由于技術(shù)上仍存在挑戰(zhàn)，使得3D IC一直都成為半導(dǎo)體業(yè)界想發(fā)展，卻遲遲到不了的禁區(qū)。盡管如此，國(guó)際半導(dǎo)體材料協(xié)會(huì)SEMI仍樂觀認(rèn)為，系統(tǒng)化的半導(dǎo)體技術(shù)仍將是主流趨勢(shì)，這意味著 3D IC的發(fā)展將不會(huì)停下腳步。但在3D IC技術(shù)仍未成熟的現(xiàn)階段，2.5D IC是最好的替代方案。

　　SEMI認(rèn)為，目前2.5D IC從設(shè)計(jì)工具、制造、封裝測(cè)試等方案都已準(zhǔn)備就緒，目前將致力于將量產(chǎn)流程標(biāo)準(zhǔn)化，讓2.5D IC在2014年能正式進(jìn)行量產(chǎn)。至于3D IC，到2016年將有較大幅度的成長(zhǎng)空間。

　　事實(shí)上，2.5D IC等于是3D IC在諸多制程與整合問題難以客克服的情況下，半導(dǎo)體業(yè)者退而求其次的方案，因此也被某種程度上也被定義為相對(duì)過渡的技術(shù)，業(yè)界仍以實(shí)現(xiàn)3D IC為最重要目標(biāo)。要實(shí)現(xiàn)3D IC，就必須利用TSV（硅穿孔）技術(shù)，來讓芯片互連，完成芯片的異質(zhì)性堆棧。

　　然而現(xiàn)階段TSV針對(duì)裸晶如何有效散熱并讓芯片運(yùn)作等問題，仍存在挑戰(zhàn)。2.5D IC則是讓裸晶間采平行排列方式，在中介層進(jìn)行鏈接，縮短訊號(hào)的延遲時(shí)間并提升系統(tǒng)的整體效能。

　　業(yè)界認(rèn)為，目前2.5D及3D IC制程方案已逐漸成熟，產(chǎn)業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)仍在量產(chǎn)能力的有效提升。包括臺(tái)積電、日月光、意法、三星、爾必達(dá)、美光、Global foundries、IBM、Intel等半導(dǎo)體大廠都已投入3D IC的研發(fā)與生產(chǎn)。

　　SEMI 表示，3D IC的主要技術(shù)趨勢(shì)就是多芯片封裝，也就是將更多晶體管封裝在3D IC中，可加速內(nèi)存與處理器間的溝通。也正由于多芯片封裝技術(shù)需求增加，使得3D IC市場(chǎng)倍受矚目。多芯片封裝技術(shù)將兩種以上內(nèi)存芯片透過整合與堆棧設(shè)計(jì)，封裝在同一個(gè)BGA封裝中，比起兩個(gè)薄型TSOP封裝，還節(jié)省70%空間。

　　TechNavio分析預(yù)測(cè)，今年起至2016年，全球3D IC市場(chǎng)的年復(fù)合成長(zhǎng)率為19.7%，主要來自移動(dòng)裝置的內(nèi)存需求增加。3D IC可改善內(nèi)存的性能與穩(wěn)定度，并減低成本與縮小尺寸。