傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體因自身發(fā)展侷限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導(dǎo)體材料，化合物半導(dǎo)體材料是新一代半導(dǎo)體發(fā)展的重要關(guān)鍵嗎？
2019-04-09 17:23:35
10156 。本屆展會(huì)順應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，服務(wù)于十幾個(gè)新興行業(yè)應(yīng)用。展出面積5.5萬平方米，將匯聚800多家展商集中展示集成電路、電子元器件、第三代半導(dǎo)體及產(chǎn)業(yè)鏈材料和設(shè)備為一體的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。同期舉辦多場(chǎng)高峰論壇
2021-12-07 11:04:24
IC的進(jìn)一步發(fā)展提供了道路。第三代半導(dǎo)體適應(yīng)更多應(yīng)用場(chǎng)景。硅基半導(dǎo)體具有耐高溫、抗輻射性能好、制作方便、穩(wěn)定性好?？煽慷雀叩忍攸c(diǎn)，使得99%以上集成電路都是以硅為材料制作的。但是硅基半導(dǎo)體不適合在高頻
2019-05-06 10:04:10
水平。2022年12月，銘鎵半導(dǎo)體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長(zhǎng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。2022年5月，浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)
2023-03-15 11:09:59
我廠專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請(qǐng)聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
常見的一類缺陷。位錯(cuò)密度用來衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度，對(duì)于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，則沒有這一參數(shù)。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別 ，更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至統(tǒng)一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國(guó)還專程看了華為英國(guó)公司的石墨烯研究，搞得國(guó)內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場(chǎng)的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
是各種半導(dǎo)體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時(shí)期。第一個(gè)晶體管用鍺半導(dǎo)體材料。第一個(gè)制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀(jì)60年代——改進(jìn)工藝此階段，半導(dǎo)體制造商重點(diǎn)在工藝技術(shù)的改進(jìn)，致力于提高集成電路性能
2020-09-02 18:02:47
器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺
2021-05-25 07:46:36
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
閾值叫死區(qū)電壓，硅管約0.5V，鍺管約0.1V。（硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導(dǎo)體材料，硅管較多，鍺管較少）也就是我們?cè)诙O管整流得時(shí)候理想是，整個(gè)周期都是導(dǎo)通的，但是由于死區(qū)電壓的存在，實(shí)際上并不是全部導(dǎo)通的，當(dāng)半導(dǎo)體電壓
2021-09-03 07:21:43
激光器和固體激光器的泵浦源，也可以直接輸出激光作為光源。半導(dǎo)體激光器發(fā)展始于上世紀(jì)60年代，如今已經(jīng)在各行各業(yè)中得到了廣泛的推廣應(yīng)用。憑借結(jié)構(gòu)緊湊、光束質(zhì)量好、壽命長(zhǎng)及性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，在通訊、材料加工制造
2019-05-13 05:50:35
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測(cè)試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試方法有很多種，其中四探針法具有設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高以及對(duì)樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有
2021-09-15 07:24:56
，導(dǎo)電能力明顯改變。2. 本征半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件時(shí)用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺，它們?cè)雍说淖钔鈱佣?有4個(gè)價(jià)電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體
2017-07-28 10:17:42
，導(dǎo)電能力明顯改變。2. 本征半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件時(shí)用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺，它們?cè)雍说淖钔鈱佣?有4個(gè)價(jià)電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體
2018-02-11 09:49:21
年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體才得到工業(yè)界的重視。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅則是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。芯片芯片(chip)，又稱微芯片
2020-11-17 09:42:00
) 常溫下，少數(shù)價(jià)電子由于熱運(yùn)動(dòng)獲得足夠的能量掙脫共價(jià)鍵的束縛成為自由電子。此時(shí)，共價(jià)鍵留下一個(gè)空位置，即空穴。原子因失去電子而帶正電，或者說空穴帶正電。在本征半導(dǎo)體外加一個(gè)電場(chǎng)，自由電子將定向移動(dòng)
2020-06-27 08:54:06
新一代PON以及云數(shù)據(jù)中心的未來
2021-06-07 06:30:00
新一代軍用通信系統(tǒng)挑戰(zhàn)
2021-03-02 06:21:46
。此外，社交媒體，如微信群的溝通和支持也正在成為一種習(xí)慣...... 觀察今天的校園，新一代創(chuàng)客正在醞釀一場(chǎng)“創(chuàng)客運(yùn)動(dòng)”。有人預(yù)言，這場(chǎng)“創(chuàng)客運(yùn)動(dòng)”將比幾十年前起源于美國(guó)車庫(kù)的個(gè)人電腦革命，更加迅速地改變
2018-09-05 14:53:02
新一代視頻編碼器怎么樣？
2021-06-02 06:39:01
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
%），接著是將這些純硅制成長(zhǎng)硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。我們會(huì)聽到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑
2011-12-02 14:30:44
GBT 14264-2009 半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
2014-03-06 14:36:00
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克證交所代碼: MTSI) (簡(jiǎn)稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發(fā)協(xié)議。據(jù)此協(xié)議，意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴(kuò)大
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來越多，價(jià)格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 在純凈的電子發(fā)燒友體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-14 15:11:56
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)宣布，日本知名網(wǎng)絡(luò)/IPTV服務(wù)商N(yùn)TT Plala株式會(huì)社于4月17日推出的新一代先進(jìn)機(jī)頂盒采用了意法半導(dǎo)體Orly 系統(tǒng)級(jí)
2013-09-22 11:35:00
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)宣布，日本知名網(wǎng)絡(luò)/IPTV服務(wù)商N(yùn)TT Plala株式會(huì)社于4月17日推出的新一代先進(jìn)機(jī)頂盒采用了意法半導(dǎo)體Orly 系統(tǒng)級(jí)
2013-11-08 10:36:06
和 102 之間變化Q cm（硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間）。半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，因?yàn)樗鼈兊膸叮▋r(jià)帶最高能級(jí)與電導(dǎo)帶最低能級(jí)之間的能量差）相對(duì)較小。分子軌道理論指出，當(dāng)原子
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
GlobalFoundries買下，高通遂轉(zhuǎn)移到GlobalFoundries生產(chǎn)，但中芯藉由犀利的價(jià)格策略，逐漸取代GlobalFoundries成為高通在電源管理芯片的主要供應(yīng)商。 半導(dǎo)體業(yè)者透露，高通新一代電源管理
2017-09-22 11:11:12
（微量元素）獲得了一個(gè)電子而成為負(fù)離子，同時(shí)硅原子的共價(jià)鍵因?yàn)槿绷?b class="flag-6" style="color: red">一個(gè)價(jià)電子而產(chǎn)生一個(gè)空穴，這里的雜質(zhì)負(fù)離子是不能移動(dòng)的，因此在p性半導(dǎo)體中空穴來自兩方面，第一本證激發(fā)搞出來的(數(shù)量那是非常的少)，第二
2011-03-26 20:36:16
在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國(guó)通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長(zhǎng)為
2019-02-26 17:04:37
提供專業(yè)、高效、技術(shù)支持與服務(wù)。此外還可為有需求的長(zhǎng)三角及周邊客戶提供短時(shí)間內(nèi)到達(dá)現(xiàn)場(chǎng)維修技術(shù)服務(wù)。 0010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件的分類及性能： ?。?）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一
2020-03-26 15:40:25
、3-三極管 第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
滿足市場(chǎng)需求，使用硅的新器件年復(fù)一年地實(shí)現(xiàn)更大的功率密度和能效，已經(jīng)越來越成為一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。從本質(zhì)上講，芯片的演進(jìn)已經(jīng)接近其基礎(chǔ)物理極限。但是，為什么說寬帶隙半導(dǎo)體的表現(xiàn)已經(jīng)超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。劃刻并切割用于生產(chǎn)電子元件（如二極管
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
可控硅一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？ 晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向
2021-09-09 08:23:06
新一代數(shù)據(jù)中心有哪些實(shí)踐操作范例？如何去推進(jìn)新一代數(shù)據(jù)中心的發(fā)展？
2021-05-25 06:16:40
1.常用半導(dǎo)體器件型號(hào)命名的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名由五個(gè)部分組成，第一部分用數(shù)字表示電極的數(shù)目；第二部分用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的材料和極性；第三部分表示器件的類別；第四部分表示器件的序號(hào)
2017-11-06 14:03:02
`砷化鎵GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍，非常適合
2016-09-15 11:28:41
`我司專業(yè)生產(chǎn)制造半導(dǎo)體包裝材料。晶圓硅片盒及里面的填充材料一批及防靜電屏蔽袋。聯(lián)系方式：24632085`
2016-09-27 15:02:08
步榨取摩爾定律在制造工藝上最后一點(diǎn)“剩余價(jià)值”外，尋找硅（Si）以外新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個(gè)重要方向。在這個(gè)過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個(gè)高頻詞匯，進(jìn)入了人們的視野。GaN和SiC同屬
2019-07-05 04:20:06
斯巴魯近日宣布將從明年起運(yùn)用其新一代EyeSight安全系統(tǒng)，并在10月2日首先透露了新一代產(chǎn)品的細(xì)節(jié)。
2020-08-26 07:28:47
急需一種流動(dòng)性更強(qiáng)的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長(zhǎng)度
2011-12-08 00:01:44
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
發(fā)光二極管(LightEmittinDiode，LED)作為新一代固態(tài)光源，具有壽命長(zhǎng)、高效節(jié)能、綠色環(huán)保等眾多優(yōu)點(diǎn)，被廣泛地
2012-11-15 14:14:36
問個(gè)菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
，少子濃度與溫度有關(guān)。*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。*轉(zhuǎn)型---通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7. PN結(jié)* PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6
2019-07-10 19:15:30
的市場(chǎng)占有率。未來隨著化合物半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)一步提升，在邏輯應(yīng)用方面取代傳統(tǒng)硅材料，從而等效延續(xù)摩爾定律成為了化合物半導(dǎo)體更為長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展趨勢(shì)?！ ∽鳛榛衔?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用市場(chǎng)，射頻器件市場(chǎng)經(jīng)歷了
2019-06-13 04:20:24
模塊化，按最初的定義是把兩個(gè)或兩個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié)，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護(hù)材料，密封在一個(gè)絕緣的外殼內(nèi)，并且與導(dǎo)熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
本帖最后由 濟(jì)世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。2、常見
2016-10-07 22:07:14
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。自從二十世紀(jì)五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來，以硅(Si)材料為主的功率半導(dǎo)體器件就一直扮演著重要的角色。功率雙極性晶體管及晶閘管的問世，大大減小的電力電子設(shè)備的體積重量
2021-03-25 14:09:37
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
的一種最具有優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體材料.并且具有遠(yuǎn)大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
下，我這暴脾氣......。從最初應(yīng)用算起，半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展了三代，第一代是四五十年代開始以鍺、硅為代表的IV族半導(dǎo)體材料逐步發(fā)展起來，推動(dòng)人類進(jìn)入電子時(shí)代晶體管收音機(jī)就是那個(gè)時(shí)代的產(chǎn)物，老王你明白了吧
2017-05-15 17:09:48
到了二十世紀(jì)五十年代隨著半導(dǎo)體材料的迅猛發(fā)展，熱電制冷器才逐漸從實(shí)驗(yàn)室走向工程實(shí)踐，在國(guó)防、工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療和日常生活等領(lǐng)域獲得應(yīng)用，大到可以做核潛艇的空調(diào)，小到可以用來冷卻紅外線探測(cè)器的探頭，因此通常又把熱電制冷器稱為半導(dǎo)體制冷器。
2013-11-29 09:26:38
的硅，內(nèi)含集成電路，它是計(jì)算機(jī)或者其他電子設(shè)備的一部分。二、什么是半導(dǎo)體半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料
2020-04-22 11:55:14
有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤
2020-02-18 13:23:44
第二代半導(dǎo)體材料的代表，GaAs和傳統(tǒng)Si相比，有直接帶隙、光電特性優(yōu)越的特點(diǎn)，是良好的光電器件和射頻器件的材料。GaAs器件也曾被認(rèn)為是計(jì)算機(jī)CPU芯片的理想材料，上世紀(jì)末一些公司曾有深入的研究并取得
2017-02-22 14:59:09
; 2010年1月3日，蘇州天弘激光股份有限公司推出了新一代激光晶圓劃片機(jī)，該激光劃片機(jī)應(yīng)用于硅晶圓、玻璃披覆（玻鈍）二極管等半導(dǎo)體晶圓的劃片和切割，技術(shù)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)
2010-01-13 17:18:57
）從febless發(fā)展成為集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售服務(wù)一體化的國(guó)家級(jí)高新科技企業(yè),“SLKOR”品牌在半導(dǎo)體行業(yè)聲譽(yù)日隆，產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵點(diǎn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化，薩科微乘電子元器件“國(guó)產(chǎn)替代”的東風(fēng)，，立志成為
2022-05-31 14:00:20
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路，是20世紀(jì)50年代后期到60年代
2021-09-15 06:45:56
，以及這種技術(shù)如何與工藝技術(shù)和設(shè)備設(shè)計(jì)相關(guān)。然后展示了如何通過利用 SRPG 進(jìn)一步改進(jìn)新一代多核器件，以及設(shè)備負(fù)載水平感知等其他 SoC 技術(shù)自動(dòng)打開和關(guān)閉內(nèi)核?！ ∫浴 ‰S著半導(dǎo)體器件變得更加
2013-04-03 09:39:16
高阻硅材料進(jìn)口半導(dǎo)體單晶硅、高阻硅片，有n型、p型、本征硅片，晶向〈111〉、〈100〉、〈110〉，直徑1～8寸的單拋硅片、雙拋硅片、氧化硅片，超平硅片、超薄硅片、超厚硅片，異型硅片，電阻率30000Ω.Cm，詳細(xì)參數(shù)來電咨詢，也可根據(jù)用戶要求生產(chǎn)。歡迎垂詢，***.
2018-01-22 11:49:03
半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半
2010-03-04 10:28:035544 低維半導(dǎo)體材料, 低維半導(dǎo)體材料是什么意思
實(shí)際上這里說的低維半導(dǎo)體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個(gè)詞，主要是不想
2010-03-04 10:31:425083 什么是半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可
2010-03-04 10:36:173395 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33119660 幫助工程師理解新一代半導(dǎo)體材料的特性和實(shí)際應(yīng)用，消除測(cè)試痛點(diǎn)
2020-04-28 15:59:17875 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)要求的不斷提高，對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測(cè)試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 盡管有這些優(yōu)點(diǎn)，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
2023-11-27 10:09:10248 
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