靜態(tài)隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:18
1961 
61LV25616AL - 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY - Integrated Silicon Solution, Inc
2022-11-04 17:22:44
（memdec）ld應(yīng)用于生成對存儲器的片選、de以及we信號中。片選信號是在刷新周期以外、當?shù)刂犯呶唬╯a16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設(shè)置在sram主板空間）、且bale為低電平
2020-12-10 16:44:18
采取包緩沖器來提高處理能力，除了上面提及到的以外，隨著系統(tǒng)中存儲器資源的增加，動態(tài)存儲分配也是必需的，路由器或者交換機的這些附加功能正在重新定義這網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的設(shè)計。 具有更多新功能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng) 并隨著
2017-06-02 10:45:40
SRAM 即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成，SRAM的高速和靜態(tài)特性使它們通常被用來作為Cache存儲器。計算機的主板上都有Cache插座。下圖所示的是一個SRAM的結(jié)構(gòu)框圖。由上圖看出SRAM一般由
2022-11-17 14:47:55
SRAM存儲器可兼容IS61WV25616EDBLL-8BLI的參考：英尚微推薦一款國產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08WM-55I，由EMI先進的全CMOS工藝技術(shù)制造。支持工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝
2021-12-03 08:17:27
sram存儲原理是依靠，概念靜態(tài)隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
， 每塊區(qū)域的大小是 512MB（1）Block0 內(nèi)部區(qū)域功能劃分Block0 主要用于設(shè)計片內(nèi)的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取決于 BOOT 引腳，為 FLASH、系統(tǒng)存儲器、 SRAM 的別名。0x08000000-0x0807FFFF：片內(nèi) FLASH，我們編寫.
2022-01-20 08:21:34
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存?！ ?、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
介紹SRAM/NOR/PSRAM界面。時序種類和存儲器種類對應(yīng)：SRAM/NOR/PSRAM界面讀寫時序分為異步/同步，復(fù)用/非復(fù)用，可以排列組合為4類。其中非復(fù)用異步又細分為6種模式。每種模式適用于
2022-03-14 20:31:33
DMA 簡介DMA(Direct Memory Access) —— 直接存儲器存取，是單片機的一個外設(shè)，它的主要功能是用來搬數(shù)據(jù)，但是不需要占用CPU，即在傳輸數(shù)據(jù)的時候，CPU 可以干其他的事情
2022-01-26 06:35:22
STM32學習筆記（7）——DMA直接存儲器訪問一、DMA簡介二、DMA功能框圖1. DMA請求2. 通道3. 仲裁器二、DMA的結(jié)構(gòu)體定義和庫函數(shù)定義1. DMA初始化結(jié)構(gòu)體2. DMA庫函數(shù)3.
2022-01-26 07:54:39
具體應(yīng)用情況:5509A DSP 的CE1空間外接了一個異步存儲器（FIFO），由DSP提供的異步讀時鐘 ARE 的頻率是怎么控制的呢？是主頻/(建立時間+選通時間+保持時間)嗎？當然這三個時間可由
2015-01-13 20:33:46
地擦除，而EEPROM可以單個字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動態(tài)隨機
2022-03-02 07:20:19
IS61LV25616-7K - 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY - Integrated Silicon Solution, Inc
2022-11-04 17:22:44
IS61LV25616-8K - 256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY - Integrated Circuit Solution Inc
2022-11-04 17:22:44
IS61LV25616AL-10B - 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY - Integrated Silicon Solution, Inc
2022-11-04 17:22:44
IS61LV25616AL-10LQI - 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY - Integrated Silicon Solution, Inc
2022-11-04 17:22:44
IS61LV25616AL-12K - 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY - Integrated Silicon Solution, Inc
2022-11-04 17:22:44
當系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的
SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
S29AL016D是SPANSION公司生產(chǎn)的16兆位的3V單一供電的FLASH存儲器。它為TSOP貼片48腳封裝和SOP 44腳封裝形式。
2021-04-23 07:16:05
：Flash、SRAM等。只有加入了這些東西，才能成為一個擁有實際意義的、可以工作的處理芯片——STM32。STM32的存儲器地址空間被劃分為大小相等的8塊區(qū)域，每塊區(qū)域大小為512MB。對STM32存儲器知識
2018-08-14 09:22:26
這里寫自定義目錄標題(一)為什么要擴展外部SRAM(二)什么是SRAM簡介 存儲器型號 容量 原理框圖 引腳配置 通訊方式 讀寫特性 讀取數(shù)據(jù)時序圖 讀取數(shù)據(jù)的時序要求 寫入數(shù)據(jù)時序圖 寫入數(shù)據(jù)
2021-08-05 08:22:50
你好，我懷疑，在4Mbit（128 K×32）流水線同步SRAM（CY7C1339 G）。沒有這個引腳ADSP，ADSC，我能得到同步SRAM內(nèi)存。我可以用作為一個外部存儲器，如果我能比我用ADSP
2019-08-15 07:02:35
有誰用過IS61LV25616啊，現(xiàn)需要在STM32上擴展一個IS61LV25616芯片，誰有原理圖啊，謝謝了啊
2020-08-21 05:02:33
FIFO。圖3所示是將緊耦合數(shù)據(jù)存儲器中的數(shù)據(jù)寫人FIFO的時序驗證。4 SRAM的接口設(shè)計本設(shè)計中的SRAM采用的是ISSI公司的IS61LV25616AL-10TL型16位高速異步SRAM，它屬于
2018-12-07 10:27:46
的測試系統(tǒng)應(yīng)運而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計與實現(xiàn)，對各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進行了詳細的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
如何為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇合適的同步SRAM存儲器？
2021-05-24 06:13:40
貼片，44腳的IS61LV51216是一個8M容量,結(jié)構(gòu)為512K*16位字長的高速率SRAM，它的替代品有？碼庫網(wǎng)上沒查到呀？怎么去找呢？
2016-05-17 17:34:24
本人新手，需要構(gòu)建一個使用大量SRAM存儲器的應(yīng)用，求指點，具體需求如下：需要大量的高速存儲，只能使用SRAM才能滿足要求，計劃使用10塊8M的片外SRAM。目前我已學會基本的知識（看完芯航線
2019-08-07 15:25:58
存儲器配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0，即將S3C4510B的nRCS（Pin75）接至HY29LV160的CE＃端。HY29LV160的RESET＃端接系統(tǒng)復(fù)位信號；OE＃端接
2019-06-10 05:00:01
幀存儲器AL440B具有什么特點？AL440B的典型應(yīng)用是什么？
2021-06-04 06:19:17
：1.Low power SRAM (低功耗靜態(tài)隨機存儲器)1Mbit-16Mbit.2.Async Fast SRAM(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速
2013-08-23 11:00:03
大家好，我需要將8位SRAM（例如，http：//www.issi.com/WW/pdf/61LV5128AL.pdf）連接到我的Zedboard。我想我可以制作PCB，將SRAM焊接到其上并
2020-03-20 08:29:27
開關(guān)電路，搭建存儲器編程開發(fā)環(huán)境，讀寫國產(chǎn)Lyontek的SRAM芯片：LY62L5128。國產(chǎn)的存儲器好像比較少，支持一下。 一，LY62L5128 CMOS SRAM 靜態(tài)存儲器（SRAM）是由
2016-08-30 04:32:10
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
組成該存儲器需要多少片ROM芯片和SRAM芯片？ROM芯片、SRAM芯片各需連接CPU的那幾根地址線和數(shù)據(jù)線？
2021-10-27 06:52:43
存儲器的功能模型圖1.3 存儲器的關(guān)鍵路徑圖1.2 是SRAM的功能模型，圖1.3 給出了SRAM的關(guān)鍵路徑，也就是從地址輸入開始到數(shù)據(jù)輸出之間影響讀出操作的通路。為了更好地理解SRAM的關(guān)鍵路徑
2022-11-17 16:58:07
功能介紹2.1 MSP430FRXX 系列MCU簡介TI 公司最新一代MSP430FRXX系列MCU 采用了FRAM作為代碼和數(shù)據(jù)存儲器，替代傳統(tǒng)MCUFLASH+SRAM 的結(jié)構(gòu)，并且其FRAM帶有
2019-06-12 05:00:08
最近買了一塊FPGA最小系統(tǒng)，想學nios ii，板子上有IS61LV*** sram芯片，但是我不會添加，求大神給出手把手的教程，我還是個小白
2019-03-27 06:35:15
開發(fā)周期、長期供貨和最先進技術(shù)。從便攜式電子產(chǎn)品到網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，賽普拉斯的存儲器系列產(chǎn)品總能提供相應(yīng)的存儲器方案：低功耗、異步、同步與非易失性 SRAM，以及多端口 SRAM、FIFO 等。賽普拉斯提供完整
2020-09-01 19:40:50
靜態(tài)隨機存儲器 (Low Power SRAM); 高速靜態(tài)隨機存儲器 (High Speed SRAM); 虛擬靜態(tài)隨機存儲器
2010-09-03 13:05:24
靜態(tài)隨機存儲器SRAM存儲數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
ISSIIS61LV25616AL是一個高速4,194,304位的靜態(tài)RAM可組成262,144個字16位該器件由ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造而成將這種高可靠性的處理技術(shù)與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合就產(chǎn)生了高性能和低功
2009-07-24 14:43:25
142 本文介紹了LPC2220外部擴展存儲器的設(shè)計方法，以FLASH存儲器（SST39VF160）和SRAM 存儲器(IS61LV25616AL)為實例，給出具體應(yīng)用電路，以及EMC 內(nèi)部寄存器的配置和初始化程序源代碼。
2009-08-06 10:34:1875 網(wǎng)絡(luò)存儲器的概念簡介，以及網(wǎng)絡(luò)存儲器的應(yīng)用分析，本文進行相關(guān)的介紹。
2011-11-03 16:40:581130 異步SRAM存儲器接口電路設(shè)計（Altera FPGA開發(fā)板）如圖所示：
2012-08-15 14:37:053862 
IS61LV25616數(shù)據(jù)手冊下來看看
2016-12-16 22:45:0450 The ISSI IS61C25616AL/AS and IS64C25616AL/AS are high-speed， 4，194，304-bit static RAMs organized
2017-09-20 10:10:447 異步SRAM產(chǎn)品分為快速與低功耗兩個極為不同的產(chǎn)品類型，每個系列都具有其自己的一系列特性、應(yīng)用和價格?？焖?b class="flag-6" style="color: red">異步SRAM具有更快的存取速度，但功耗較高；低功耗SRAM功耗低，但存取速度慢。 從技術(shù)角度
2017-10-16 11:11:380 sram（靜態(tài)隨機存取存儲器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲數(shù)據(jù)的存儲器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對一種特定的應(yīng)用。本文旨在對目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評述。
2017-11-03 18:03:052730 關(guān)鍵詞：AL440B , 視頻回放 , 幀存儲器 AL440B是由AVERLOGIC推出的一款性價比較高的視頻幀存儲芯片，目前市場上FIFO的存儲容量均比較小，包括該公司前幾年推出的具有3M位容量
2019-02-12 07:57:01522 實驗?zāi)康?. 認識 DEC2812 外部存儲器 SRAM； 2. 熟悉 SRAM 的讀取操作。
2019-07-31 16:12:0016 外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲器也有很多種類。對于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲器兼具優(yōu)缺點。 優(yōu)點 外部SRAM
2019-11-18 23:20:225234 關(guān)鍵詞：異步SRAM , SRAM SRAM是Static Random-Access Memory的縮寫，中文稱為靜態(tài)隨機存儲器。SRAM是一種具有靜止存取功能的存儲器，不需要通過刷新電路就能保存
2020-03-08 17:15:003527 
最好的介質(zhì)。幾乎占據(jù)了中國存儲的半壁江山，特別是更細分的存儲市場如SRAM芯片，pSRAM芯片等，幾乎被ISSI，cypress長年占據(jù)高達80%以上的市場份額，隨著中國市場對產(chǎn)品國產(chǎn)化的要求，越來越多的工控廠商，國企單位針對IS61LV25616芯片要求替換為國產(chǎn)化
2020-03-23 15:25:525108 ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM，4,194,304位靜態(tài)RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI
2020-04-03 16:40:041094 SRAM存儲芯片即是靜態(tài)隨機存取存儲器。它具有靜止存取功能的存儲器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲芯片主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多
2020-04-28 14:16:361185 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細介紹
2020-04-30 15:48:132878 
）和RFDRAM（免刷新DRAM）專利技術(shù)而成的新型存儲器。與傳統(tǒng)的DRAM和SRAM不同, XM8A51216具有以下幾個技術(shù)特點： 1、數(shù)據(jù)讀
2020-04-30 15:00:285833 推出采用先進的全CMOS工藝技術(shù)制造的異步高速SRAM芯片STR25616B-15I ,該器件選用44引腳的TSOP芯片級封裝，優(yōu)點是方便客戶在產(chǎn)品的整體設(shè)計中使用該款SRAM芯片
2020-05-06 15:50:071364 或磁性材料的存儲元,它可存儲一個二進制代碼.由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器,就用來存放程序和數(shù)據(jù)了. 按其功能可分為:隨機存取存儲器(簡稱ram)和只讀存儲器(只讀ROM) RAM包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取
2020-05-10 10:10:547053 ISSI IS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位SRAM，組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。 當CS＃為高電平（取消選擇
2020-05-19 09:17:252028 最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導體存儲器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價格的優(yōu)點，已成為了生產(chǎn)最多的用于計算機主體的易失性存儲器（也稱為揮發(fā)性存儲器）。SRAM
2020-05-19 09:27:541903 速CPU和較低速DRAM之間的緩存.SRAM也有許多種，如Async SRAM（異步SRAM）、Sync SRAM（同步SRAM）等。下面英尚微電子解析關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點。 半導體隨機存儲器芯片內(nèi)集成有記憶功能的存儲矩陣，譯碼驅(qū)動電路和讀/寫電路等等。 下面介紹幾個重要的概念： 讀寫電
2020-07-16 14:07:445228 
正確的同步靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的選擇對于帶寬要求更高，系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢，以便為其應(yīng)用選擇正確的存儲器。 決定正確的同步
2020-08-03 15:32:331159 
IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲時間相對較短的存儲器。對其控制要求相對簡單。 由一個高速
2020-08-03 15:39:465373 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機存儲器存儲器（SRAM）是隨機存儲器存儲器的一種。說白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類存儲器要是維持接電源，里邊存儲的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對性下，動態(tài)性隨機存儲器存儲器（DRAM）里邊所存儲
2020-08-10 16:43:2413590 CYPRESS的異步SRAM產(chǎn)品包含業(yè)界最多樣的異步低功耗SRAM產(chǎn)品組合，密度范圍從64Kb至64Mb。MoBL SRAM提供業(yè)界標準電壓、總線寬度及封裝選項。 此裝置提供領(lǐng)先業(yè)界的待機功率消耗
2020-08-24 17:29:471793 
上等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲器接口。星憶存儲代理英尚微電子支持提供例程及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。 特征
2020-09-09 11:44:111758 于一些需要采集處理較多數(shù)據(jù)。應(yīng)用算法或使用GUI等場合，內(nèi)置的SRAM就顯得捉襟見肘了，這時就需要擴展SRAM了。 IS61LV51216是ISSI公司生產(chǎn)的常用16位SRAM異步存儲芯片，內(nèi)部512k
2020-12-02 14:23:05972 美國ISSI公司是為汽車和通信，數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設(shè)計開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年來對精密半導體存儲器的需求已從個人計算機市場
2021-04-08 15:44:021588 
SRAM是隨機存取存儲器的一種。靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。因此SRAM具有較高的性能，SRAM也有許多種，如Async SRAM （A異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。
2021-04-26 16:21:001101 IS61WV25616EFBLL-10B3LI的存儲芯片。 描述： 國產(chǎn)SRAM芯片EMII型號EMI504NL16LM-55IT采用EMI先進的全CMOS工藝
2021-06-08 16:49:321933 SRAM是一種隨機存取存儲器（RAM），它使用基于觸發(fā)器的鎖存電路來存儲每個位。只要有電源，數(shù)據(jù)位就會保留在存儲器中。與動態(tài)RAM（DRAM）不同，SRAM不必定期刷新。SRAM有兩種不同的風格
2021-06-08 16:58:105700 是外擴SRAM存儲器可兼容IS61WV25616EDBLL-8BLI的參考：英尚微推薦一款國產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08WM-55I，由EMI先進的全CMOS工藝技術(shù)制造。支持工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝，以使用戶靈活地進行系統(tǒng)設(shè)計。該系列還支持低數(shù)據(jù)保持電壓，以低數(shù)據(jù)保持電流實現(xiàn)電池備份操作。 位寬512
2021-11-23 17:36:3913 于一些需要采集處理較多數(shù)據(jù).應(yīng)用算法或使用GUI等場合,內(nèi)置的SRAM就顯得捉襟見肘了,這時就需要擴展SRAM了。IS61LV51216是ISSI公司生產(chǎn)的常用16位SRAM異步存儲芯片,內(nèi)部512k存儲容量足以滿足多數(shù)場合應(yīng)用需求,存取時間8~12ns ,全靜態(tài)操作,不需時鐘或刷新,兼容TTL標準接口
2021-11-26 19:51:0618 快速異步型SRAM，存取時間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型 SRAM 。這些存儲器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中，且功耗較高。其典型應(yīng)用包括老式PC L2高速緩沖存儲器、高速
2021-12-21 15:49:531080 
英尚微電子推出采用先進的全CMOS工藝技術(shù)制造的異步高速SRAM芯片STR25616B-15I ,該器件選用44引腳的TSOP芯片級封裝，優(yōu)點是方便客戶在產(chǎn)...
2022-02-07 11:21:282 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其...
2022-02-07 11:25:292 SRAM是一種具有靜止存取功能內(nèi)存的靜態(tài)隨機存儲器，不需要進行刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
2022-11-17 15:07:54452 SRAM也是易失性存儲器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲，一旦設(shè)備斷開電源，就會失去信息。
這個設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，它一般由6個晶體管組成，因此被稱為6T存儲器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
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