LTE芯片可謂是LTE發(fā)展的一道短板，但隨著運營商部署的推進，相關(guān)芯片廠商也在加速攻關(guān)。一件引人注目的事件是聯(lián)芯科技發(fā)布了INNOPOWER原動力系列芯片的最新產(chǎn)品。具有標志意義的是LTE多模芯片LC1761系列，一款是可支持到4G、3G、2G的LC1761，該款芯片是率先支持祖沖之算法的LTE多模芯片；另外一款是純4G版本，即支持TD-LTE和LTEFDD的雙?；鶐酒琇C1761L，該芯片不但可以滿足純LTE數(shù)據(jù)終端市場需求，也可與其他各種制式靈活適配，滿足多樣化的市場需求。雖然芯片“成熟度”的提升將為LTE加快商用破解最后一道“難關(guān)”，但其發(fā)展仍面臨重重挑戰(zhàn)。

　　多模多頻成為挑戰(zhàn)

　　多模多頻對終端設備的技術(shù)要求很高，芯片的設計和算法也應根據(jù)多模特性進行優(yōu)化。

　　多模LTE解決方案面臨多重挑戰(zhàn)，主要挑戰(zhàn)是要支持日漸增多的頻段，以滿足部署和漫游需求。

　　目前，在多模頻段上，不同國家有不同的頻段。在TD-LTE方面，中國、日本、美國的應用頻段各不相同，中國TD-LTE應用在38頻段、39頻段和40頻段，日本和美國是在41頻段部署TD-LTE技術(shù)。此外，在LTEFDD方面，使用的光譜頻段更具多樣性。

　　多模多頻的具體挑戰(zhàn)表現(xiàn)在兩個方面：一方面由于需要支持LTE和2G、3G多個模式、多個頻段，對終端設備的技術(shù)有很高的要求，需要支持近17個不同的頻段；另一方面，對于不同的國家和地區(qū)之間該如何協(xié)調(diào)頻段間的資源，這也是一個至關(guān)重要又比較棘手的問題。

　　“多模需要克服系統(tǒng)互操作性、芯片復雜度、系統(tǒng)干擾、芯片面積與成本、終端結(jié)構(gòu)等技術(shù)挑戰(zhàn)?！敝剜]信科市場總監(jiān)彭大芹也指出。

　　Marvell移動產(chǎn)品市場總監(jiān)張路博士強調(diào)，在設計上，需要能夠適應不斷提升的LTE互操作需求；在技術(shù)上，需要提供穩(wěn)健的切換能力及低功耗性能。

　　“整個芯片的設計和算法都要根據(jù)多模的特性進行優(yōu)化，射頻芯片設計的復雜度和配套外圍器件的復雜度也都很高。還需要根據(jù)實際需求定制相關(guān)的元器件?！闭褂?a href="http://www.www27dydycom.cn/v/tag/1301/" target="_blank">通信有限公司市場經(jīng)理王舒翀認為。

　　北京創(chuàng)毅訊聯(lián)科技股份有限公司董事長兼CEO張輝博士指出：“多模TD-LTE產(chǎn)品重點在消費類市場，會隨著中國移動的布局和用戶的需求逐步成為市場的主流。在實現(xiàn)多模技術(shù)上，主要解決互操作性問題?！?/p>

　　面臨多模多頻的技術(shù)挑戰(zhàn)，各家企業(yè)也在技術(shù)上進行探索實現(xiàn)，也看到一些顯著的成效。

　　Marvell研制的多模TD-LTE調(diào)制解調(diào)芯片PXA1802，在技術(shù)上能夠支持無縫的移動通信。重郵信科CYIT前期主要側(cè)重支持LTE/TD-SCDMA/GSM多模。創(chuàng)毅已經(jīng)出貨TDD/FDD共模的芯片WarpDrive5000，未來還將陸續(xù)推出支持TDL和TDS的多模芯片WarpDrive6000，并和采用28nm工藝的LTEadvanced的基帶芯片一起，成為LTE多模全平臺的智能手機turnkey方案。展訊去年發(fā)布首款基于40nm工藝的TD-LTE多模基帶芯片SC9610，該單顆芯片集成了多模通信標準，包括多頻段TD-LTE/TD-SCDMA和四頻EDGE/GSM/GPRS。

　　LTE規(guī)模商用還需2～3年

　　終端的話音、功耗、體積、應用等問題解決后，LTE才能規(guī)模發(fā)展。

　　LTE目前大部分是數(shù)據(jù)類終端，多模手機LTE模塊僅用于數(shù)據(jù)業(yè)務，語音解決方案尚不成熟，LTE商用進度如何，何時能夠規(guī)模商用，這些也成為業(yè)界關(guān)注的問題。

　　張路指出，由于多模LTE智能手機一般需要配備3G芯片和LTE基帶芯片，這樣的架構(gòu)對功耗優(yōu)化帶來很大的挑戰(zhàn)。因為3G和4G無線接收發(fā)射器各自獨立運行，這樣在測量、處理、協(xié)調(diào)等方面會造成許多重復。

　　“目前基于3G手機的大部分方案是65nm，平均待機時間為1天半，已經(jīng)獲得市場的認可；對于LTE手機來說，40nm可以達到商用標準。創(chuàng)毅已率先推出國內(nèi)LTE/TDS的多模手機，功耗達到了移動二階段試驗網(wǎng)的要求，未來的手機功耗將隨著智能機的普及越來越會受到大家的關(guān)注，芯片將會演進到28nm工藝?！睆堓x認為。

　　TD-LTE未來市場廣闊，展訊已開始配合國內(nèi)外客戶開發(fā)支持TD-LTE的各種終端產(chǎn)品。

　　張路提到，目前TD-LTE在全球的部署正在展開，但市場表現(xiàn)不一。由于各國頻譜管制政策和法規(guī)不同，TD-LTE可能首先在中國之外的地區(qū)實現(xiàn)商業(yè)化部署。然而，中國仍然是最大的TD-LTE移動市場，中國移動為部署TD-LTE也出臺了一系列的策略，推動TD-LTE不斷走強。Marvell推出的基于40nm工藝的LTE基帶芯片PXA1802能夠支持包括數(shù)據(jù)軟件狗、LTEMiFi及LTE智能手機在內(nèi)的多種技術(shù)。Marvell將在2013年致力于單芯片片上系統(tǒng)解決方案的開發(fā)，將領先的基帶集成到高性能、多核應用處理器技術(shù)中。

　　中興通訊微電子研究院技術(shù)總監(jiān)朱曉明告訴記者：“從目前的應用上講，45nm工藝終端芯片支持多模手機是沒有問題的。LTE模塊耗電雖然有些高，但是傳輸速度大，耗時就會短，實際上是省電的。LTE真正要把潛能發(fā)揮出來，比如容量更大、傳輸速度更高、能耗更低，則需要28nm的工藝。LTE大規(guī)模的推出需要等到2013年?！?/p>

　　TD-LTE技術(shù)優(yōu)勢主要體現(xiàn)在數(shù)據(jù)業(yè)務上。在TD-LTE發(fā)展初期和此后較長一段時間內(nèi)，支持數(shù)據(jù)業(yè)務的數(shù)據(jù)卡、MIFI等數(shù)據(jù)類終端產(chǎn)品將是市場主要的產(chǎn)品形態(tài)。

　　“LTE智能終端只有在話音、功耗、體積、應用等終端環(huán)節(jié)解決后才可能規(guī)模發(fā)展，預計將在2014年之后。”彭大芹認為。

　　未來TD-LTE將向TD-LTE-A演進，需要支持更高速率的傳輸，這對芯片廠商提出了更高的要求。