最具創(chuàng)新性的EEPROM存儲器

　　Atmel 公司今日發(fā)布了業(yè)界最具創(chuàng)新性的單線EEPROM 產(chǎn)品，這款產(chǎn)品僅需2只引腳，即1只數(shù)據(jù)引腳和1只接地引腳即可正常工作。本系列產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、可穿戴設(shè)備、耗材、電池和纜線標(biāo)識市場的理想之選。由于新器件產(chǎn)品能夠自行供電，它無需使用電源或Vcc引腳，而是通過數(shù)據(jù)引腳采用寄生電源方案。這一系列器件可提供同類產(chǎn)品中最出色的超低功耗性能，在攝氏25度下，待機電流700nA，寫入電流200μA，讀取電流80μA，僅為其他領(lǐng)先競爭產(chǎn)品的三分之一。

　　小型物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、電池和線纜標(biāo)識應(yīng)用空間狹小，而Atmel的ATM1CS01/11器件通過單根數(shù)據(jù)引腳實施了寄生供電方案，徹底消除了對外部電容器和整流管的依賴。此外，新器件還具備超高寫入耐久度，每個內(nèi)存位置可以寫入100萬次以上的循環(huán)次數(shù)，滿足了當(dāng)今對高寫入耐久度應(yīng)用的要求。

　　ATM1CS01/11產(chǎn)品具備一項簡單的產(chǎn)品標(biāo)識功能，可為每個器件上附上一個即插即用64位唯一序列號。因此，該產(chǎn)品是當(dāng)今物聯(lián)網(wǎng)世界的智能聯(lián)網(wǎng)設(shè)備（包括智能健康手環(huán)和醫(yī)療設(shè)備等可穿戴設(shè)備）的理想之選。這些設(shè)備還提供了行業(yè)領(lǐng)先的靜電（ESD）防護(hù)等級（符合IEC 61000-4-2 第4級ESD等級），可幫助線纜、可穿戴設(shè)備等避免受到外界環(huán)境或人體接觸的影響，保持其完美無暇的性能。

　　Atmel內(nèi)存產(chǎn)品營銷總監(jiān)Padam Singh表示：“Atmel公司一直植根于存儲器領(lǐng)域，我們很高興推出新一代采用寄生供電方案的創(chuàng)新真2引腳串行EPROM存儲器產(chǎn)品。我們的全新單線 EEPROM系列可以非常方便地添加串行EEPROM存儲器，只占用MCU/MPU的一根引腳，無需為設(shè)備布設(shè)Vcc引線，可顯著節(jié)省板卡空間，并簡化了布局。此外，這個即插即用的64位序列號是為各種配件和耗材添加標(biāo)識的最簡便方式。我們希望將這些產(chǎn)品推廣到下一代應(yīng)用當(dāng)中，提供各種增值和業(yè)界首創(chuàng)的解決方案。”

　　新器件遵循了I2C 通信協(xié)議，用更少的開銷和容量即可從現(xiàn)有EEPROM方便地移植至本器件，可在同一總線上連接最多8個設(shè)備。AT21CS01設(shè)備提供了一個安全寄存器和64位原廠編程的序列編號，并另提供16字節(jié)用戶可編程和永久性可鎖定存儲空間，提供有安全保證的獨特序列編號，可應(yīng)用于庫存追蹤、資產(chǎn)標(biāo)記，并能在需要時永久保護(hù)數(shù)據(jù)。

　　該產(chǎn)品有兩個分別滿足不同電壓要求的版本。Atmel AT21CS01面向運行電壓在1.7V- 3.6V之間的低電壓應(yīng)用。對于鋰聚合物電池等需要更高電壓范圍的應(yīng)用，AT21CS11將能支持2.7V- 4.5V的運行電壓，是滿足IEEE1725電池電子標(biāo)識規(guī)范的理想產(chǎn)品。

閱讀全文

存儲器(161623) 存儲器(161623)
物聯(lián)網(wǎng)(357086) 物聯(lián)網(wǎng)(357086)
EEPROM(79986) EEPROM(79986)

意法半導(dǎo)體非易失性存儲器取得突破，率先在業(yè)界推出串行頁EEPROM

是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨步業(yè)界，前所未有。意法半導(dǎo)體新的串行頁EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當(dāng)?shù)臅r候增加

2022-07-01 11:17:26

697

AT25XXX系列EEPROM存儲器的驅(qū)動設(shè)計、實現(xiàn)及使用

我們在前面開發(fā)過AT24CXX系列EEPROM存儲器，它使用的是I2C接口。不過有時候我們也會使用SPI接口的EEPROM存儲器。在這一篇我們將來討論AT25XXX系列EEPROM存儲器的驅(qū)動設(shè)計、實現(xiàn)及使用。

2022-12-07 16:51:24

2934

Microchip推出4 Mb串行EEPROM存儲器，成為迄今為止存儲密度最高的產(chǎn)品

Microchip存儲器產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Randy Drwinga表示：“充分挖掘串行EEPROM潛力可以為產(chǎn)品創(chuàng)新提供支持，設(shè)計人員現(xiàn)在可以對系統(tǒng)進(jìn)行重新評估，并利用這項新技術(shù)來優(yōu)化設(shè)計性能?！?/div>

2020-08-30 11:59:08

3097

8051單片機內(nèi)部程序存儲器容量

8051單片機內(nèi)部程序存儲器容量，單片機運行時的數(shù)據(jù)都存在于RAM（隨機存儲器）中，在掉電后RAM中的數(shù)據(jù)是無法保留的，那么怎樣使數(shù)據(jù)在掉電后不丟失呢？這就需要使用EEPROM 或FLASHROM

2021-07-19 08:53:33

EEPROM仿真問題：怎么將數(shù)據(jù)存儲在程序存儲器中

/01095D.PDFI有一個關(guān)于如何使用這個問題的簡單問題。圖書館如何決定它將在哪里寫入程序存儲器？我擔(dān)心的是，寫操作會破壞現(xiàn)有的程序指令代碼。以上來自于百度翻譯以下為原文 I found

2019-02-25 13:08:08

EEPROM數(shù)據(jù)存儲器操作方式有哪幾種？

AVR系列單片機有哪幾種存儲器？AVR系列單片機在程序中如何訪問FLASH程序存儲器？EEPROM數(shù)據(jù)存儲器操作方式有哪幾種？

2021-09-23 08:13:11

EEPROM的存儲原理/選型/特點/應(yīng)用

非易失性存儲器主要是用來存放固定數(shù)據(jù)、固件程序等一般不需要經(jīng)常改動的數(shù)據(jù)。目前主流非易失性存儲器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM的存儲原理EEPROM即電

2020-12-16 16:27:22

EEPROM的工作原理和應(yīng)用方式

一些微控制器配有片載 EEPROM，這樣既提供了非易失性數(shù)據(jù)存儲器，還能節(jié)省板空間。然而，隨著數(shù)據(jù)安全變得愈發(fā)重要，許多現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)需要一種實用的方法，利用非易失性存儲器來安全地存儲數(shù)據(jù)，同時還可

2020-12-28 07:32:47

存儲技術(shù)的創(chuàng)新又該從哪些方面下手？

[td]大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲市場火爆異常，價格一漲再漲，從手機、電腦、汽車、到玩具，幾乎所有電子產(chǎn)品等離不開存儲器，而尤其可穿戴、醫(yī)療、工業(yè)設(shè)備更離不開高性能、高耐久性以及低功耗特性

2021-02-26 07:43:09

存儲技術(shù)要從哪方面創(chuàng)新？

大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲市場火爆異常，價格一漲再漲，從手機、電腦、汽車、到玩具，幾乎所有電子產(chǎn)品等離不開存儲器，而尤其可穿戴、醫(yī)療、工業(yè)設(shè)備更離不開高性能、高耐久性以及低功耗特性的關(guān)鍵數(shù)據(jù)

2019-09-03 06:37:36

存儲器 IC 分類的糾結(jié)

存取速度分類)：1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類)：1、易

2012-01-06 22:58:43

存儲器是什么？有什么作用

1. 存儲器理解存儲器是計算機結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易

2021-07-16 07:55:26

存儲器有哪些種類

-----ROM Read Only Memory，顧名思義，它是一種只能讀出事先所存的數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲器。ROM中所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，一旦存儲數(shù)據(jù)就再也無法將之改變或者刪除，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會消失

2021-12-10 06:34:11

存儲器的分類

存儲器的分類存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲器（又稱易失性存儲器）：體積小，功耗低，存取時間短，電源消失的時候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器（...

2021-07-26 08:30:22

存儲器的分類介紹各種存儲器功能分類大全

內(nèi)部程序，其特點是價格便宜?！　?、可編程的只讀存儲器（PROM）：　　它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進(jìn)行更改，這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP（Only Time

2017-10-24 14:31:49

存儲器的分類介紹各種存儲器功能分類大全

更改內(nèi)部程序，其特點是價格便宜?！　?、可編程的只讀存儲器（PROM）：　　它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進(jìn)行更改，這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP（Only

2017-12-21 17:10:53

存儲器的相關(guān)資料推薦

所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指

2021-12-10 06:54:11

AT24Cxx系列eeprom存儲器

針對AT24Cxx系列eeprom存儲器，寫的時候有越頁功能，不用考慮頁邊界，I2C用軟件模擬實現(xiàn)，完善中…#define SDA1() PORTC|=1< #define SDA0

2021-11-23 06:32:05

ATmega168 EEPROM數(shù)據(jù)存儲器如何進(jìn)行讀/寫訪問？

ATmega168 EEPROM數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行讀/寫訪問的步驟

2020-11-16 06:50:11

F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？

問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？

2020-05-20 04:37:13

FLASH存儲器與SRAM最主要的區(qū)別是什么

概念理解：FLASH存儲器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是FLASH得存儲容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片

2022-03-02 07:20:19

Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？

Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？

2021-06-18 07:03:45

KeyStone存儲器架構(gòu)

CorePac 的內(nèi)部存儲器架構(gòu)與此前 C6000™ DSP 系列產(chǎn)品相比，主要在四個方面實現(xiàn)了增強，而這突出體現(xiàn)在性能指標(biāo)和實用性方面。這些改進(jìn)旨在實現(xiàn)如下優(yōu)勢：1) 無論多個內(nèi)核和數(shù)

2011-08-13 15:45:42

PIC的程序存儲器與EEPROM的區(qū)別在哪

PIC的程序存儲器是FLASH存儲器，主要存儲程序代碼，掉電不丟失。數(shù)據(jù)存儲器是SRAM，主要存儲一些程序的變量，掉電丟失。EEPROM一般存儲程序中的重要數(shù)據(jù)，掉電也不丟失。區(qū)別：FLASH：只能

2021-11-24 08:12:26

RTOS的存儲器選擇

當(dāng)系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）?！　?/div>

2019-06-28 08:29:29

串行EEPROM存儲器及應(yīng)用

串行EEPROM存儲器及應(yīng)用

2017-02-05 13:47:29

什么是EEPROM存儲器？

什么是EEPROM存儲器？

2021-11-01 07:24:44

使用STM32F10x片內(nèi)的Flash存儲器實現(xiàn)軟件模擬EEPROM的方法

本文檔適用于STM32F1系列微控制器。介紹了外部EEPROM和嵌入式Flash存儲器之間的不同，描述了使用STM32F10x片內(nèi)的Flash存儲器實現(xiàn)軟件模擬EEPROM的方法。

2022-12-01 06:16:17

寫程序時用 EEPROM 存儲什么數(shù)據(jù)

用STM32F103單片機時都要外接一個AT2402 這個EEPROM存儲器。單片機本身自帶有程序存儲器，請問為什么還要加這個EEPROM呢?這個EEPROM主要是存放什么程序或數(shù)據(jù)呢？

2013-08-20 19:13:53

半導(dǎo)體存儲器的分類

能擦除的次數(shù)也是有限的——幾百次吧。（現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰）EEPROM，也叫 E2PROM稱之為電可擦可編程只讀存儲器，它和EEPROM類似，寫上去的東西也能擦掉重寫，但它要方便一些，不需要光照了，只要

2021-11-24 09:13:46

半導(dǎo)體存儲器的分類

閱讀哦?！　∫?、存儲器卡　　存儲器卡（Memory Card）是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器（EEPROM）為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒有任何的加密保護(hù)措施，對于卡片上的數(shù)據(jù)可以任意改寫

2020-12-25 14:50:34

單板硬件設(shè)計：存儲器（ NAND FLASH)

。 EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在多種

2023-05-19 15:59:37

單片機存儲器的相關(guān)資料下載

Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋

2022-01-26 07:30:11

可以使用M24SR EEPROM存儲器存儲通用數(shù)據(jù)和NFC數(shù)據(jù)

我可以使用M24SR EEPROM存儲器存儲通用數(shù)據(jù)和NFC數(shù)據(jù)嗎？ EEPROM中是否有用于存儲通用數(shù)據(jù)的用戶空間？以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Can i use M24SR EEPROM

2019-07-30 14:25:06

基于Arduino設(shè)計EEPROM外部存儲器

描述用 Arduino 設(shè)計我自己的 EEPROM 外部存儲器 PROGRAMMER / RECORDER | 24LC256讀/寫

2022-07-26 06:59:44

多功能存儲器芯片測試系統(tǒng)設(shè)計方案

的測試系統(tǒng)應(yīng)運而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計與實現(xiàn)，對各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口

2019-07-26 06:53:39

如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口？

如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口？

2021-05-06 07:23:59

如何去使用Efuse一次性可編程存儲器呢

Efuse是什么？Efuse的作用有哪些？如何去使用Efuse一次性可編程存儲器呢？

2021-11-02 06:55:41

如何用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限？

用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限

2021-03-18 06:00:25

如何識別哪些地址用于我的EEPROM存儲器？

IAM即將完成PSOC3（我的第一個主要項目）的創(chuàng)建者項目，并希望在發(fā)布之前使用一些閃存保護(hù)。在TRM或某個地方，閃存保護(hù)不能用于保存SPC數(shù)據(jù)（如EEPROM存儲器）的字節(jié)。我的問題是：如何識別

2019-06-18 09:14:56

嵌入式存儲器的設(shè)計方法是什么？

隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。

2019-11-01 07:01:17

影響存儲器訪問性能的因素有哪些？

影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？

2021-04-19 08:32:10

是否可以將FLASH用作輔助存儲器？

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)

2023-04-04 08:16:50

是否有任何一個STM8s EEPROM數(shù)據(jù)存儲器讀寫示例

您好，是否有任何一個STM8s EEPROM數(shù)據(jù)存儲器讀寫示例。以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Hello, Does any one STM8s EEPROM data memory read and write example.

2018-09-27 16:15:40

有關(guān)存儲器的基本知識匯總

存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？

2021-10-20 06:46:21

求助數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。

2011-11-29 09:50:46

汽車系統(tǒng)非易失性存儲器的選擇

、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器

2019-07-23 06:15:10

相變存儲器(PCM) :新的存儲器技術(shù)創(chuàng)建新的存儲器使用模式

目前高級應(yīng)用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點

2018-05-17 09:45:35

聊聊存儲器的相關(guān)知識

具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。易失性存儲器斷電后，里面存儲

2022-02-11 07:51:30

請問M24SR04 EEPROM存儲器可以直接訪問嗎？

不使用ISO-DEP協(xié)議的情況下直接訪問EEPROM存儲器，而是使用標(biāo)準(zhǔn)I2C命令訪問EEPROM存儲器的位置。在我的固件中，我只需要訪問NDEF文本文件進(jìn)行讀取并讀取該文件的前10個字節(jié)。所以

2019-08-02 14:41:04

請問一下與EEPROM存儲器相關(guān)的寄存器有哪些？

請問一下與EEPROM存儲器相關(guān)的寄存器有哪些？分別有什么作用？

2021-07-08 06:55:19

請問什么是ATtiny2313 EEPROM數(shù)據(jù)存儲器？

ATtiny2313 EEPROM數(shù)據(jù)存儲器是什么

2020-11-11 06:20:22

鐵電存儲器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長

”。鐵電存儲器就是利用了這種非易失性。雖然EEPROM或閃存也會根據(jù)元件內(nèi)的存儲區(qū)域是否有電荷來記憶數(shù)據(jù)，但FRAM是根據(jù)極化的方向來記憶數(shù)據(jù)的，所以兩者具有不同的記憶方式。 FRAM的特長FRAM

2020-05-07 15:56:37

鐵電存儲器的技術(shù)原理

)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座

2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲器的技術(shù)原理

2011-11-21 10:49:57

集成鐵電存儲器的MCU有何作用

的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關(guān)鍵是

2021-11-10 08:28:08

非易失性存儲器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計算

本篇文章介紹的是非易失性存儲器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計算。

2020-12-31 06:11:04

非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點

存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存

2023-04-07 16:42:42

原裝現(xiàn)貨兆易創(chuàng)新GD25Q127CSIGR GD存儲器量大從優(yōu) FLASH代燒錄

型號：GD25Q127CSIGR 制造商：GigaDevice(兆易創(chuàng)新) 存儲器構(gòu)架(格式)：FLASH 存儲器接口類型：SPI 存儲器容量：32Mb (4M x 8

2021-12-06 16:26:59

各公司存儲器規(guī)格

存儲器的種類很多，按存儲類型來分，可分為FLASH存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、SRAM存儲器等。FLASH的特點是必擦除以后才能編程；EEPROM寫入速度較慢，通常為ms（毫秒）級，不

2010-08-09 14:52:20

存儲器卡,存儲器卡是什么意思

存儲器卡,存儲器卡是什么意思 存儲器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器(EEPROM)為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒

2010-04-01 17:44:07

3641

41 0731_02 串口讀寫I2C接口EEPROM存儲器項目分析 - 第1節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

存儲器EEPROM

充八萬發(fā)布于 2023-08-19 11:46:18

41 0731_02 串口讀寫I2C接口EEPROM存儲器項目分析 - 第2節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

存儲器EEPROM

充八萬發(fā)布于 2023-08-19 11:47:08

41 0731_02 串口讀寫I2C接口EEPROM存儲器項目分析 - 第3節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

存儲器EEPROM

充八萬發(fā)布于 2023-08-19 11:48:02

41 0731_02 串口讀寫I2C接口EEPROM存儲器項目分析 - 第4節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

存儲器EEPROM

充八萬發(fā)布于 2023-08-19 11:49:02

41 0731_02 串口讀寫I2C接口EEPROM存儲器項目分析 - 第5節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

存儲器EEPROM

充八萬發(fā)布于 2023-08-19 11:49:52

41 0731_02 串口讀寫I2C接口EEPROM存儲器項目分析 - 第6節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

存儲器EEPROM

充八萬發(fā)布于 2023-08-19 11:50:42

41 0731_02 串口讀寫I2C接口EEPROM存儲器項目分析 - 第7節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

存儲器EEPROM

充八萬發(fā)布于 2023-08-19 11:51:33

41 0731_02 串口讀寫I2C接口EEPROM存儲器項目分析 - 第8節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

存儲器EEPROM

充八萬發(fā)布于 2023-08-19 11:52:23

41 0731_02 串口讀寫I2C接口EEPROM存儲器項目分析 - 第9節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

存儲器EEPROM

充八萬發(fā)布于 2023-08-19 11:53:13

串行EEPROM存儲器及應(yīng)用

串行EEPROM存儲器及應(yīng)用

2016-12-11 23:41:10

EEPROM存儲器數(shù)據(jù)的詳細(xì)資料說明

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是EEPROM存儲器數(shù)據(jù)的詳細(xì)資料說明。

2019-02-14 08:00:00

AT25512存儲器EEPROM代碼免費下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AT25512存儲器EEPROM代碼免費下載，基于SPI通信的EEPROM存儲器數(shù)據(jù)代碼。

2020-10-09 08:00:00

EEPROM的存儲原理以及EEPROM特點的介紹

非易失性存儲器主要是用來存放固定數(shù)據(jù)、固件程序等一般不需要經(jīng)常改動的數(shù)據(jù)。目前主流非易失性存儲器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。 EEPROM的存儲原理 EEPROM

2020-12-11 15:04:28

9450

【轉(zhuǎn)】PIC單片機的程序存儲器，數(shù)據(jù)存儲器，EEPROM區(qū)別

PIC的程序存儲器是FLASH存儲器，主要存儲程序代碼，掉電不丟失。數(shù)據(jù)存儲器是SRAM，主要存儲一些程序的變量，掉電丟失。 EEPROM一般存儲程序中的重要數(shù)據(jù)，掉電也不丟失

2021-11-16 13:06:01

單片機的存儲器

2021-12-02 10:06:05

存儲器結(jié)構(gòu)分類介紹

根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲器(MASK ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、快閃存儲器(Flash Memory)。

2022-01-20 14:09:21

3984

中穎EEPROM存儲器的操作原則

EEPROM（Electrically Erasable Programmable readonly memory）是指帶電可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。

2022-03-20 14:37:29

2848

用Arduino設(shè)計EEPROM外部存儲器PROGRAMMER/RECORDER

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用Arduino設(shè)計EEPROM外部存儲器PROGRAMMER/RECORDER.zip》資料免費下載

2022-07-22 09:33:25

EEPROM存儲器研討會

科技的迭代更新速度不斷超乎想象，人們也越來越追求數(shù)據(jù)的可追溯性和安全性，為避免意外情況導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失，在車載、工業(yè)等領(lǐng)域中，數(shù)據(jù)存儲更經(jīng)常使用安全性較好的EEPROM【帶電可擦除可編程只讀存儲器

2023-02-27 16:54:42

733