電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/程文智）這幾年GaN和SiC等第三代半導(dǎo)體器件的商用化進(jìn)展還不錯(cuò)，GaN器件在快充上開(kāi)始大規(guī)模應(yīng)用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角?，F(xiàn)在大家對(duì)第三代半導(dǎo)體器件的前景非?？春?，很多
2021-12-27 09:01:00
4168 可編程邏輯器件伴隨著半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展而不斷發(fā)展，其發(fā)展可以劃分為以下4個(gè)階段。
2021-08-17 09:16:009401 
的一年，射頻半導(dǎo)體行業(yè)有望繼續(xù)取得多項(xiàng)新進(jìn)展，可能會(huì)面臨一些波折，但總體來(lái)講勢(shì)必將實(shí)現(xiàn)大量前沿技術(shù)創(chuàng)新。在MACOM、射頻能量聯(lián)盟及有關(guān)半導(dǎo)體服務(wù)商的共同努力下，新的一年有望在半導(dǎo)體相關(guān)更多領(lǐng)域，為客戶
2018-02-08 11:01:42
工程學(xué)會(huì)重慶市造船工程學(xué)會(huì)重慶兩江半導(dǎo)體研究院重慶集成電路技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟重慶市機(jī)器人與智能裝備產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會(huì)協(xié)辦單位: 陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) 浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)成都市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)天津市集成
2019-12-10 18:20:16
我國(guó)科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國(guó)氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
《電子電路分析與設(shè)計(jì)：半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用》主要內(nèi)容：電子學(xué)是研究電荷在空氣、真空和半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動(dòng)的一門科學(xué)（注意此處不包括電荷在金屬中的運(yùn)動(dòng)）。這一概念最早起源于20世紀(jì)早期，以便和電氣工程
2018-11-13 15:34:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
今年剛考上研究生 本科是學(xué)通信的 無(wú)奈被調(diào)劑到專碩 導(dǎo)師是研究半導(dǎo)體器件的 對(duì)這方面不是很了解 想問(wèn)下它的就業(yè)前景怎么樣 以后想往集成電路設(shè)計(jì)方面發(fā)展容易嗎？
2012-07-01 23:15:00
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
，無(wú)論是電容式或是電感式，其原理類似，在一塊集成有成千上萬(wàn)半導(dǎo)體器件的“平板”上，手指貼在其上與其構(gòu)成了電容（電感）的另一面，由于手指平面凸凹不平，凸點(diǎn)處和凹點(diǎn)處接觸平板的實(shí)際距離大小就不一樣，形成的電容
2014-10-19 17:48:27
監(jiān)測(cè)測(cè)試設(shè)備：總結(jié)隨著器件設(shè)計(jì)難度加大，高精度高可靠性測(cè)試設(shè)備越來(lái)越被前沿研究所依賴。半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中起到非常關(guān)鍵的角色，科學(xué)的設(shè)計(jì)需要實(shí)際的測(cè)量來(lái)驗(yàn)證，沒(méi)有測(cè)量就沒(méi)有科學(xué)，這對(duì)半導(dǎo)體日益縮小的尺寸和規(guī)模的不斷增大所用到的測(cè)試設(shè)備提出更高的要求。
2020-05-09 15:22:12
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到，能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息，以及這些設(shè)備的國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
還有待完善。 半導(dǎo)體指紋傳感器由于所使用的半導(dǎo)體本身就是損耗件，相對(duì)于光學(xué)傳感器都存在使用壽命短。光學(xué)指紋傳感器圖像采集技術(shù) 光學(xué)指紋采集技術(shù)是最古老也是目前應(yīng)用最廣泛的指紋采集技術(shù)，光學(xué)指紋采集設(shè)備
2012-06-04 16:43:40
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體三極管的簡(jiǎn)易測(cè)試小結(jié)思考題附錄一國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法附錄二半導(dǎo)體二極管參數(shù)舉例附錄三半導(dǎo)體三極管參數(shù)舉例第二章 低頻小信號(hào)放大電路第一節(jié) 關(guān)于低頻放大器的基本常識(shí)第二節(jié) 單級(jí)低頻小信號(hào)放大
2008-07-11 13:05:29
，導(dǎo)電能力明顯改變。2. 本征半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件時(shí)用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺，它們?cè)雍说淖钔鈱佣?有4個(gè)價(jià)電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體
2017-07-28 10:17:42
，導(dǎo)電能力明顯改變。2. 本征半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件時(shí)用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺，它們?cè)雍说淖钔鈱佣?有4個(gè)價(jià)電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體
2018-02-11 09:49:21
（ microchip ）、集成電路（in te grated circuit, IC）。是指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小。一般而言，芯片（IC）泛指所有的半導(dǎo)體元器件，是在硅板上集合多種電子元器件實(shí)現(xiàn)某種特定功能
2020-11-17 09:42:00
硅基光電子集成芯片，摩爾定律：摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來(lái)的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月
2021-07-27 08:18:42
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
光子集成電路(PIC)是一項(xiàng)新興技術(shù)，它基于晶態(tài)半導(dǎo)體晶圓集成有源和無(wú)源光子電路與單個(gè)微芯片上的電子元件。硅光子是實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展性、低成本優(yōu)勢(shì)和功能集成性的首選平臺(tái)。采用該技術(shù)，輔以必要的專業(yè)知識(shí)，可
2017-11-02 10:25:07
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度
2020-12-28 11:21:38
集成電路是一種微型電子器件或部件，它是采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有
2021-09-15 06:45:56
CCD(Charge Coupled Devices)電荷耦合器件是20世紀(jì)70年代初發(fā)展起來(lái)的新型半導(dǎo)體集成光電器件。近30年來(lái)，CCD器件及其應(yīng)用技術(shù)的研究取得飛速進(jìn)展，特別是在圖像傳感和非接觸
2019-10-22 07:28:34
）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過(guò)氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸
2023-02-23 15:24:55
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
趕上甚至超過(guò)了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用?！币夥?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來(lái)作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來(lái)替代磁控管帶來(lái)好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來(lái)越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來(lái)越多，價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
和 102 之間變化Q cm（硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間）。半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，因?yàn)樗鼈兊膸叮▋r(jià)帶最高能級(jí)與電導(dǎo)帶最低能級(jí)之間的能量差）相對(duì)較小。分子軌道理論指出，當(dāng)原子
2021-07-01 09:38:40
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
/index.html摘要III-V 族材料與絕緣體上硅 (SOI) 平臺(tái)的混合集成是基于二乙烯基硅氧烷-雙苯并環(huán)丁烯（簡(jiǎn)稱 DVS-BCB 或 BCB）的有源光子器件制造和粘合的有前景的策略出現(xiàn)作為適合這種集成的工業(yè)
2021-07-08 13:14:11
的特殊橫向限制，已顯示出成為光學(xué)、光電和電子器件的巨大潛力。具有亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體納米線表現(xiàn)出強(qiáng)大的光學(xué)米氏共振，使其成為實(shí)現(xiàn)新型光學(xué)器件（如極端太陽(yáng)能吸收器和寬帶光捕獲器件）的理想平臺(tái)。這種特殊的一維
2021-07-09 10:20:13
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長(zhǎng)的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長(zhǎng)的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
的電子工程是一個(gè)嶄新的領(lǐng)域，主要研究真空管中的電荷運(yùn)動(dòng)。如今，電子學(xué)研究的內(nèi)容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學(xué)研究集成電路（IC）技術(shù)，它能夠在一塊半導(dǎo)體材料上制造包含數(shù)百萬(wàn)甚至更多個(gè)電路元件
2018-02-08 18:13:14
/控制/保護(hù)/接口/監(jiān)測(cè)等外圍電路集成；而分立功率半導(dǎo)體器件則是功率模塊與功率IC的關(guān)鍵。圖表1 功率半導(dǎo)體器件分類（來(lái)源：中泰證券研究所）功率半導(dǎo)體器件又可根據(jù)對(duì)電路信號(hào)的可控程度分為全控型、半控型
2019-02-26 17:04:37
建模工具所采用?；谄?b class="flag-6" style="color: red">集成的并行SPICE引擎，BSIMProPlus提供強(qiáng)大的全集成SPICE建模平臺(tái)，可以用于對(duì)各種半導(dǎo)體器件從低頻到高頻的各種器件特性的SPICE建模，包括電學(xué)特性測(cè)試、器件模型
2020-07-01 09:36:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:44 編輯
找了好久的資料，東芝全系列半導(dǎo)體器件替代RENESAS型號(hào)列表，日文原版。
2012-12-11 14:11:24
、3-三極管 第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
，除了電感器和一些無(wú)源元件，大多數(shù)電子器件都可以在單個(gè)硅芯片上制造。硅是用于集成電路(IC)制造的最常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，盡管它不是唯一的一種。讓我們來(lái)研究一下集成電路制造中使用的不同的半導(dǎo)體材料，以及
2022-04-04 10:48:17
50多年前硅（Si）集成電路的發(fā)明意義重大，為我們當(dāng)前所享受的現(xiàn)代計(jì)算機(jī)和電子產(chǎn)品時(shí)代鋪平了道路。但是正如俗話所說(shuō)，天下沒(méi)有不散的筵席，現(xiàn)在存在疑問(wèn)的是，硅在半導(dǎo)體行業(yè)的霸主地位將何時(shí)終結(jié)？據(jù)
2019-07-30 07:27:44
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤(pán)，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
仿真技術(shù)在半導(dǎo)體和集成電路生產(chǎn)流程優(yōu)化中的應(yīng)用閔春燕(1)  
2009-08-20 18:35:32
請(qǐng)教，關(guān)于MIP705半導(dǎo)體集成電路的應(yīng)用，請(qǐng)有識(shí)之士不惜賜教。
2012-09-22 17:33:44
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
激光器的主流。盡管半導(dǎo)體激光器的缺點(diǎn)是光束發(fā)散角大，光束質(zhì)量較差。但近年來(lái)微光學(xué)加工技術(shù)和光學(xué)整形技術(shù)的發(fā)展使得半導(dǎo)體激光器輸出的光束質(zhì)量大大提高。同時(shí)半導(dǎo)體激光物理器件技術(shù)正向縱深方向推進(jìn)，其原始
2022-01-10 14:30:55
技術(shù)、現(xiàn)代化學(xué)等方面的進(jìn)步，同時(shí)它的進(jìn)展又極大地促進(jìn) 了相鄰學(xué)科的交叉和持續(xù)發(fā)展。眾多的科研機(jī)構(gòu)在與標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝兼容的硅基光學(xué)器件方面開(kāi)展了廣泛而深 入的研究工作，已經(jīng)取得了顯著研究成果，許多關(guān)鍵技術(shù)獲得
2011-11-15 10:51:27
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
科技有限公司已可以提供商業(yè)化的SOI材料。在SOI器件和電路研制方面有中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58所、航天時(shí)代集團(tuán)第七七一研究所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所等。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究
2011-07-06 14:11:29
、天文學(xué)、環(huán)境科學(xué)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。THz振蕩源則是THz頻段應(yīng)用的關(guān)鍵器件。研制可以產(chǎn)生連續(xù)波發(fā)射的固態(tài)半導(dǎo)體振蕩源是THz技術(shù)研究中最前沿的問(wèn)題之一?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的THz輻射源有體積小、易集成
2019-05-28 07:12:25
silicon photonic circuits“。基于鍺離子注入的硅波導(dǎo)工藝和激光退火工藝，他們實(shí)現(xiàn)了可擦除的定向耦合器，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了可編程的硅基集成光路，也就是所謂的光學(xué)FPGA。
2019-10-21 08:04:48
安森美半導(dǎo)體電源方案部（PSG）加速了擴(kuò)展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣容，針對(duì)汽車應(yīng)用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認(rèn)證的器件數(shù)現(xiàn)已超過(guò)4,000，是該行業(yè)中最大的供應(yīng)商
2018-10-25 08:53:48
去年九月，安森美半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體。上周，我們完成了前Fairchild半導(dǎo)體產(chǎn)品信息向安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴(kuò)展
2018-10-31 09:17:40
高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前在臺(tái)北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會(huì)上，針對(duì)如何防止靜電放電(ESD) 所帶來(lái)的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個(gè)層級(jí)
2019-05-30 06:50:43
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來(lái)，無(wú)線通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無(wú)線
2019-07-05 06:53:04
；第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見(jiàn)表 3.1 所示。2.日本常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 3.美國(guó)常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 4.常用的整流二極管型號(hào)及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國(guó)外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲(chǔ)器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國(guó)化學(xué)協(xié)會(huì)ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（ReRAM）具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32
新型銅互連方法—電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究進(jìn)展多孔低介電常數(shù)的介質(zhì)引入硅半導(dǎo)體器件給傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光（ＣＭＰ）技術(shù)帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)，低ｋ 介質(zhì)的脆弱性難以承受傳統(tǒng)ＣＭＰ 技術(shù)所施加的機(jī)械力。一種結(jié)合了
2009-10-06 10:08:07
問(wèn)個(gè)菜的問(wèn)題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來(lái)個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
。我們通常提及的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)除了半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)，制造及封裝之外，還包括硅材料制造業(yè)及封裝材料制造業(yè)。由于集成電路是半導(dǎo)體技術(shù)的核心，集成電路的發(fā)展及其在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，極大地推動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)的進(jìn)步
2008-09-23 15:43:09
`繼續(xù)奉送畢業(yè)研究生的學(xué)習(xí)資料包括 微電子學(xué)概論、半導(dǎo)體集成電路、微電子學(xué)處理技術(shù)等多年的珍藏，對(duì)IC設(shè)計(jì)學(xué)習(xí)非常的用幫助畢業(yè)研究生繼續(xù)送資料—微電子學(xué)概論、半導(dǎo)體集成電路等[hide][/hide]`
2011-12-15 14:04:37
、日本等國(guó)家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國(guó)***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來(lái)，化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步，為化合物半導(dǎo)體
2019-06-13 04:20:24
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
電源管理半導(dǎo)體的新進(jìn)展1979年電力電子學(xué)會(huì)在我國(guó)成立，此后，人們開(kāi)始把用于大功率方向的器件稱為電力半導(dǎo)體。由于微電子學(xué)把相關(guān)的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導(dǎo)體和電力
2009-12-11 15:47:08
·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體器件
2020-04-22 11:55:14
電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過(guò)氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸鋁等
2020-02-18 13:23:44
`泰科天潤(rùn)招聘貼~研發(fā)工程師崗位職責(zé)：1.半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)；2.半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)；3.研究SiC功率器件方面的最新進(jìn)展，包括研究文獻(xiàn)、新設(shè)計(jì)、新技術(shù)、新產(chǎn)品等；4.協(xié)助小組項(xiàng)目開(kāi)發(fā)。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。 半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類
2016-11-27 22:34:51
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
本文對(duì)半導(dǎo)體泵浦固體激光陀螺近年來(lái)研究進(jìn)展做了分析和評(píng)述，表明半導(dǎo)體泵浦固體激光陀螺是一種全新可行的激光陀螺方案。
2009-07-18 11:16:11
20 半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類
半導(dǎo)體器件從肯有2個(gè)管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:025984 文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。
2011-06-29 09:34:371846 日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室(三室)在阻變存儲(chǔ)器微觀機(jī)制研究中取得系列進(jìn)展。
2012-04-13 09:31:301004 近幾年來(lái)，現(xiàn)代光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在光纖傳感關(guān)鍵技術(shù)、微納光纖及其器件、負(fù)折射率介質(zhì)和光子晶體、高清晰度液晶投影顯示技術(shù)及系統(tǒng)、多功能高集成度光電子集成器件等研究方向取得了突出進(jìn)展。在激光與非線性
2017-11-02 15:44:1210 在科技部和中國(guó)科學(xué)院的大力支持下，半導(dǎo)體研究所集成技術(shù)工程研究中心相關(guān)課題組多年來(lái)致力于射頻諧振器件以及相關(guān)的測(cè)試表征系統(tǒng)的研制工作，在諧振器構(gòu)型、微納加工工藝、器件測(cè)試方法研究和測(cè)試系統(tǒng)組建等方面
2017-12-10 11:09:01728 研究人員在近紅外光學(xué)活性材料的設(shè)計(jì)構(gòu)建及生物應(yīng)用研究中取得進(jìn)展，設(shè)計(jì)構(gòu)建了具有雙光子激發(fā)、近紅外發(fā)射特性的仿生熒光探針并成功將其應(yīng)用于活體腫瘤的高清晰度熒光成像。
2018-03-22 17:28:284001 
記者近日從內(nèi)蒙古大學(xué)獲悉，該校王蕾研究員帶領(lǐng)的科研團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體抗光腐蝕研究方面取得新進(jìn)展，得到國(guó)家自然科學(xué)基金等多個(gè)項(xiàng)目的認(rèn)可支持。鈍化層助力BiVO4抗光腐蝕研究的相關(guān)成果已于近日在國(guó)際化
2020-10-14 14:29:111709 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號(hào)：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝?；贗II-V半導(dǎo)體的器件，?這項(xiàng)工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
近期，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所游經(jīng)碧研究員帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)在p-i-n反型結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的p型空穴傳輸層設(shè)計(jì)和可控生長(zhǎng)等方面取得重要進(jìn)展。
2023-11-25 17:28:41333 
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