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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)>Fujitsu FRAM 鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器“免費(fèi)樣片”申請(qǐng)活動(dòng)

Fujitsu FRAM 鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器“免費(fèi)樣片”申請(qǐng)活動(dòng)

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以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢(shì)所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM,相較于其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和幾乎無限的壽命。 這
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免費(fèi)申請(qǐng)樣片的地方

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2009-06-18 16:14:57

存儲(chǔ)器 IC 分類的糾結(jié)

Access Memory:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱存儲(chǔ)器)。把FRAM歸類為非易失性存儲(chǔ)器是可以,但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近,它也是一種RAM。于是,存儲(chǔ)器的分類令人
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2020-05-07 15:56:37

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TI官方樣片申請(qǐng)流程說明

樣片" TI主頁上"樣片和購物車"中的"查看購物車"按鈕 網(wǎng)站中有多個(gè)位置可以找到"申請(qǐng)免費(fèi)樣片"按鈕,例如產(chǎn)品頁面。 步驟 2.
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【今天結(jié)束】ESP32-DevKitC-32D模組 免費(fèi)申請(qǐng)活動(dòng)!

活動(dòng)倒計(jì)時(shí)僅剩??8小時(shí)!【樂鑫ESP32-DevKitC-32D模組開發(fā)板免費(fèi)試用】免費(fèi)申請(qǐng)基于 ESP32 的小型開發(fā)板,可以用于低功耗傳感網(wǎng)絡(luò)和要求極高的任務(wù)【擁有即可實(shí)現(xiàn)!】? 1.內(nèi)置雙
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proteus 可以仿真存儲(chǔ)器FM25640嗎?或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎?
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詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫操作,但當(dāng)電源斷開時(shí),存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。隨機(jī)存儲(chǔ)器依照數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式的不同,主要可以分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2022-11-17 16:58:07

請(qǐng)問申請(qǐng)樣片賬號(hào)未通過申請(qǐng)不了怎么辦?

申請(qǐng)樣片,賬號(hào)未通過,申請(qǐng)不了怎么辦?
2018-08-19 07:52:16

集成存儲(chǔ)器的MCU有何作用

集成存儲(chǔ)器的MCU,由于在MCU上集成了存儲(chǔ)器,該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的原理

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26

鐵電存儲(chǔ)器FRAM 及其與MCU 的接口技術(shù)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器,應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用, 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:4525

拍字節(jié)(舜銘)存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128可兼容MB85RS128B

FRAM 芯片(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13

拍字節(jié)(舜銘)存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS2MC可兼容MB85RS2MT

FRAM 芯片(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33

拍字節(jié)(舜銘)存儲(chǔ)器(VFRAM)SF25C20可兼容MB85RS2MT

 該 FRAM 芯片(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59

拍字節(jié)(舜銘)存儲(chǔ)器(VFRAM)SF25C128可兼容MB85RS128B

FRAM 芯片(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47

鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解

鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解: 鐵電存儲(chǔ)器FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172

DS32X35帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC

概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布,Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù),FRAM是非易失存儲(chǔ)器,其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700

內(nèi)置串行接口的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID

  鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822

獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些?

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢?
2017-09-17 16:34:229447

FRAM 或是目前選用存儲(chǔ)器的最佳選擇

選用存儲(chǔ)器時(shí)主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲(chǔ)容量等。FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性,以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達(dá)1014
2018-06-02 02:46:0014464

如何申請(qǐng)ADI免費(fèi)樣片

ADI近期升級(jí)了其在線免費(fèi)樣片申請(qǐng) (http://www.analog.com/zh/samples) 流程,簡(jiǎn)化了的操作步驟縮短了填寫樣片申請(qǐng)所需時(shí)間,使申請(qǐng)者能夠更快、更容易地申請(qǐng)到ADI公司
2018-06-03 01:47:006354

介紹通過ST官網(wǎng)申請(qǐng)MCU免費(fèi)樣片的過程

如何通過ST官網(wǎng)申請(qǐng)MCU免費(fèi)樣片
2018-07-05 00:05:005712

PIC18F87K90單片機(jī)讀寫FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532

如何在線免費(fèi)申請(qǐng)ADI樣片

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2019-07-01 06:14:001822

如何申請(qǐng)ADI免費(fèi)樣片?流程介紹

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2019-06-10 06:22:004897

SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。 SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn) 隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫操作,但當(dāng)電源斷開時(shí),存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。隨機(jī)存儲(chǔ)器依照數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式的不同,主要可以分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2020-04-30 15:48:132878

只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)器的區(qū)別

只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)器區(qū)別:作用不同、特點(diǎn)不同
2020-07-27 15:09:4316295

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它的自身優(yōu)勢(shì)是什么

FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器,它使用鐵電膜作為電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫,高讀寫耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634

FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相互兼容

新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn),又有非失易失性特征,同時(shí)克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM
2020-10-30 16:47:12802

fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166108

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲(chǔ)器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:02824

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)

FRAM是一種新型存儲(chǔ)器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn),與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長(zhǎng),FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中,預(yù)計(jì)未來具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn),符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107

富士通FRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲(chǔ)器都用在了哪里

FRAM (鐵電RAM) 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 (如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565

非易失性存儲(chǔ)器FRAM的常見問題解答

什么是FRAM? FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的特性,具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766

鐵電存儲(chǔ)器FRAM

鐵電存儲(chǔ)器FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì),利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn): 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785

提供即時(shí)寫入功能的FRAM存儲(chǔ)器

FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能,無限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率,以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣,因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41327

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697

國(guó)芯思辰 |國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是電晶體材料,這種特殊材料使存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,
2023-06-08 09:52:17

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB85RS2MC可用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀

存儲(chǔ)器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護(hù)儀,記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護(hù)儀存儲(chǔ)著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息,可以和最近測(cè)量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)照,如果發(fā)生異常情況,監(jiān)護(hù)儀就會(huì)
2023-08-16 10:30:26

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB52RS2MC在車載電子控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

眾所周知,存儲(chǔ)器FRAM)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上,不僅不需要備用電池,而且
2023-09-27 10:00:51

替換MB85RS2MT,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于智能電表

存儲(chǔ)中,存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面的出色性能,可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中,如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動(dòng)取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器
2023-11-21 09:59:20

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