新一代內(nèi)存

過去一年，對于在實驗室醞釀多年的新型內(nèi)存究竟會不會進入商用市場，產(chǎn)業(yè)界一度抱著希望后失望、又重燃希望。

Intel在年初解釋了為何眾人期待的3D XPoint內(nèi)存可能會比先前所想的更難制造；但實際上在今年底，該種內(nèi)存的樣品還是難產(chǎn)，分析師們也都在猜測內(nèi)部結(jié)構。而Intel合作伙伴美光（Micron）在今年8月則展示了一款固態(tài)硬盤（SSD）原型，采用PCIe Gen3接口、寫入速度不到20ms，讀取速度則不到10ms，比現(xiàn)有的NAND閃存SSD快十倍。

三星（Samsung）也表示該公司正在開發(fā)一款先進的3D NAND組件；而Terabyte等級的Z-NAND SSD，性能與上述Micron產(chǎn)品相當。

Intel尚未發(fā)表任何關于3D XPoint細節(jié)的論文，但其他新型內(nèi)存是月初舉行的年度國際電子組件會議（IEDM）焦點，預期也會是明年2月登場的年度國際固態(tài)電路會議（ISSCC）之重頭戲；或許我們在明年8月的Intel開發(fā)者論壇（IDF）能知道更多。

在此同時，研究人員仍看好MRAM技術；這種由IBM領銜開發(fā)的內(nèi)存在2016年已經(jīng)20歲了。新創(chuàng)公司Everspin在4月推出了256Mbit的MRAM組件，號稱能替代SSD內(nèi)的DRAM做為寫入高速緩存；Globalfoundries在9月時透露，該公司將在其22奈米FD-SOI制程，采用Everspin技術來替代嵌入式閃存。

Marvell技術長在一場8月舉行的活動上，介紹了一種不知名的內(nèi)存控制器，據(jù)說會比其他啟發(fā)它的新式內(nèi)存更快問世；WD （Western Digital）的技術長則在同一場活動中承諾，其磁阻式內(nèi)存（resistive RAM）將會在2020年以前上市，而且性能優(yōu)于3D XPoint。而 因為內(nèi)存技術瓶頸仍是計算機性能進展的一大問題，2016年出現(xiàn)的新希望可望延續(xù)到新的年度。

Micron展示采用3D XPoint內(nèi)存的SSD原型

5G行動通訊向前邁進

我們在2015年討論的無線與網(wǎng)絡技術主題，主要是關于正蓬勃發(fā)展的智能型手機、Wi-Fi以及藍牙低功耗技術；今年智能型手機雖然仍常占據(jù)頭條位置，不幸的是Samsung發(fā)生了Galaxy Note 7智能型手機發(fā)生電池起火的意外，也成為輿論關注焦點。

Google的硬件部門在10月初推出了一款新手機，旨在與Samsung還有Apple的頂級機種競爭；不久之后，中國業(yè)者樂視（LeEco）也在北美市場推出了一款新手機LePro3，與Google新機有著類似的雄心壯志。

但通訊領域更大的話題是與5G相關，其相關標準的訂定已經(jīng)在4月份正式展開，預期要到2020年才會有成果；類5G服務的競爭壓力則是已經(jīng)提早浮現(xiàn)，許多現(xiàn)場測試已經(jīng)在進行中。

高通（Qualcomm）在6月份展示了包含DSP與FPGA的基地臺原型，提供上述現(xiàn)場測試采用；該公司在10份發(fā)表了一款28GHz芯片組，應用在韓國電信業(yè)者Korea Telecom以及美國電信業(yè)者Verizo的測試，并最終將演變?yōu)槌墒斓漠a(chǎn)品。Qualcomm的競爭對手Intel也推出了類似的原型系統(tǒng)，并推出28GHz芯片樣本。

在9月，一位參與3GPP標準會議的Qorvo工程師表示，該組織期望能在2018年5月推出Phase 1的次6GHz頻段5G規(guī)格初始版本；5G標準最終將實現(xiàn)廣泛的高頻、低延遲應用市場，跨越從1GHz以下到數(shù)十GHz的頻段，將改變手機與基礎建設系統(tǒng)如基地臺、邊緣網(wǎng)絡的市場格局。

轉(zhuǎn)向5G可能對產(chǎn)業(yè)界邁向運算新時代有所幫助；無疑的，運算產(chǎn)業(yè)的春天還沒來，也許量子位將會在那時候蓬勃發(fā)展；而現(xiàn)在我們正在一個繽紛色彩迸發(fā)的、充滿活力的秋天！

編譯：Judith Cheng

（參考原文： Computing Got Colorful in 2016，by Rick Merritt）