***經(jīng)濟日報消息,2015年半導(dǎo)體景氣寒風(fēng)颼颼,根據(jù)研調(diào)機構(gòu)Gartner(顧能)統(tǒng)計,2015年全球半導(dǎo)體營收衰退1.9%,而臺積電則逆風(fēng)飛翔打敗英特爾等大廠,年營收持續(xù)成長,包括一線大廠英特爾、高通、美光均中箭落馬營收衰退,與宿敵三星電子成長11.8%名列前三名。
Gartner研究副總裁王端表示:“2015年期間,半導(dǎo)體裝置市場營收受IC庫存過高、行動產(chǎn)品與個人電腦(PC)需求不佳,還有平板銷售趨緩等因素影響而下滑。裝置市場成長趨緩,讓半導(dǎo)體制造商在決定晶圓代工訂單時趨于保守。代工業(yè)者營收成長,只能靠蘋果(Apple)對晶圓的大量需求,還有少數(shù)整合裝置制造商(IDM)對晶圓代工廠的營收轉(zhuǎn)換?!?/p>
在主要晶圓代工業(yè)者當(dāng)中,臺積電(TSMC)2015年成長5.5%,主要是因為20奈米平面電晶體結(jié)構(gòu)制程與16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程推出后相當(dāng)成功,滿足了應(yīng)用程式處理器與基頻數(shù)據(jù)機晶片方面的需求(見表一)。格羅方德(Globalfoundries)以9.6%市占率位居第二。聯(lián)電則以45億美元營收拿下第三名,市占率為9.3%。
2015年第四季度,三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)出現(xiàn)1年多里首次環(huán)比下降。三星是全球最大的內(nèi)存芯片制造商,半導(dǎo)體業(yè)務(wù)運營利潤為2.8萬億韓元,環(huán)比下滑25%,但同比小幅增長。除了移動設(shè)備和PC需求疲軟外,內(nèi)存芯片供應(yīng)過剩導(dǎo)致價格下跌也使三星的利潤增長低于預(yù)期。
根據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo),日前三星電子在美國硅谷舉行了一場非公開的晶圓代工論壇,邀請IC設(shè)計業(yè)者參與,三星認(rèn)為現(xiàn)在已經(jīng)無法光靠先進制程獲取穩(wěn)定收益。
2011~2015年晶圓代工市場規(guī)模變化
放大單位:億美元
三星從2007年開始代工生產(chǎn)iPhone手機的行動應(yīng)用處理器(AP),但在2014年之后,三星取得的蘋果訂單數(shù)量逐漸不及臺積電,為了獲得蘋果青睞,三星大舉投資研發(fā)14奈米與10奈米先進制程,但蘋果仍將9月上市在即的iPhone 7 AP訂單全數(shù)交由臺積電代工。
2016年4月三星集團(Samsung Group)結(jié)束經(jīng)營診斷,認(rèn)為三星的晶圓代工事業(yè)也應(yīng)采取與臺積電相同的事業(yè)結(jié)構(gòu)。
臺積電不只代工先進制程,已結(jié)束折舊攤提的40~180奈米產(chǎn)線仍用于生產(chǎn),并因此創(chuàng)造獲利,每年營業(yè)利益率超過35%。臺積電還開始研發(fā)封裝技術(shù),準(zhǔn)備為客戶提供單一窗口服務(wù)(One-stop Services)。
業(yè)界知情人士表示,三星決定將1990年代用于生產(chǎn)內(nèi)存的舊世代產(chǎn)線投入晶圓代工用途,以滿足多樣化的客戶需求。
據(jù)了解,為了因應(yīng)持續(xù)成長的晶圓代工市場,三星內(nèi)部已組成任務(wù)小組,著手研發(fā)封裝技術(shù)。
市調(diào)機構(gòu)Gartner的數(shù)據(jù)顯示,2015年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模較2014年減少2.3%,但同期晶圓代工市場規(guī)模成長了4.4%。
三星量產(chǎn)10nm級DRAM芯片
根據(jù)日經(jīng)技術(shù)在線對三星的報道,我們看到2016年開始,三星DRAM采用10nm級工藝的工作一直在推動中,并且展示出了新產(chǎn)品和新工藝。
2016年4月5日,韓國三星電子宣布,開始量產(chǎn)采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。
此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片,新開發(fā)了自主設(shè)計的新存儲單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲電容等。由此,無需使用EUV裝置,可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1y)工藝的開發(fā)。
新款DRAM芯片支持3200Mbps的速度,較現(xiàn)有20nm級DDR4型芯片的2400Mbps提高了30%,而耗電量削減了10~20%。三星預(yù)定在不久的將來開發(fā)采用此次的10nm級工藝的移動DRAM。
該公司還將采用以此次的8Gbit產(chǎn)品為首的10nm級DDR4型DRAM芯片生產(chǎn)存儲器模塊(內(nèi)存條)。將面向筆記本電腦推出4GB的模塊,面向企業(yè)服務(wù)器推出128GB的模塊。之前采用20nm級DRAM的DDR4型DRAM內(nèi)存將在2016年內(nèi)陸續(xù)換成10nm級產(chǎn)品。
6月7日,三星電子與美國新思科技(Synopsys)聯(lián)合舉辦的會議上公開了該公司代工業(yè)務(wù)的工藝路線圖。此次會議與第53屆設(shè)計自動化大會(53rd Design Automation Conference,DAC 2016,2016年6月5日~10日舉行)同在美國奧斯汀舉行。
會議的主題是“Ready to Design at 10nm! Synopsys and Samsung Foundry 10nm Enablement for Tapeout Success”。來自三星的演講嘉賓是Foundry Marketing Samsung SSI的高級總監(jiān)Kelvin Low。Kelvin Low主要圍繞10nm工藝發(fā)表了演講,同時還介紹了10nm之前的14nm以及10nm之后的7nm工藝。
從此次公布的路線圖來看,三星在10nm方面將首先推出“10LPE”,然后再推出“10LPP”。關(guān)于10LPE,2014年該公司公開了PDK(Process Design Kit,工藝設(shè)計套件),2015年完善了設(shè)計流程及Library IP。進入2016年之后,開始進行風(fēng)險量產(chǎn)。后來,該公司又公開了10LPP的PDK。并打算在2016年內(nèi)完善10LPP的設(shè)計流程及Library IP,并于2016年底開始進行10LPP的風(fēng)險量產(chǎn)。10nm的正式量產(chǎn)將從2017年早些時候開始。另外,據(jù)Kelvin Low介紹,10LPE的性能提高到了14LPP的1.1倍,芯片面積縮小至68%,10LPP的性能提高至14LPP的1.2倍,芯片面積縮小至68%。
Kelvin Low還表示,10nm工藝時代將會持續(xù)很長時間。之后,將會在短時期內(nèi)采用液浸ArF 7nm工藝生產(chǎn)?!熬拖衿矫嫘?2nm是過渡至FinFET 14nm的中間工藝那樣,二者十分相似”。液浸ArF 7nm之后,將會迎來真正的7nm時代。真正的7nm工藝將使用EUV(Extreme Ultraviolet)曝光技術(shù)。EUV 7nm工藝可將液浸ArF 7nm工藝使用的約80枚掩膜減少至60枚左右。另外,關(guān)于兩種7nm工藝,此次的路線圖并未給出明確的時間。
2016年全球半導(dǎo)體需求下滑 競爭加劇
Gartner預(yù)測,2016年全球半導(dǎo)體營收將達(dá)3,330億美元,較2015年減少0.6%。這已是連續(xù)第二年下滑,2015年主要電子設(shè)備需求疲軟、庫存水準(zhǔn)升高加上強勢美元持續(xù)為部分地區(qū)帶來沖擊,全球半導(dǎo)體營收已出現(xiàn)2.3%跌幅。Gartner研究總監(jiān)James Hines表示:“全球半導(dǎo)體市場預(yù)期將出現(xiàn)史上第二次營收連續(xù)兩年下滑的紀(jì)錄。由于半導(dǎo)體業(yè)仍在等待下一波足以帶動需求的動能出現(xiàn),我們預(yù)料2016年市場將下滑0.6%?!?/p>
個人電腦(PC)、Ultramobile與智慧手機產(chǎn)業(yè)紛紛下調(diào)產(chǎn)量預(yù)估值,2016年半導(dǎo)體需求也因此萎縮,且短期內(nèi)似乎看不到明顯動能足以抵銷這幾個半導(dǎo)體關(guān)鍵市場里需求下滑的頹勢。盡管物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與穿戴式電子產(chǎn)品等領(lǐng)域逐漸看到半導(dǎo)體商機,但相關(guān)市場仍處于開發(fā)初期,規(guī)模太小不足以對2015年整體半導(dǎo)體營收成長造成明顯影響。相信,隨著市場需求下滑,臺積電、三星和其他半導(dǎo)體廠商之間的競爭會日趨激烈。
?。ū疚膬?nèi)容部分來自Digtimes中文網(wǎng)、日經(jīng)技術(shù)在線的報道。)
評論