早報(bào)時(shí)間：全球半導(dǎo)體設(shè)備出貨排行 大陸季減37%；臺(tái)積電10nm以下先進(jìn)制程計(jì)劃：5nm/3nm仍在規(guī)劃中；我國(guó)IGBT首次出口海外市場(chǎng)；虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)五年之后將會(huì)廣泛?jiǎn)⒂?；?kù)克稱Apple Watch購(gòu)物季首周銷量創(chuàng)新紀(jì)錄；魅藍(lán)Note5/魅族手環(huán)齊亮相；iPhone7之后 傳三星S8也將取消耳機(jī)接口。

| 半導(dǎo)體

1、全球半導(dǎo)體設(shè)備出貨排行 大陸季減37%

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）公布最新全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告，2016年第3季半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額達(dá)109.8億美元，與上季相比提升5%，更較去年同期成長(zhǎng)14%。其中***半導(dǎo)體設(shè)備第3季出貨金額仍排名全球第一，季增與年增率均達(dá)二成以上成長(zhǎng)，表現(xiàn)相當(dāng)亮眼。

全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單統(tǒng)計(jì)顯示，2016年第3季訂單金額為113億美元，雖較前一季下滑5%，與去年同期相比卻大幅成長(zhǎng)30%。而第3季全球設(shè)備出貨金額109.8億美元，較上季104.6億美元，成長(zhǎng)5%，與去年同期96.4億美元，成長(zhǎng)14%。對(duì)照先前第3季單月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨B／B值維持在1以上，顯示半導(dǎo)體景氣仍處于溫和擴(kuò)張趨勢(shì)中。

而統(tǒng)計(jì)各區(qū)域出貨金額，***第3季設(shè)備出貨金額達(dá)34.6億美元，仍位居全球第一，較上季的27.3億美元，成長(zhǎng)27%，較去年同期28.5億美元，則成長(zhǎng)22%；而成長(zhǎng)幅度則以歐洲地區(qū)表現(xiàn)最為強(qiáng)勁，季增及年增率各在42%及57%；鄰國(guó)南韓也表現(xiàn)不俗，季增及年增率各在36%及34%。

圖／聯(lián)合晚報(bào)提供

2、臺(tái)積電10nm以下先進(jìn)制程計(jì)劃：5nm/3nm仍在規(guī)劃中

臺(tái)積電10納米以下先進(jìn)制程投資計(jì)劃

雖然摩爾定律（Moore’s Law）能否持續(xù)推進(jìn)，產(chǎn)業(yè)界眾說(shuō)紛云，但晶圓代工龍頭臺(tái)積電靠著技術(shù)上的創(chuàng)新，可望讓先進(jìn)制程依循摩爾定律，持續(xù)推進(jìn)到5納米及3納米世代。為此，臺(tái)積電將以南科園區(qū)為據(jù)點(diǎn)，投入5，000億元資金，建立支援5納米及3納米的龐大產(chǎn)能。

科技部長(zhǎng)楊弘敦昨（6）日搶先發(fā)布臺(tái)積電將投入5，000億元，建立5納米及3納米龐大產(chǎn)能的投資規(guī)畫。臺(tái)積電對(duì)此表示，與科技部有針對(duì)后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)行溝通，包括討論到建地及水電供應(yīng)等問(wèn)題，但5納米及3納米仍在規(guī)劃中，尚無(wú)法說(shuō)明及評(píng)論相關(guān)細(xì)節(jié)。

半導(dǎo)體先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)激烈，臺(tái)積電目前面臨的不僅是韓國(guó)三星電子的龐大搶單壓力，臺(tái)積電大客戶之一的處理器大廠英特爾，也持續(xù)透露對(duì)晶圓代工市場(chǎng)抱持興趣的看法。因此，臺(tái)積電要在晶圓代工市場(chǎng)維持龍頭大廠地位，除了要擁有龐大的產(chǎn)能因應(yīng)不同客戶需求外，在先進(jìn)制程的推進(jìn)上亦要領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)同業(yè)才行。

臺(tái)積電第4季開始量產(chǎn)新一代10納米鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）制程，首座支援10納米產(chǎn)能的中科12寸廠Fab 15第5期工程，已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，而第6期工程將在明年上半年進(jìn)入量產(chǎn)，第7期工程則會(huì)在明年下半年放量投片。

臺(tái)積電將10納米及7納米視為同一制程世代，有9成以上的設(shè)備可以共通互用，所以，F(xiàn)ab 15的第5期至第7期等3座晶圓廠，都可支援10納米及7納米制程。臺(tái)積電現(xiàn)已替聯(lián)發(fā)科、蘋果、海思等大客戶代工10納米手機(jī)芯片或應(yīng)用處理器；至于7納米的量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)將落在2017年底、2018年初，包括可程式邏輯閘陣列（FPGA）大廠賽靈思（Xilinx）、繪圖芯片大廠輝達(dá)（NVIDIA）等，已決定采用臺(tái)積電7納米生產(chǎn)新一代芯片。

臺(tái)積電預(yù)期7納米量產(chǎn)的2年后，也就是2020年就可順利進(jìn)入5納米世代，并已開始進(jìn)行5納米制程的研發(fā)。除了在材料上可能有所改變，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)也可能變更，5納米將是臺(tái)積電首度將極紫外光（EUV）微影技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)的主要制程節(jié)點(diǎn)。因此，臺(tái)積電將在南科園區(qū)Fab 14第8期至第10期，規(guī)劃建立5納米制程龐大產(chǎn)能，全部完工后月產(chǎn)能可望上看10萬(wàn)片規(guī)模。

在5納米之后的3納米，若依摩爾定律進(jìn)行，將在2022年后進(jìn)入量產(chǎn)階段，而臺(tái)積電將在南科持續(xù)擴(kuò)建Fab 15新廠第11期及第12期工程，業(yè)界認(rèn)為，臺(tái)積電3納米應(yīng)該會(huì)以EUV微影技術(shù)為主力的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，不僅成本可望大幅降低，還能提供更好的功耗。

3、我國(guó)IGBT首次出口海外市場(chǎng)

根據(jù)湖南省經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)發(fā)布的消息，近日，中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司（中車株洲所）自主研發(fā)的8英寸IGBT產(chǎn)品，成功中標(biāo)印度機(jī)車市場(chǎng)，將用于該國(guó)電力貨運(yùn)重載機(jī)車改造升級(jí)項(xiàng)目，這是該產(chǎn)品首次出口海外。

絕緣雙極性晶體管（IGBT）是目前技術(shù)最先進(jìn)的電力電子器件，廣泛應(yīng)用于家用電器、新能源裝備、軌道交通、直流輸電、自動(dòng)化和智能控制領(lǐng)域，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。該技術(shù)一直由英飛凌、ABB、三菱等國(guó)外公司壟斷。中車株洲所在引進(jìn)吸收的基礎(chǔ)上，建成世界第二條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，自主研發(fā)出大功率的8英寸IGBT產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于中國(guó)高鐵領(lǐng)域。此次即將出口印度的IGBT產(chǎn)品，是中車時(shí)代電氣IGBT家族的相當(dāng)成熟的一款主打產(chǎn)品。該產(chǎn)品從芯片到模塊，再到組件，均由中車株洲所旗下的中車時(shí)代電氣完成全部的研制和生產(chǎn)。隨著“一帶一路”、“高鐵出?！钡葒?guó)家戰(zhàn)略的推進(jìn)，中國(guó)鐵路及其高端裝備行業(yè)走出國(guó)門步伐將加快。

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1、虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)五年之后將會(huì)廣泛?jiǎn)⒂?/strong>