國際整流器公司IR推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT,適合電動(dòng)車 (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用,包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池充電器等。
2012-05-17 10:00:20
1085 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1252 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1159 近日,德州儀器 (TI) 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:11
1115 WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動(dòng)器,具有高低邊兩路輸出,可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的輸入信號(hào)兼容 CMOS
2022-04-28 08:22:45
1935 
中國上海, 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:50
712 
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39
844 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET,根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
描述這款簡單的隔離型反激式設(shè)計(jì)可在 200mA 的條件下將 50V 至 600V 的輸入電壓轉(zhuǎn)換成 15V。LM5021-1 控制器因其脈沖跳躍模式而適用于綠色環(huán)保模式轉(zhuǎn)換器。由于脈沖跳躍模式的最大
2018-12-14 15:37:05
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qrr)和超快快恢復(fù)時(shí)間(trr),以及出色的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qg),能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個(gè)問題本人有臺(tái)開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個(gè)大容,四個(gè)場效應(yīng)管組成的對管,后經(jīng)變壓器,再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關(guān)管,大功率場效應(yīng)管,兩個(gè)對管。問問是怎么回事,會(huì)是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個(gè)項(xiàng)目,直流輸出有600V,輸出與控制板完全隔離,現(xiàn)在我想通過電阻分壓的方式對其進(jìn)行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因?yàn)檩敵龅叵鄬Π遄拥厥菓腋〉?,所以分壓電路設(shè)計(jì)上難把握。請問板上大聲有沒有有經(jīng)驗(yàn)的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
海飛樂技術(shù)有限公司是一家以快速恢復(fù)二極管(FRD)、快恢復(fù)模塊、超結(jié)MOSFET等新型功率半導(dǎo)體芯片及器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為主營業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。公司快恢復(fù)二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)
2019-10-24 14:25:15
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技術(shù),具有極低的RDS(on),低柵極電壓和高電流能力,非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
RDS(ON)MOSFET。 AON7804非常適合用于緊湊型DC / DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。推薦產(chǎn)品:AON7804AOS其它相關(guān)產(chǎn)品請 點(diǎn)擊此處 了解特性:V[sub]DS[/sub]=30VI[sub
2019-07-22 09:31:55
的非常寬的結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍.特征:?溝槽型Power MV MOSFET技術(shù)-60V?低RDS(ON)?低 GATE CHARGE?針對快速切換應(yīng)用程序進(jìn)行優(yōu)化?VDS:-60V?ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
DC12V-AH8669內(nèi)部集成600V高壓MOSFET,以滿足高電壓沖擊的需求。不同于典型的PWM控制方式。220V轉(zhuǎn)換12產(chǎn)品開關(guān)
2021-11-17 06:18:33
ADP2386的典型應(yīng)用編程輸入電壓UVLO上升閾值為11 V,下降閾值為10 V,VIN = 12 V,VOUT = 5 V,IOUT = 6 A,fSW = 600 kHz。 ADP2386
2020-05-05 06:47:14
使用內(nèi)部軟啟動(dòng)的典型應(yīng)用電路,VIN = 12 V,VOUT = 1.8 V,IOUT = 6 A,fSW = 600 kHz,用于ADP2386 20V,6A,同步降壓DC-DC穩(wěn)壓器
2019-08-12 07:38:58
1. 特性? 雙管正激電源 600V 高壓驅(qū)動(dòng)? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)? HIN、LIN 適應(yīng) 0-20V 輸入電壓? 小于 1uA 靜態(tài)電流? 最高頻率支持 500KHZ? 低端 VCC 電壓范圍
2022-09-09 16:21:19
1. 特性? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì),耐壓可達(dá) 600V? 適應(yīng) 5V、3.3V 輸入電壓? 最高頻率支持 500KHZ? VCC 和 VB 端電源帶欠壓保護(hù)? 低端 VCC 電壓范圍 10V-20V
2022-09-13 13:22:59
FAN7391MX是一款單片高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng) IC,可驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá) +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級(jí),所有 NMOS 晶體管設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高脈沖電流驅(qū)動(dòng)
2022-01-18 10:43:31
獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動(dòng)器有一個(gè)高脈沖電流緩沖級(jí),適用于最小的驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo),同時(shí)浮動(dòng)通道可以用來驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá)600V高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
IRS26302D:保護(hù)式600V三相柵極驅(qū)動(dòng)器
2016-06-21 18:26:25
確保高壓側(cè)電源開關(guān)的正確驅(qū)動(dòng)。驅(qū)動(dòng)器使用2個(gè)獨(dú)立輸入。特性:高壓范圍:高達(dá)600 VdV/dt抗擾度±50 V/nsec柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍為10 V至20 V高和低驅(qū)動(dòng)輸出輸出源/匯電流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
一、主控芯片——RM90231.產(chǎn)品亮點(diǎn)◆兩端口恒流芯片,無需取樣電阻,專利恒流技術(shù);◆芯片內(nèi)部限定恒流電流,線路極簡,無需調(diào)試;◆內(nèi)部集成600V高壓MOSFET;◆內(nèi)置過溫調(diào)節(jié)。2.產(chǎn)品概述
2019-12-24 17:13:28
具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性:欠壓鎖定,電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓,dV/dt柵極驅(qū)動(dòng)電源
2021-05-11 19:40:19
lighting LED調(diào)光驅(qū)動(dòng)芯片*NXP(PHILIPS)半導(dǎo)體系列快恢復(fù)二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8A/600V
2009-10-09 13:58:14
高壓。額定電壓每增加一倍,維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET,超過95%的電阻來自外延層。顯然,要想顯著減小RDS(on)的值,就需要找到一種
2017-08-09 17:45:55
低內(nèi)阻超結(jié)MOS NCE08N608A 600V內(nèi)阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結(jié)MOSFET: 3/5 A、600V 內(nèi)置快速恢復(fù)二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項(xiàng)技術(shù)
2018-11-20 10:52:44
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?,F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法,以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
某些明顯的優(yōu)勢。由于它們不同的器件結(jié)構(gòu),高壓BJT的制造成本要低于高壓MOSFET。正因如此,額定電壓在1kV或者以上的BJT的價(jià)格要低于通用輸入離線反激式轉(zhuǎn)換器中常見的600V或650V MOSFET
2022-11-17 07:51:39
現(xiàn)在需要一反向耐壓值為600V,電流為3A的整流橋作為開關(guān)電源的整流器,但是,這個(gè)高壓整流橋的壓降大,這樣引起的功耗就大,由于對開關(guān)電源的效率有要求,請問有什么辦法可以降低整流橋的功耗嗎?或者,有低壓降的高壓整流橋推薦嗎?
2014-05-13 19:53:40
lighting LED調(diào)光驅(qū)動(dòng)芯片*NXP(PHILIPS)半導(dǎo)體系列快恢復(fù)二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8A/600V
2009-10-09 13:40:17
lighting LED調(diào)光驅(qū)動(dòng)芯片*NXP(PHILIPS)半導(dǎo)體系列快恢復(fù)二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復(fù)19ns,8A/600V
2009-10-09 13:55:30
極大限制。不同耐壓的MOSFET的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOSFET,其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOSFET,其外延層電阻僅為 總導(dǎo)通電阻的29%,耐壓600V
2020-03-31 17:08:29
各位大大,最近在做雙向逆變,想問一下用2變比的高頻變壓器,高壓側(cè)600V降壓到300v,升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過600V嗎,有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓,請問有懂這個(gè)的能說一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
你好,PCB設(shè)計(jì)指南要求使用47uF電容器,表2.4中建議陶瓷電容器具有非常奇怪的特性,包括50mOhm的最小ESR和不存在的Murata部件號(hào)。 (至少,村田制作所的網(wǎng)站上限搜索不了解
2020-07-15 09:08:34
<概要>全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品,在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間(trr※1))的同時(shí),提高設(shè)計(jì)靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:31
<概要>全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品,在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間(trr※1))的同時(shí),提高設(shè)計(jì)靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:47
運(yùn)放正負(fù)12伏供電,運(yùn)放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓,mosfet的S極連接一個(gè)20歐姆電阻到地,20歐姆電阻連接運(yùn)放反饋端,我想把運(yùn)放個(gè)mosfet進(jìn)行隔離,求方案。求器件。整個(gè)原理其實(shí)就是運(yùn)放控制mosfet實(shí)現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
增加,外延層需要更厚和更輕摻雜,以阻斷高壓。額定電壓每增加一倍,維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET,超過95%的電阻來自外延層。顯然,要想顯著
2018-10-17 16:43:26
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路(HVIC)。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì),配有高端和低端驅(qū)動(dòng)器,可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
1.8-9V/3A 集成四顆 50mohm 功率開關(guān)的 H 橋線圈驅(qū)動(dòng)器功能描述:ETA7524 是一款集成了雙半橋(一個(gè) H 橋)驅(qū)動(dòng)和四個(gè)內(nèi)阻為 50mohm 的 9V/3A 功率開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器
2018-12-22 15:41:47
PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié),在相同的N-摻雜濃度時(shí),阻斷電壓還可進(jìn)一步提高?! ?nèi)建橫向電場MOSFET的主要特性 1、 導(dǎo)通電阻的降低 INFINEON的內(nèi)建橫向電場的MOSFET,耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
加深理解,最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表?!緲?biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列(600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
供應(yīng)600V20A高壓超結(jié)mos管SVS20N60P7D2 ,提供SVS20N60P7D2參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 15:16:15
供應(yīng)士蘭微cool mos SVSP24N60FJDD2 24A 600V,提供 超晶結(jié)mos管SVSP24N60FJDD2參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 16:09:17
SVSP24NF60FJDD2 超結(jié)mos 耐壓600V,24A,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)?,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:32:05
供應(yīng)14A,600V新型超結(jié)MOS器件SVS14N60FJD2,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌彰?,適配器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:31:47
供應(yīng)600V20A超結(jié)MOS士蘭微SVS20N60FJD2,提供士蘭微超結(jié)MOS SVS20N60FJD2關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:51:08
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術(shù)的 600V IGBT,即IGBT3在UPS中的應(yīng)用。在介紹最新溝槽柵場終止技術(shù)的背景后,本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)性能改進(jìn)和175℃的
2009-11-20 14:30:27
88 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢,可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44
594 Qspeed推出超高效率600V H系列整流器
益登科技(EDOM Technology)代理的Qspeed半導(dǎo)體今日宣布推出H系列組件,協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn),同時(shí)也提
2009-11-11 10:49:22
774 600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:18
1090 Vishay推出4款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:29
1279 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:34
1664 IR推出汽車驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,適用于汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)、微型逆變器驅(qū)動(dòng)和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:41
1349 
杰出的全系列電源管理解決方案供應(yīng)商─AOS
Alpha Omega Semiconductor公司(AOS)宣布發(fā)行500/600/650/700伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品。這標(biāo)志
2010-10-24 11:33:54
614 
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:57
1559 士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——F-CellTM系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發(fā)所推出的第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品
2011-03-28 09:20:22
1537 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器。
2011-04-01 09:36:43
783 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:46
847 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,適用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的車用高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2011-10-21 09:45:21
1669 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:42
1434 日前,集設(shè)計(jì),開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司(AOS),發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:24
2463 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:48
1938 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m(柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40
794 里首款MOSFET--- SiHx25N50E,該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗優(yōu)點(diǎn)。
2014-10-09 12:59:19
1468 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:11
1667 高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2103,替代FD2503,替代SDC9301
2017-11-23 14:17:32
33 高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2104,替代FD2504
2017-11-23 14:15:23
46 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅(qū) 動(dòng) 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時(shí)間,旨在避免出現(xiàn)意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時(shí)。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:00
11 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復(fù)整流器。
2022-10-14 16:11:24
1100 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %,為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案,同時(shí)柵極電荷下降 60 %,從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12
817 ASEMI IXTY02N50D/IXTU02N50D高壓功率MOSFET規(guī)格書免費(fèi)下載。
2022-11-04 15:23:00
0 600V SPM? 2 系列熱性能(通過安裝扭矩)
2022-11-15 20:04:03
0 N 溝道 50 V、0.90 mOhm、410 A 邏輯電平 LFPAK88 中的特定應(yīng)用 MOSFET-PSMNR90-50SLH
2023-02-09 21:57:06
0 LFPAK56E 中的 N 溝道 50 V、1.7 mOhm、200 A 連續(xù)邏輯電平專用 MOSFET-PSMN1R5-50YLH
2023-02-14 18:34:10
0 N 溝道 50 V、1.18 mOhm、280 A 邏輯電平 MOSFET,采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技術(shù),采用 LFPAK88-PSMN1R1-50SLH
2023-02-17 18:48:01
0 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:24
5 同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻,可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08
437 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:50
0 驪微電子是芯朋微一級(jí)代理商,提供ID2304D高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片600V,可兼容代換L6388,更多驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2021-12-29 14:25:49
9 SVS14N60FJD214A,600V超低內(nèi)阻高壓mos,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)?,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請。>>
2022-09-05 17:13:06
7 供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:59
2 供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:10
5 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01
473 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能,使其在長期惡劣的運(yùn)行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:15
1382 逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域?!?nbsp;ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn) ■ 浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V ■ 拉灌電流典型值210mA/36
2023-03-29 09:24:35
評(píng)論