱分析要求詳細(xì)、準(zhǔn)確的硅芯片產(chǎn)品模型和外殼散熱屬性。半導(dǎo)體供應(yīng)商
2021-04-07 09:14:48
，一些專用引線框架在封裝的每一面均熔接幾條引線，以起到均熱器的作用。這種方法為裸片焊盤的熱傳遞提供了較好的散熱路徑。IC與封裝散熱仿真散熱分析要求詳細(xì)、準(zhǔn)確的硅芯片產(chǎn)品模型和外殼散熱屬性。半導(dǎo)體供應(yīng)商
2022-07-18 15:26:16
大家好， 我對(duì)M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結(jié)溫感興趣。 3級(jí)器件的最高環(huán)境工作溫度為125°C，因此結(jié)溫必須更高。數(shù)據(jù)手冊(cè)中沒有提到最大結(jié)溫。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境熱阻。 最好的祝福， 托馬斯
2019-08-13 11:08:08
恒流、恒壓、恒阻仿真
2013-08-17 21:33:37
Rload的并聯(lián)值。如圖2.183，根據(jù)電路配置可知Vout為1V，RL為1.333KΩ,代入是2-102計(jì)算ADA4077直流功耗為10.5mW。3、熱阻芯片熱阻定義為熱量在從晶圓結(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)至環(huán)境空氣遇到
2021-03-11 09:29:39
2種新型的芯片封裝技術(shù)介紹在計(jì)算機(jī)內(nèi)存產(chǎn)品工藝中，內(nèi)存的封裝技術(shù)是內(nèi)存制造工藝中最關(guān)鍵一步，采用不同封裝技術(shù)的內(nèi)存條，在性能上存在較大差距。只有高品質(zhì)的封裝技術(shù)才能生產(chǎn)出完美的內(nèi)存產(chǎn)品。本文就主要
2009-04-07 17:14:08
在做時(shí)序仿真的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)一個(gè)問題,代碼如下：assign gateway_out1 = gateway_in10 * gateway_in11 結(jié)果發(fā)現(xiàn) 輸出帶有高阻態(tài),波形如圖。 在做功能仿真的時(shí)候沒有問題，做時(shí)序仿真就出現(xiàn)問題了。 請(qǐng)問這是什麼原因造成的。
2017-07-27 09:09:53
有什么方法可以降低IC封裝的熱阻嗎？求解
2021-06-23 07:24:48
的熱硬化黏膠、第二個(gè)方法使用導(dǎo)電黏膠和絕緣的底部填充膠。每一個(gè)測(cè)試組件都由測(cè)試電路載板和仿真芯片（dummychip）所組成。管腳陣列封裝的載板也被設(shè)計(jì)在同一片聚亞酰胺載板上，以便于未來用于測(cè)試神經(jīng)訊號(hào)
2018-09-11 16:05:39
求0201排阻封裝庫(kù) 和 圓形焊盤貼片封裝庫(kù)
2014-11-05 16:53:32
： TJ = TA + PD?JA 結(jié)溫 TJ 等于環(huán)境溫度 TA 加上器件功耗 PD 與器件熱阻 θJA 的乘積。根據(jù)我的經(jīng)驗(yàn)，這種計(jì)算相當(dāng)保守，得到的結(jié)溫大約比實(shí)際結(jié)溫高出 30%～50%，具體情況
2020-09-24 07:19:50
隨著大規(guī)模集成電路和大功率電子器件的發(fā)展,20世紀(jì)90年代鎢銅材料作為新型電子封裝和熱沉材料得到了發(fā)展,并以其明顯的優(yōu)勢(shì)得到日益廣泛的應(yīng)用。目前鎢銅材料主要用于大規(guī)模集成電路和大功率微波器中作為基片
2010-05-04 08:07:13
T0-220封裝的結(jié)-環(huán)境熱阻是50°C/W。因此，假定45°C/W的差值是殼至環(huán)境的熱阻值。在示例的電路中，這個(gè)值被指定為散熱器熱阻值。如果使用實(shí)際的散熱器，則采用發(fā)布的熱阻值。 如果提供了散熱器的熱容值
2018-10-17 11:43:12
，芯片功耗20W，芯片表面不能超過85℃，最高環(huán)境溫度55℃，計(jì)算所需散熱器的熱阻R。計(jì)算：實(shí)際散熱器與芯片之間的熱阻近似為0.1℃/W，則(R+0.1)=(85-55) ℃/20W，則R=1.4℃/W
2018-01-13 19:44:10
電機(jī)熱功率應(yīng)該如何計(jì)算呢？
強(qiáng)制風(fēng)冷的選型如何選擇呢？和電機(jī)的熱功率又有什么樣的聯(lián)系呢？
2023-11-24 06:54:24
前言這篇詳細(xì)的介紹了電機(jī)中的熱阻網(wǎng)絡(luò)模型該怎么建立，雖然是以某一個(gè)特定的永磁同步電機(jī)為例子，但是把它的思路給領(lǐng)會(huì)到了，在刻畫其他模型的時(shí)候就是舉一反三的事。再次感謝《基于熱阻網(wǎng)絡(luò)法的電機(jī)溫度場(chǎng)分析
2021-08-30 07:42:36
為了解決芯片的散熱問題，就不斷提高生產(chǎn)工藝，降低熱阻，同時(shí)也不斷通過技術(shù)層面提高芯片效率從而減少發(fā)熱量。這句話讓我們可以知道首先產(chǎn)生發(fā)熱的根源在于效率不高，其次解決的辦法有提高效率和降低器件熱阻兩種
2021-11-17 07:36:36
我想找BISS0001熱釋電處理芯片的PROTEUS仿真元件，但是在網(wǎng)上找了很久都沒找到。希望高手們能幫幫忙。
2014-09-12 11:31:37
分析圖5顯示了結(jié)到管殼的熱阻Rth(j-c)和管殼到環(huán)境的熱阻Rth(c-a)相對(duì)于芯片面積和封裝類型的計(jì)算值。芯片面積的范圍從0.25mm2到33.5mm2，封裝為TO220和TO247。 圖5
2018-12-03 13:46:13
芯片和封裝、周圍環(huán)境之間的溫度差按以下公式進(jìn)行計(jì)算。其中項(xiàng)目解說θｊａ結(jié)溫（Ｔｊ）和周圍溫度（Ｔａ）之間的熱阻ψｊｔ結(jié)溫（Ｔｊ）和封裝外殼表面溫度（Ｔｃ 1）之間的熱阻θｊｃ結(jié)溫（Ｔｊ）和封裝外殼背面
2019-09-20 09:05:08
封 雙列直插式封裝——用類似IC封裝的銅質(zhì)引線框架固定芯片，并焊接電極引線后用透明環(huán)氧包封，常見的有各種不同底腔的“食人魚”式封裝和超級(jí)食人魚式封裝，這種封裝芯片熱散失較好，熱阻低，LED的輸入功率可達(dá)0.1W
2017-12-11 09:42:36
做BGA封裝焊盤要做阻焊嗎？要選那個(gè)？
2019-07-22 01:44:50
大家有沒有做過八角封裝的串阻，怎么做？為什么要做成八角？
2018-12-25 09:11:24
請(qǐng)問如何計(jì)算跨阻運(yùn)放應(yīng)用的噪聲大?。╒rms）；
我猜想，噪聲大小與增益G和帶寬大小有關(guān)。謝謝！
2023-11-16 07:43:39
誰能提供一個(gè)0805排阻的ad9pcb封裝給我，8排或者16排的，謝謝了！如果沒請(qǐng)好心的人提供一下相應(yīng)的尺寸！謝謝了！
2013-10-06 00:10:33
分布?！ ‰S著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展和數(shù)值計(jì)算法在熱學(xué)方面的發(fā)展，計(jì)算機(jī)熱仿真技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。計(jì)算機(jī)熱仿真技術(shù)是利用計(jì)算機(jī)技術(shù)建立被仿真系統(tǒng)的模型，在一定的實(shí)驗(yàn)條件下對(duì)模型動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)的一門綜合性技術(shù)
2020-07-07 17:14:14
大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計(jì)算過程很多人都知道。通常情況下，外殼或接腳溫度已知。量測(cè)裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝
2018-10-08 14:45:41
`計(jì)算大多數(shù)半導(dǎo)體器件結(jié)溫的過程廣為人知。通常情況下，外殼或引腳溫度已知。測(cè)量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝
2014-08-19 15:40:52
高速DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
旋轉(zhuǎn)油封裝配過程仿真模擬計(jì)算
摘 要：旋轉(zhuǎn)油封的作用是在軸高速旋轉(zhuǎn)的條件下把油密封在油封的一側(cè)。本文運(yùn)用ANSYS分析軟件對(duì)軸與油封裝配過
2009-05-16 00:14:58
1640 
半導(dǎo)體技術(shù)按摩爾定理的發(fā)展，集成電路的密度將越來越高，且尺寸越來越小。所有芯片工作時(shí)都會(huì)發(fā)熱，熱量的累積必導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)溫度的升高，隨著結(jié)點(diǎn)溫度提高，半導(dǎo)體元器件性能將會(huì)下降，甚至造成損害。因此每個(gè)芯片廠家都會(huì)規(guī)定其半導(dǎo)元體器件的最大結(jié)點(diǎn)溫度。
2023-05-10 15:51:462954 
MMIC仿真設(shè)計(jì)上并未包含。本設(shè)計(jì)基于HFSS，充分考慮實(shí)際封裝寄生效應(yīng)，建立了完整的3D多芯片互連精準(zhǔn)模型，并給出了封裝前后仿真結(jié)果對(duì)比分析。
2023-08-30 10:02:071408 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論