上制造的器件卻分別以9.5%和6%的復(fù)合年增長(zhǎng)率獲得增長(zhǎng)。如此令人印象深刻的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)來(lái)自于200mm和150mm晶圓超越摩爾器件緩慢增長(zhǎng)的支撐。iPhone每年超過(guò)2億美元的銷量,帶來(lái)了每年超過(guò)30萬(wàn)
2019-05-12 23:04:07
還在進(jìn)行淘汰賽,由于部分廠商在策略上依舊選擇高
稼動(dòng)率消耗產(chǎn)能、攤提成本,搶占市占
率,因此未來(lái)五年多晶硅、硅
晶圓、電池片的產(chǎn)出依舊高于市場(chǎng)需求,市場(chǎng)價(jià)格以及產(chǎn)品需求仍處于是混亂的狀態(tài)。模塊端則因?yàn)檎莆?/div>
2012-12-02 17:30:59
又全數(shù)到臺(tái)尋求產(chǎn)能幫助,導(dǎo)致早已供不應(yīng)求的8吋晶圓產(chǎn)能缺貨持續(xù)擴(kuò)大。不止在臺(tái)尋求產(chǎn)能幫助,遠(yuǎn)到日、韓、新加坡及馬來(lái)西亞,甚至俄羅斯都有臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司前往投石問(wèn)路,畢竟,以目前臺(tái)積電、聯(lián)電及世界先進(jìn)
2020-10-15 16:30:57
,我們將采用穿硅通孔(TSV)用于晶圓級(jí)堆疊器件的互連。該技術(shù)基本工藝為高密度鎢填充穿硅通孔,通孔尺寸從1μm到3μm。用金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積(MOCVD)淀積一層TiN薄膜作為籽晶層,隨后同樣也采用
2011-12-02 11:55:33
估計(jì)製程不良率ppm
2012-08-11 10:06:28
的是,三星與英特爾目前晶圓代工的比重均不高,但投入的研發(fā)及資本支W29C040P-90出與臺(tái)積電相比有過(guò)之STM32F103C8T6而無(wú)不及,是否能夠追趕上臺(tái)積電,已是全球關(guān)注焦點(diǎn)。 以上資料由元器件交易網(wǎng)
2012-08-23 17:35:20
陸續(xù)復(fù)工并維持穩(wěn)定量產(chǎn),但對(duì)硅晶圓生產(chǎn)鏈的影響有限。只不過(guò),4月之后新冠肺炎疫情造成各國(guó)管控邊境及封城,半導(dǎo)體材料由下單到出貨的物流時(shí)間明顯拉長(zhǎng)2~3倍。 庫(kù)存回補(bǔ)力道續(xù)強(qiáng) 包括晶圓代工廠、IDM
2020-06-30 09:56:29
采用厚度150μm的晶圓以維持2:1的縱橫比?! 榱送瓿蒑OSFET功率放大器所需WLP封裝工藝的開(kāi)發(fā),藍(lán)鯨計(jì)劃聯(lián)盟的成員DEK和柏林工業(yè)大學(xué)開(kāi)發(fā)出一種焊球粘植工藝,可在直徑為6英寸的晶圓上以500
2011-12-01 14:33:02
`晶圓切割目的是什么?晶圓切割機(jī)原理是什么?一.晶圓切割目的晶圓切割的目的,主要是要將晶圓上的每一顆晶粒(Die)加以切割分離。首先要將晶圓(Wafer)的背面貼上一層膠帶(Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
Test and Final Test)等幾個(gè)步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測(cè)工序?yàn)榍岸危‵ront End)工序,而構(gòu)裝工序、測(cè)試工序?yàn)楹蠖危˙ack End)工序。1、晶圓處理工序:本工序的主要工作
2011-12-01 15:43:10
+ 4HNO3 + 6 HF? 3H2SiF6 +4 NO + 8H2O 拋光:機(jī)械研磨、化學(xué)作用使表面平坦,移除晶圓表面的缺陷八、晶圓測(cè)試主要分三類:功能測(cè)試、性能測(cè)試、抗老化測(cè)試。具體有如:接觸測(cè)試
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本階段:晶圓制造(材料準(zhǔn)備、長(zhǎng)晶與制備晶圓)、積體電路制作,以及封裝。晶圓制造過(guò)程簡(jiǎn)要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圓制造的基礎(chǔ)知識(shí),適合入門。
2014-06-11 19:26:35
就不得不把16個(gè)芯片中的4個(gè)報(bào)廢掉(即占這塊硅晶圓的1/4 )。如果這塊硅晶圓代表我們生產(chǎn)過(guò)程中生產(chǎn)的所有硅晶圓,這意味著我們廢品率就是1/4,這種情況將導(dǎo)致制造成本的上升?! ≡跓o(wú)法對(duì)現(xiàn)在的制造進(jìn)程
2011-12-01 16:16:40
”)3.將硅晶棒切片、研磨、拋光,做成晶圓4.設(shè)計(jì) IC 電路/利用光罩技術(shù)將電路復(fù)制到晶圓上5.經(jīng)過(guò)測(cè)試后進(jìn)行切割、封裝,成為芯片6.芯片再經(jīng)過(guò)測(cè)試,就可以組裝到印刷電路板上,再安裝至電子產(chǎn)品內(nèi)晶圓
2022-09-06 16:54:23
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
短,帶來(lái)更好的電學(xué)性能?! ? 晶圓封裝的缺點(diǎn) 1)封裝時(shí)同時(shí)對(duì)晶圓商所有芯片進(jìn)行封裝,不論時(shí)好的芯片或壞的芯片都將被封裝,因此在晶圓制作的良率不夠高時(shí),就會(huì)帶來(lái)多余的封裝成本和測(cè)試的時(shí)間浪費(fèi)
2021-02-23 16:35:18
`美國(guó)Tekscan公司研發(fā)的I-SCAN系統(tǒng)可以解決晶圓制作過(guò)程中拋光頭與晶圓接觸表面壓力分布不均勻,導(dǎo)致高不良率出現(xiàn)的問(wèn)題。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中只需要將目前世界上最薄的壓力傳感器(0.1mm)放置于拋光
2013-12-04 15:28:47
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下晶圓有什么用?`
2020-04-10 16:49:13
晶圓的制造過(guò)程是怎樣的?
2021-06-18 07:55:24
的硅晶粒,提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中,12寸晶圓有較高的產(chǎn)能。當(dāng)然,生產(chǎn)晶圓的過(guò)程當(dāng)中,良品率是很重要的條件。`
2011-09-07 10:42:07
`晶圓的結(jié)構(gòu)是什么樣的?1 晶格:晶圓制程結(jié)束后,晶圓的表面會(huì)形成許多格狀物,成為晶格。經(jīng)過(guò)切割器切割后成所謂的晶片 2 分割線:晶圓表面的晶格與晶格之間預(yù)留給切割器所需的空白部分即為分割線 3
2011-12-01 15:30:07
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級(jí)三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
晶圓級(jí)封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級(jí)封裝的開(kāi)發(fā)主要是由集成器件制造廠家(IBM)率先啟動(dòng)。1964年,美國(guó)IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圓表面各部分的名稱(1)器件或叫芯片(Chip,die,device,circuit,microchip,bar):這是指在晶圓表面占大部分面積的微芯片掩膜。(2)街區(qū)或鋸切線(Scribe
2020-02-18 13:21:38
作一描述。 上圖為晶圓針測(cè)之流程圖,其流程包括下面幾道作業(yè):(1)晶圓針測(cè)并作產(chǎn)品分類(Sorting)晶圓針測(cè)的主要目的是測(cè)試晶圓中每一顆晶粒的電氣特性,線路的 連接,檢查其是否為不良品,若為
2020-05-11 14:35:33
`159-5090-3918回收6寸晶圓,8寸晶圓,12寸晶圓,回收6寸晶圓,8寸晶圓,12寸晶圓,花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
請(qǐng)問(wèn)有人用過(guò)Jova Solutions的ISL-4800圖像測(cè)試儀嗎,還有它可否作為CIS晶圓測(cè)試的tester,謝謝!
2015-03-29 15:49:20
頻率、減少系統(tǒng)尺寸和重量,為運(yùn)輸、工業(yè)和電子、能源和通信市場(chǎng)提供了新的性能水平。CREE可定型號(hào) 小批量可4-6周到港訂貨微信***CGHV96100F2 CGHV96050F2
2019-03-13 09:19:18
本帖最后由 mr.pengyongche 于 2013-4-30 02:58 編輯
EP1C6Q240C6開(kāi)發(fā)板原理
2012-08-11 10:10:06
LED旺季能見(jiàn)度高,價(jià)格續(xù)跌有助拓展通路 LED 背光及照明需求升溫,LED 產(chǎn)業(yè)第2 季營(yíng)收季增可望達(dá)3 成,LED 族群迎接旺季來(lái)臨。訂單表現(xiàn)超出預(yù)期,能見(jiàn)度佳。歐司朗、三星和Cree 降價(jià)
2013-06-17 16:58:22
MQEC無(wú)錫巨鑫電子科技有限公司晶圓電阻推出4G歐姆高阻值作者/來(lái)源:www.mqec.net發(fā)表時(shí)間:2012-05-17 晶圓電阻2012推出4G歐姆高阻值Dimensions
2012-07-02 14:59:34
)。但是我們的下一個(gè)應(yīng)用程序必須支持BLE 5,并且我們需要比PSoC 4更多的CPU資源。我們的項(xiàng)目是在Q1 2018。是不是適合等待呢?最好的問(wèn)候! 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文Hi
2018-12-14 16:26:46
,左下為6個(gè)MOS的PWM波形?! 〉谝簧葏^(qū) 狀態(tài)一: Q1/Q2/Q6導(dǎo)通,此時(shí)不存在續(xù)流,電流流向用紅色手繪線表示 狀態(tài)二: 在此位置Q3即將打開(kāi),Q6關(guān)閉。為了避免出現(xiàn)上下直通,需要插入死區(qū)
2023-04-04 15:36:31
程序加到電路中仿真始終沒(méi)法讓K6控制Q1的通斷,請(qǐng)求大神賜教。。。。程序哪里有不對(duì)的地方,多學(xué)習(xí)了。。。 電路圖如下所示 程序如下所示 #define F_CPU 12000000UL
2018-06-26 03:17:26
nano112的LCD驅(qū)動(dòng)可以配置成4*36或者6*34,可以配置成5*35嗎
2023-06-13 08:12:59
nano112的LCD驅(qū)動(dòng)可以配置成4*36或者6*34,可以配置成5*35嗎
2023-08-21 07:47:29
#define Ki 0.005f // 積分增益支配率的陀螺儀偏見(jiàn)的銜接#define halfT 0.5f // 采樣周期的一半float q0 = 1, q1 = 0, q2 = 0, q
2016-02-29 21:31:48
的晶體結(jié)構(gòu),必須是光學(xué)的平面,并達(dá)到許多機(jī)械及清潔度的規(guī)格要求。制造集成電路級(jí)硅晶圓分4個(gè)階段進(jìn)行:1.礦石到高純度氣體的轉(zhuǎn)變;2.氣體到多晶的轉(zhuǎn)變;3.多晶到單晶、摻雜晶棒的轉(zhuǎn)變;4.晶棒到晶圓的制備
2018-07-04 16:46:41
為什么STM32F107RCT6使用8M晶振串口波特率會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤呢?怎樣去解決這個(gè)問(wèn)題呢?
2021-11-11 08:04:11
LM***-Q1的datasheet,在Vout=3.3V/2A的情況下,Vin最大只做了36Vdc,難道不能48vdc輸入么,而且輸出電流在0-1A的變化中,Vout變化幅度有點(diǎn)大啊,從3.34到3.28了,這個(gè)穩(wěn)壓效果不是很好啊,見(jiàn)下圖:
2019-07-24 12:56:53
為什么我的Labview 2023 Q1用Crack破解后依然需要激活?
運(yùn)行時(shí)如圖。
2023-11-12 11:20:27
電路原理:當(dāng)RP有光照時(shí),RP阻值很小,Q1的B極電位很低(也可以這樣理解,RP阻值很小,Q1的B極接地),使Q1處于截止?fàn)顟B(tài),Q1的C極處于高電位,即Q的B極處于高電位,使Q截止。困惑:當(dāng)RP有
2023-03-22 13:42:20
納米到底有多細(xì)微?什么晶圓?如何制造單晶的晶圓?
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
`晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè),在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針(probe),與晶粒上的接點(diǎn)(pad)接觸,測(cè)試其電氣特性,不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào),而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成獨(dú)立
2011-12-01 13:54:00
` 晶圓電阻又稱圓柱型精密電阻、無(wú)感晶圓電阻、貼片金屬膜精密電阻、高精密無(wú)感電阻、圓柱型電阻、無(wú)引線金屬膜電阻等叫法;英文名稱是:Metal Film Precision Resistor-CSR
2011-12-02 14:57:57
半導(dǎo)體
晶圓(晶片)的直徑為
4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正(P)型半導(dǎo)體或負(fù)(N)型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片,因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
晶圓代工市場(chǎng)的百分之六十。 Top2 臺(tái)聯(lián)電,收入 39.65億美元,同比增長(zhǎng)41% UMC---聯(lián)華電子公司,簡(jiǎn)稱臺(tái)聯(lián)電。是世界著名的半導(dǎo)體承包制造商。該公司利用先進(jìn)的工藝技術(shù)專為主要的半導(dǎo)體
2011-12-01 13:50:12
關(guān)于74HC164應(yīng)用,這種接法,開(kāi)關(guān)的頻率為多少?同1時(shí)刻,Q1和Q分別4輸出高電平還是低電平?
2019-09-06 10:35:19
1、為什么晶圓要做成圓的?如果做成矩形,不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料?2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝?為什么不能直接做成需求的厚度?
2014-01-20 15:58:42
功率MOS晶圓制造廠,號(hào)稱世界上第一個(gè)8 英寸功率半導(dǎo)體廠。新的晶圓廠結(jié)合Class 1,000 ballroom環(huán)境,整合Class 1和sub-Class 1標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口(SMIF)。當(dāng)時(shí),8英寸
2018-10-25 08:57:58
測(cè)量:表面高度測(cè)量范圍為1nm-10mm。3、多重視野鏡片:方便物鏡的快速切換。4、納米級(jí)分辨率:垂直分辨率可以達(dá)到0.1nm。5、高速數(shù)字信號(hào)處理器:實(shí)現(xiàn)測(cè)量僅需要幾秒鐘。6、掃描儀:采用閉環(huán)控制
2022-11-18 17:45:23
單晶的晶圓制造步驟是什么?
2021-06-08 06:58:26
, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc.沾污區(qū)域 - 任何在晶圓片表面的外來(lái)粒子或物質(zhì)。由沾污、手印和水滴產(chǎn)生的污染
2011-12-01 14:20:47
:8798-21252高價(jià)收購(gòu)NXP以下系列型號(hào)電子料:NXPMC9S08QG4CDTE、MCIMX6S6AVM08AC、MIMXRT1052DVL6B、TJA1042T/3、TJA1042T/1
2021-08-19 10:45:34
晶圓劃片 (Wafer Dicing )將晶圓或組件進(jìn)行劃片或開(kāi)槽,以利后續(xù)制程或功能性測(cè)試。提供晶圓劃片服務(wù),包括多項(xiàng)目晶圓(Multi Project Wafer, MPW)與不同材質(zhì)晶圓劃片
2018-08-31 14:16:45
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:43:15
由于處于反偏而截止。當(dāng)變壓器次級(jí)下端為正時(shí),電流經(jīng) C3 、R4 、 R2 使 Q1 導(dǎo)通, Q1 為續(xù)流管。 Q2 柵極由于處于反偏而截止。想了解的是這里C2和C3的作用?個(gè)人理解C2提速,C3延緩Q1關(guān)閉時(shí)間,不知對(duì)不對(duì)
2014-01-13 17:16:32
潮流轉(zhuǎn)進(jìn)高頻多頻帶無(wú)線通訊后(eg 4G) , 不管是高中低階, 4G手機(jī)滲透率開(kāi)始起飛,更有利的是所需PA組件用料從以往3G的3~5顆,4G要變多到4~6顆,其他像是WIFI 11.ac ,基站
2019-05-27 09:17:13
[tr=transparent]R1右邊連接蓄電池,這個(gè)電路簡(jiǎn)單的給蓄電池充電。有個(gè)不明白的現(xiàn)象,請(qǐng)教大家:當(dāng)蓄電池沒(méi)接上時(shí)候,IRF_CON標(biāo)號(hào)低電平時(shí)候,Q1截至,Q1的D極電壓為0,當(dāng)蓄電池(26V)接入時(shí)候,為什么測(cè)Q1的D極有9V電壓?[/tr]
2018-04-17 22:00:02
``揭秘切割晶圓過(guò)程——晶圓就是這樣切割而成芯片就是由這些晶圓切割而成。但是究竟“晶圓”長(zhǎng)什么樣子,切割晶圓又是怎么一回事,切割之后的芯片有哪些具體應(yīng)用,這些可能對(duì)于大多數(shù)非專業(yè)人士來(lái)說(shuō)并不是十分
2011-12-01 15:02:42
全球M0 32位元微處理器最大供應(yīng)商,市占率逾5成,已漸和全球市占第2的恩智浦(NXP)甩開(kāi)差距。新唐表示,公司和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手恩智浦相比,在中國(guó)大陸相當(dāng)具有優(yōu)勢(shì),主因外商比較注重毛利率,而新唐相對(duì)之下就容易
2012-09-10 18:19:44
功放管中Q1和Q2處于截至狀態(tài)的管子將承受較大的管壓降。假設(shè)輸入電壓Ui為正半周,Q1導(dǎo)通,Q2截至,當(dāng)Ui從0開(kāi)始增加到峰值時(shí),Q1和Q2管的發(fā)射極電位Ve逐漸增加到(VCC-Vces1),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Q
2021-08-25 10:07:25
招聘6/8吋晶圓測(cè)試工藝工程師/主管1名工作地點(diǎn):無(wú)錫工資:面議要求:1. 工藝工程師:晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)3年以上,工藝主管:晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)5年以上;2. 精通分立器件類產(chǎn)品晶圓測(cè)試,熟悉IC晶圓測(cè)試尤佳
2017-04-26 15:07:57
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:45:30
求晶圓劃片或晶圓分撿裝盒合作加工廠聯(lián)系方式:QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
晶圓,具有最佳的切割性價(jià)比,切割速度達(dá)到160mm/s,無(wú)機(jī)械應(yīng)力作用,晶粒切割成品率高,切割后二極管芯片電學(xué)性能參數(shù)優(yōu)于砂輪刀片切割等特點(diǎn)。  
2010-01-13 17:01:57
看到了晶圓切割的一個(gè)流程,但是用什么工具切割晶圓?求大蝦指教啊 ?
2011-12-01 15:47:14
看,目前主要原廠和經(jīng)銷商渠道庫(kù)存均在2個(gè)月以下,已經(jīng)恢復(fù)至健康水位;3、上游輔材企業(yè)稼動(dòng)率角度看,潔美科技紙質(zhì)載帶稼動(dòng)率在2022年Q3見(jiàn)底(低于50%),Q4起稼動(dòng)率已環(huán)比開(kāi)始提升。綜上,當(dāng)前
2023-04-21 16:19:52
越大,代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小,這兩種方式都可以在一片晶圓上,制作出更多的硅晶粒,提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
精度可以到1u§非常靈活, 適用于各種尺寸晶圓測(cè)量§全世界唯一能夠測(cè)量Notch內(nèi)部尺寸的設(shè)備.§測(cè)量結(jié)果自動(dòng)直觀顯示, 并可以設(shè)定不同尺寸的公差帶, 測(cè)量結(jié)果和公差帶有差別時(shí)候可以以不同的顏色直接顯示
2014-09-30 15:30:23
這是網(wǎng)上的一個(gè)電路圖,解釋是說(shuō)如果C8漏電或輸出短路,則在起機(jī)瞬間,RT1的壓降增大,Q1導(dǎo)通從而使Q2沒(méi)有柵極電壓不導(dǎo)通,RT1進(jìn)而燒毀,保護(hù)后極電路。但我看不懂當(dāng)RT1壓降增大,是怎么使Q1導(dǎo)通的?Q1的b極電壓是如何大于e極電壓的?
2018-10-25 11:57:56
請(qǐng)分析上面電路圖原理?R3,J6,Q1起什么作用?可以省略嗎?
2021-05-22 13:52:02
請(qǐng)問(wèn)能否解釋一下TPS***參考設(shè)計(jì)中的Q1的用處?
2019-06-28 07:42:03
飛凌imx6Q的開(kāi)發(fā)板能升級(jí)成ubuntu14.04嗎?我現(xiàn)在的系統(tǒng)是ubuntu12.04
2022-11-30 06:25:29
這個(gè)要根據(jù)die的大小和wafer的大小以及良率來(lái)決定的。目前業(yè)界所謂的6寸,12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡(jiǎn)稱,只不過(guò)這個(gè)吋是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑是分為150mm,300mm以及450mm這三種,而12吋約等于305mm,為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58
如果不用Q1行不行啊,我是在網(wǎng)上看的原理圖,不明白這個(gè)Q1的作用,請(qǐng)幫解釋下,謝謝
2019-05-05 23:02:36
1,Q1 mos管GS電容放電回路是怎么樣的?2,初始上電,驅(qū)動(dòng)電路路徑是怎么樣的?經(jīng)R5 1MC6 103 ?3, mos管GS電容 充電路徑是怎么樣的
2018-10-23 11:05:56
將同步漲價(jià)1成以上。再者,新唐及世界先進(jìn)亦傳出調(diào)漲第三季晶圓代工價(jià)格消息。在MOSFET訂單大舉涌入情況下,新唐6吋晶圓代工產(chǎn)能自去年滿載到現(xiàn)在,目前在手訂單也已經(jīng)排單到年底,第三季價(jià)格傳出調(diào)漲1成消息。
2018-06-12 15:24:22
概述:PIC***-Q1是德州儀器公司出品的一款降壓-升壓開(kāi)關(guān)模式調(diào)節(jié)器。其規(guī)定的工作溫度范圍為-40℃~+125℃。TPIC***-Q1同時(shí)又是一款符合汽車電子標(biāo)準(zhǔn)的DC/DC電源管理IC。
2021-04-07 06:59:35
環(huán)球Sipel 600J-SA晶圓鑷子頭部具有特氟龍薄片夾頭,寬度19.5mm,下頜部為臺(tái)階狀止擋,鑷子主體為防磁抗酸不銹鋼材質(zhì),齒形握把用于穩(wěn)妥安全搬運(yùn)6寸wafer晶圓硅片,避免因人手直接接觸而
2022-11-22 10:12:16
晶圓測(cè)溫系統(tǒng),晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來(lái)越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備,在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文
2023-06-30 14:57:40
PFA花籃(PFA wafer Cassette) 又名 清洗花藍(lán) ,鐵氟龍卡匣 , 鐵氟龍晶舟盒 ,鐵氟龍晶圓盒為承載半導(dǎo)體晶圓片/硅片
2023-08-29 08:57:51
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評(píng)論