隨著電動汽車、5G通信、高速軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，市場對功率、射頻器件的性能提出了更高的要求。受到硅（Si）材料的物理特性所限，傳統(tǒng)Si基器件難以實現(xiàn)更高的性能。而碳化硅（SiC）作為第三代半導體的代表性材料，可以在功率器件、射頻通信等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)傳統(tǒng)Si材料難以達到的優(yōu)異性能，獲得了產(chǎn)業(yè)界的一致認可和推廣。

SiC材料具有寬禁帶、高臨界場強、高熱導率、高飽和遷移率、高抗輻射能力等性能。SiC的禁帶寬度是Si的3倍、臨界擊穿場強是Si的10倍、熱導率是Si的3倍。憑借SiC的優(yōu)異性能，SiC器件不僅可以在高電壓、高溫、強輻射等Si基器件難以達到的領(lǐng)域發(fā)揮效果，更能夠在電動汽車、5G通信、高速軌道交通等對高性能、高頻率、大功率性能需求不斷提高的領(lǐng)域代替?zhèn)鹘y(tǒng)Si基器件。

目前，兩大問題制約了SiC材料的大規(guī)模應用，分別是較高的成本和亟待優(yōu)化的缺陷水平。北方華創(chuàng)針對這兩大問題，推出了自主研發(fā)的新一代設(shè)備：APS Plus系列SiC晶體生長系統(tǒng)（Advanced PVT SiC System）和工藝解決方案。

北方華創(chuàng)APS Plus系列產(chǎn)品基于行業(yè)內(nèi)技術(shù)最成熟、應用最廣泛的物理氣相輸運法（PVT法），通過硬件設(shè)計優(yōu)化和工藝研發(fā)，為長期困擾SiC行業(yè)的高成本、低質(zhì)量的兩大問題帶來了新的解決方案，幫助客戶在激烈競爭的第三代半導體材料領(lǐng)域提升行業(yè)競爭力。同時亦通過設(shè)計模塊化架構(gòu)、高精度溫度/功率/電流控制、自動化軟件系統(tǒng)等方案，為客戶降低了SiC晶體的制造成本。設(shè)備兼?zhèn)潇`活精密的溫度場調(diào)控系統(tǒng)、巧妙設(shè)計的腔室系統(tǒng)、獨特的SiC工藝等方案，可讓用戶獲得高質(zhì)量的SiC晶體。

為滿足用戶對SiC晶體生長的更高需求，北方華創(chuàng)APS Plus系列產(chǎn)品在為客戶提供4/6英寸SiC晶體的“原料合成—晶體生長—晶體退火—晶體加工”全流程一體化的工藝解決方案的基礎(chǔ)上，維護簡便，最大限度減少了耗材使用，是省錢、省時、省心的一站式解決方案。