業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點(diǎn)都以標(biāo)注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級(jí)工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點(diǎn)。公司預(yù)計(jì)從下半年開(kāi)始向智能手機(jī)廠(chǎng)商供應(yīng)適用1a納米級(jí)技術(shù)的移動(dòng)端DRAM。 ? 工藝的極度細(xì)微化趨勢(shì)使半導(dǎo)體廠(chǎng)商陸續(xù)導(dǎo)入E
2021-07-12 10:57:06
4340 報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后，三大廠(chǎng)認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421340 相較于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導(dǎo)入量產(chǎn)，加速 20 納米製程轉(zhuǎn)換，在 2016 年才要進(jìn)入 18/16 納米製程競(jìng)賽的同時(shí)，早已搶先導(dǎo)入 20 奈米的叁星，現(xiàn)在直接丟出 10 納米 8 Gb DDR4 DRAM 量產(chǎn)的震撼彈，意圖大幅甩開(kāi)對(duì)手糾纏。
2016-04-07 08:58:031642 手機(jī)芯片10納米大戰(zhàn)正式開(kāi)打！手機(jī)芯片龍頭高通（Qualcomm）搶在美國(guó)消費(fèi)性電子展（CES）前發(fā)表10納米Snapdragon 835手機(jī)芯片，采用三星10納米制程生產(chǎn)。聯(lián)發(fā)科交由臺(tái)積電10納米
2016-11-22 09:01:381139 手機(jī)芯片10納米大戰(zhàn)正式開(kāi)打！手機(jī)芯片龍頭高通（Qualcomm）搶在美國(guó)消費(fèi)性電子展（CES）前發(fā)表10納米Snapdragon 835手機(jī)芯片，采用三星10納米制程生產(chǎn)。聯(lián)發(fā)科交由臺(tái)積電10納米
2016-11-22 10:02:281228 韓國(guó)三星近期積極將極紫外（EUV）曝光技術(shù)應(yīng)用在采用1z納米制程的DRAM記憶體生產(chǎn)上，并且完成了量產(chǎn)。而根據(jù)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)《TechInsights》拆解了分別采用EUV曝光技術(shù)和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31:362510 攤位位置。攤位確認(rèn)后如參展單位無(wú)法參展，已發(fā)生費(fèi)用將不予退還；若因我單位取消參展，攤位費(fèi)將全額退還。 附件1：《2013年韓國(guó)首爾納米技術(shù)展費(fèi)用表》附件2：《參展申請(qǐng)表》 展覽事業(yè)部:國(guó) 鋒何磊咨詢(xún)電話(huà)
2013-02-24 13:52:34
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-25 10:26 編輯
6657有4個(gè)SRIO通道，可以設(shè)置為4個(gè)1X、2個(gè)2X、1個(gè)4X、1個(gè)2X+2個(gè)1X。如果設(shè)置為1個(gè)2X+2個(gè)1X模式，2X
2018-06-25 06:16:13
DRAM Customization on i.MX6x
2016-09-24 16:04:30
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析：由題得，16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
/dram.c:int dram_init(void)./arch/arm/cpu/arm926ejs/orion5x/dram.c:int dram_init (void)
2020-08-17 11:19:18
納米位移計(jì)真的可以測(cè)到納米級(jí)別的物體的位移？
2015-07-23 10:36:36
。 1、柔性壓電納米發(fā)電機(jī) 柔性壓電納米發(fā)電機(jī)（PENG）的原理是在外力作用下，晶體結(jié)構(gòu)的中心對(duì)稱(chēng)性被破壞，形成壓電勢(shì)。例如，將ZnO納米線(xiàn)兩端連接電極，封裝在柔性基板上?；鍙澢鷷r(shí)引起的ZnO內(nèi)部
2020-08-25 10:59:35
納米定位平臺(tái)跟納米平臺(tái)的區(qū)別是什么？
2015-07-19 09:42:13
納米硅粒子有較大的比表面，無(wú)色透明；粘度較低，滲透能力強(qiáng)，分散性能好。納米硅的二氧化硅粒子是納米級(jí)別，其粒徑小于可見(jiàn)光光波長(zhǎng)度，不會(huì)對(duì)可見(jiàn)光形成反射和折射等現(xiàn)象，因此不會(huì)使涂料表面消光。
2019-10-31 09:12:41
一、引言伴隨著國(guó)內(nèi)運(yùn)營(yíng)商的重組，CDMA 1X技術(shù)重新受到國(guó)內(nèi)業(yè)界的關(guān)注，本文主要介紹了CDMA 1X基站射頻性能對(duì)CDMA 1X網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量的影響以及CDMA 1X基站射頻測(cè)試中的關(guān)鍵問(wèn)題，為CDMA
2019-07-18 06:34:44
CDMA2000 1X EV-DV有什么特點(diǎn)？CDMA2000 1x EV-DV技術(shù)的發(fā)展始于2000年初，3GPP2于2002年5月確定了CDMA2000 Rel.C版本，2004年3月確定了
2009-06-13 22:38:15
速率偏小，限制了對(duì)稱(chēng)性數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的應(yīng)用。為解決上述問(wèn) 題，2004年3月，3GPP2發(fā)布了1x EV-DO Rev A（DO Rev A）版本，除了將前向鏈路峰值速率提高到3.072Mbit/s之外
2009-11-13 22:23:15
CDMA2000 1x EV-DO的特點(diǎn)CDMA2000 1x EV-DO定位于Internet的無(wú)線(xiàn)延伸，能以較少的網(wǎng)絡(luò)和頻譜資源（在1.25MHz標(biāo)準(zhǔn)載波中）支持平均速率為：? 
2009-06-13 22:40:27
CDMA20001x EV-DO如何進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)部署？ [hide]CDMA2000 1x EV-DO的網(wǎng)絡(luò)部署可以采用兩種方式：獨(dú)立式和集成式。在獨(dú)立方式中，1x EV-DO采用獨(dú)立
2009-06-13 22:40:04
使用NI的 FPGA，開(kāi)辟了一個(gè)1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個(gè)MCK一個(gè)地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個(gè)地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開(kāi)始出現(xiàn)一個(gè)數(shù)據(jù)都寫(xiě)不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
在過(guò)去兩年中，全球DRAM制造商一直在以近乎滿(mǎn)負(fù)荷的速度運(yùn)營(yíng)著自己的內(nèi)存芯片廠(chǎng)，從而導(dǎo)致了DRAM價(jià)格的持續(xù)上漲。在IC Insights近期發(fā)布的報(bào)告中披露，DRAM平均售價(jià)（ASP）在2018年
2018-10-18 17:05:17
LPC11U3x/2x/1x用戶(hù)手冊(cè)
2022-12-07 07:10:44
LPC435x / 3x / 2x / 1x閃存設(shè)備 勘誤表
2022-12-07 06:41:21
本人在項(xiàng)目中使用TI-TMS320C6678和K7 FPGA 通過(guò)SRIO通信，需要連接為4X，在初始化完成后，通過(guò)查詢(xún)DSP端的“SPnCTL”寄存器，發(fā)現(xiàn)連接模式由4X訓(xùn)練成1x，在使用過(guò)程中需要保證4X連接才能保證傳輸帶寬，在初始化后如何保證4x變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">1x的情況下重新初始化為4X？
2019-01-23 08:56:42
嗨，讓我們說(shuō)使用dcm作為2倍時(shí)鐘倍頻......我知道有兩種方法可以反饋dcm，1x或2x ...那么問(wèn)題是，有什么區(qū)別？使用2x反饋的優(yōu)勢(shì)是什么？2x反饋會(huì)產(chǎn)生更好的占空比嗎？謝謝，以上
2019-01-30 10:24:33
蘋(píng)果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管升級(jí)版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
，甚至轉(zhuǎn)虧為盈。不過(guò)，受第二季電子廠(chǎng)拉貨速度減緩影響，DRAM價(jià)格4月底顯疲態(tài)；根據(jù)集邦科技的報(bào)價(jià)，近期DDR3 1Gb eTT（有效測(cè)試顆粒）均價(jià)已跌破3美元關(guān)卡，跌至2.87美元，和3月底的3.04
2010-05-10 10:51:03
、DRAM芯片針腳的作用Intel在1979年發(fā)布的2188DRAM芯片，采用16Kx1 DRAM 18線(xiàn)DIP封裝。是最早出現(xiàn)的一款DRAM芯片。我們現(xiàn)在來(lái)解讀一下它所代表的意義：“16K x 1”是指
2010-07-15 11:40:15
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
、纖維、超細(xì)粒子、多層膜、粒子膜及納米微晶材料等，一般是由尺寸在1～100nm的物質(zhì)組成的微粉體系。那么究竟什么是新型納米吸波涂層材料？ 新型納米吸波涂層材料有什么特性？
2019-08-02 07:51:17
核名頭。華為則出八核榮耀X，價(jià)格是999元。而今天，聯(lián)想也公布了其S898t+ 1GB RAM+8GB ROM版本的價(jià)格為788元，而2GB RAM+16GB存儲(chǔ)空間的價(jià)格是988元，兩者的處理器都為
2014-03-21 10:02:59
文件。我為配置工具提供了一個(gè)自定義的 dcd.bin 文件。
最近我對(duì)我的程序進(jìn)行了更改：我更改了分散文件以將目標(biāo)文件之一存儲(chǔ)在 DRAM 的未緩存部分中。由于我進(jìn)行了此更改，配置工具在嘗試構(gòu)建
2023-04-28 07:02:14
與DDR2供給吃緊帶動(dòng)整體平均售價(jià)上揚(yáng)。而在整體DRAM廠(chǎng)DRAM營(yíng)收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高達(dá)24.8%，其次為由英飛凌(Infineon)所獨(dú)立出來(lái)
2008-05-26 14:43:30
配變實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)有哪些功能？配變實(shí)時(shí)監(jiān)控通訊網(wǎng)絡(luò)的問(wèn)題與要求是什么？基于CDMA 1X網(wǎng)絡(luò)的配電網(wǎng)監(jiān)控系統(tǒng)由哪些部分組成的？
2021-05-31 06:27:10
嗨，我正在瀏覽Vritex 6原始手冊(cè)。我很想知道LUT是否可以同時(shí)配置為SRL / CFGLUT5和DRAM（分布式RAM）（不同的配置將用于不同的周期）？如果沒(méi)有，為什么？如果是這樣，怎么樣？非常感謝你，
2020-06-18 08:29:16
如何從CDMA2000 1X到CDMA2000 1x EV的平滑演進(jìn)CDMA2000由CDMA2000 1X和CDMA2000 1x EV (Evolution Version)兩大
2009-06-13 22:42:21
展訊計(jì)劃在2012年推出WCDMA智能手機(jī)芯片，并將主打TD+WCDMA雙模芯片。而在LTE產(chǎn)品規(guī)劃方面，他表示展訊將可能在不久之后推出基于28納米技術(shù)的TD-LTE芯片。擬推28nm TD-LTE
2011-10-27 11:50:07
3D NAND的制程轉(zhuǎn)換及新產(chǎn)能布建，在DRAM的投資則全數(shù)集中在1X奈米的制程微縮，并無(wú)任何新產(chǎn)能。也因此，雖然第二季是傳統(tǒng)淡季，但因DRAM制程由20奈米微縮到1X奈米時(shí)遇到瓶頸，市場(chǎng)供給仍有吃緊
2017-06-13 15:03:01
F3623 CDMA2000 1X EVDO ROUTER( 本文簡(jiǎn)稱(chēng) ROUTER)利用CDMA2000 1X EVDO網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)，為用戶(hù)提供高速、永遠(yuǎn)在線(xiàn)、透明傳輸?shù)臄?shù)據(jù)通道?？蓮V泛應(yīng)用于電力
2011-03-10 16:17:13
F3623 CDMA2000 1X EVDO ROUTER( 本文簡(jiǎn)稱(chēng) ROUTER)利用CDMA2000 1X EVDO網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)，為用戶(hù)提供高速、永遠(yuǎn)在線(xiàn)、透明傳輸?shù)臄?shù)據(jù)通道?？蓮V泛應(yīng)用于電力
2011-03-11 14:36:58
的布線(xiàn)形成的過(guò)程。演示時(shí)，在事先用波長(zhǎng)為172nm的紫外線(xiàn)烙上圖案的薄膜上，滴下數(shù)滴每滴為1μL的銀納米墨，然后用刮刀掃過(guò)，形成圖案。 還做了設(shè)想用于觸摸面板傳感器的演示，在PET基材上，將布線(xiàn)寬度和布線(xiàn)
2016-04-26 18:30:37
有精度可以真正達(dá)到納米的納米位移計(jì)嗎？
2015-08-26 10:41:07
是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為了防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM充電，故DRAM的充電速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)
2019-09-18 09:05:09
，CDMA2000 1x和CDMA2000 1x EV。CDMA2000標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)細(xì)節(jié)主要由3GPP2(3rd Generation Partnership Project 2)組織完成。 CDMA2000
2019-06-14 06:26:59
到底有多小想要了解納米，我們來(lái)看看芯易網(wǎng)對(duì)它的定義：納米（nm）又稱(chēng)毫微米，1納米=10-9米（度娘說(shuō)），到底有多小呢？以我們的指甲厚度為例，一般的指甲厚度為0.1毫米，也就是將指甲橫向切成10份
2016-12-16 18:20:11
到底有多小想要了解納米，我們來(lái)看看芯易網(wǎng)對(duì)它的定義：納米（nm）又稱(chēng)毫微米，1納米=10-9米（度娘說(shuō)），到底有多小呢？以我們的指甲厚度為例，一般的指甲厚度為0.1毫米，也就是將指甲橫向切成10份
2016-06-29 14:49:15
1、引言自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來(lái)，納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究，是目前科學(xué)界的研究熱點(diǎn)?；谔?b class="flag-6" style="color: red">納米管獨(dú)特的電學(xué)特性，提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線(xiàn)和傳輸線(xiàn)的設(shè)想
2019-05-28 07:58:57
碳納米纖維是指具有納米尺度的碳纖維，依其結(jié)構(gòu)特性可分為納米碳管即空心碳納米纖維和實(shí)心碳納米纖維。
2019-09-20 09:02:43
選擇1X檔時(shí)，信號(hào)是沒(méi)經(jīng)衰減進(jìn)入示波器的。而選擇10X檔時(shí)，信號(hào)是經(jīng)過(guò)衰減到1/10再到示波器的。當(dāng)選擇10X檔時(shí)，應(yīng)該將示波器上的讀數(shù)也擴(kuò)大10倍，這就需要在示波器端可選擇X10檔，以配合探頭
2019-05-20 14:43:22
針對(duì)目前解決臺(tái)式機(jī)PCI-E 1X插槽不夠用的瓶頸現(xiàn)狀，擁有十幾年研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的老品牌廠(chǎng)家樂(lè)擴(kuò)發(fā)布了一款可以將主機(jī)PCI-E1X插槽轉(zhuǎn)換為2個(gè)PCI-E 1X插槽的擴(kuò)展卡，有效解決了需要
2017-10-19 16:25:49
C6748 上電時(shí)默認(rèn)L1DRAM全部為cache，1、那么如果我在程序中沒(méi)有對(duì) L1DRAM進(jìn)行操作或配置，程序運(yùn)行時(shí)L1DRAM中的數(shù)據(jù)是否會(huì)有變化？2、L1DRAM作為 cache是如何工作的？
2018-07-25 07:46:25
14納米的ARM 處理器和14納米的X86移動(dòng)處理器那個(gè)更省電？?
2020-07-14 08:03:23
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 10:44 編輯
專(zhuān)家好！ 配置兩路1x模式的SRIO，采用DIO方式獨(dú)立完成收發(fā)，我現(xiàn)在想實(shí)現(xiàn)最簡(jiǎn)單的收發(fā)功能，不采用doorbell方式產(chǎn)生中斷，由外部GPIO提供收發(fā)中斷。具體配置過(guò)程需要哪些步驟呢？
2018-06-19 00:53:06
龍芯1x嵌入式開(kāi)發(fā)工具收藏一下：龍芯1x嵌入式開(kāi)發(fā)工具|Loongson 1x Embedded Develo…|關(guān)于我們|龍芯嵌入式開(kāi)發(fā)工具|蘇州天晟軟件龍芯嵌入式開(kāi)發(fā)工具|蘇州天晟軟件,龍芯1x
2021-12-24 06:25:47
如何從CDMA2000 1X到CDMA2000 1x EV的平滑演進(jìn)
CDMA2000由CDMA2000 1X和CDMA2000 1x EV (Evolution Version)兩大部分組成，CDMA2000 1X 的版本包括Rel.0，Rel.A，Rel.B
2009-06-13 22:30:53638 三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導(dǎo)入40納米制程，第4季已開(kāi)始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55466 爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光
一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過(guò)近1年臥薪嘗
2010-01-08 12:28:52554 4大DRAM陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米
DRAM陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達(dá)跳過(guò)50納
2010-01-22 09:56:02836 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠(chǎng)商三星電子周一稱(chēng)，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 一、引言 伴隨著國(guó)內(nèi)運(yùn)營(yíng)商的重組，CDMA 1X技術(shù)重新受到國(guó)內(nèi)業(yè)界的關(guān)注，本文主要介紹了CDMA 1X基站射頻性能對(duì)CDMA 1X網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量的影響以及CDMA 1X基站射頻測(cè)試中的關(guān)鍵問(wèn)題
2017-12-07 17:48:31833 
三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38834 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063 傳三星電子（Samsung Electronics）啟動(dòng)采用極紫外光（EUV）微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā)，雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM，不過(guò)也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22709 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評(píng)論: 0 | 來(lái)自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02253 今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，DRAM廠(chǎng)南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利，南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外，南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán)，并啟動(dòng)自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254125 根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出，日前美系存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光科技（Micron）正式宣布，將采用第3代10納米級(jí)制程（1Znm）來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生
2019-08-19 15:45:223148 大多數(shù)讀者應(yīng)該知道Intel 的處理器、TSMC生產(chǎn)的SoC（System on Chip）等邏輯半導(dǎo)體的相關(guān)工藝，也明白到這些規(guī)則只不過(guò)對(duì)產(chǎn)品的命名罷了。那么，DRAM中提到的1X（18nm）、1Y（17nm）、1Z（16nm）等又都意味著什么？
2020-07-22 14:33:123769 
-三星電子新款DRAM將于2023年開(kāi)始量產(chǎn)，以?xún)?yōu)異的性能和更高的能效，推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日，三星電子宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:29521 出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:54756 
化挑戰(zhàn)都是重大的。特別是，ASML 報(bào)告說(shuō)，當(dāng)中心到中心（center-to-center）值達(dá)到 40 nm 時(shí)，即使對(duì)于 EUV ，也不推薦使用單一圖案化。在本文中，我們將展示對(duì)于 12 納米及更高節(jié)點(diǎn)的 DRAM 節(jié)點(diǎn)，電容器中心到中心預(yù)計(jì)將低于 40 納米，因此需要多重圖案化。
2023-02-07 15:08:55381 近期的演示會(huì)上，美光詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24191 3 月 5 日消息，美光科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場(chǎng)演講，介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:3562
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