3月3日晚央視《大國重器》對中微半導(dǎo)體7nm刻蝕機做了介紹。根據(jù)2017年1月【美國總統(tǒng)咨文】：中國缺少Tier-One的半導(dǎo)體設(shè)備公司，但有一個Tier-Two設(shè)備公司在上海，這個公司制造半導(dǎo)體Fab廠所需的某種制造公司，那就是AMEC。

盡管我國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)和國際龍頭AMAT、ASML等仍有差距，但是我們可以看到國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)無論從環(huán)境、下游需求拉動還是研發(fā)實力都有質(zhì)的飛躍。不僅AMEC（中微），北方華創(chuàng)設(shè)備28nm產(chǎn)線已經(jīng)量產(chǎn)，并進(jìn)入14nm產(chǎn)線驗證階段；長川科技在半導(dǎo)體封測設(shè)備領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位等都讓我們看到了半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化的希望。

現(xiàn)將半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化主要邏輯以及昨日《大國重器》全文紀(jì)要附于其下，詳細(xì)請見隨后的半導(dǎo)體設(shè)備深度報告以及相關(guān)調(diào)研、交流，我們一起來看看這個市場發(fā)生了什么變化。

1.1集成電路制造工藝復(fù)雜，設(shè)備支出巨

IC制造分為晶圓制造及加工，晶圓制造是指利用二氧化硅作為原材料制作單晶硅，需要熔煉爐、CVD設(shè)備、單晶爐和切片機等設(shè)備；晶圓加工是指在晶圓上制作邏輯電路的過程，需要鍍膜、光刻、顯影、刻蝕、離子注入等工藝過程，需要PECVD、LPCVD、光刻機、刻蝕機、離子注入機、擴散爐等設(shè)備。IC封測是IC生產(chǎn)的后段環(huán)節(jié)，對晶圓進(jìn)行減薄、切割、貼片、引線鍵合、封裝、測試等過程，需要減薄機、引線鍵合機、切割機、清洗機等設(shè)備。根據(jù)SEMI估計，設(shè)備投資在集成電路生產(chǎn)線總投資額的80%左右，足見設(shè)備在生產(chǎn)過程中的重要性。

2017年前三季度全球半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額為415億美元，同比增長39.7%，中國大陸為64.5億美元，占16%的比例。分地區(qū)來看，韓國為最大市場，占比高達(dá)32%，其次為***21%，日本為11%，北美為10%。大陸銷售占比從2005年的4%上升為2017年前三季度的16%，并且超過了北美和日本成為第三大市場。

1.2 通過歷史的眼光看今天的大陸：半導(dǎo)體國產(chǎn)化的天時地利人和

縱觀歷史，全球半導(dǎo)體經(jīng)歷過兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，第一次發(fā)生在上世紀(jì)80年代。第二次則發(fā)生在上世紀(jì)90年代，由于日本經(jīng)濟泡沫破滅，使其巨大資本開支難以維系，韓國和***抓住機會，在強大資金的支持下，確立了在PC和手機端的全球芯片霸主的地位，***更是看中了晶圓代工的市場，著力發(fā)展代工產(chǎn)業(yè)，由此完成了第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移——由日本向韓國、***地區(qū)的轉(zhuǎn)移。

從過往產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移過程來看，半導(dǎo)體的全球級霸主往往伴隨著新應(yīng)用新市場的快速崛起和國家財政的大力支持。目前我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于以物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等行業(yè)崛起的過程中，市場需求龐大；同時政府以多項文件、專項計劃大力支持，又通過大基金進(jìn)行資本投入，使得我國兼具著產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的兩大歷史條件，有望成為第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的最大受益者。

1.2.1 ***漢微科的崛起之路給我們的啟示

***漢微科成立于1998年，其創(chuàng)始團隊抓住晶圓制程不斷進(jìn)步的趨勢，專注于電子束晶圓檢測技術(shù)，以獨家的跳躍式掃描檢測及穩(wěn)定的電子槍技術(shù)領(lǐng)先于全球市場，產(chǎn)品毛利率高達(dá)70%，市占率超過八成，是細(xì)分領(lǐng)域的絕對龍頭。

然而在剛成立的12年間（1998-2009），由于先后受到了半導(dǎo)體行業(yè)制程推進(jìn)速度緩慢、全球金融危機以及半導(dǎo)體周期下行等多方面的影響，公司收入增長十分緩慢，凈利潤也始終為負(fù)。但公司始終將研發(fā)作為自己安家立命之本，研發(fā)投入曾一度了超過虧損值，研發(fā)費用占收入比例在2007年業(yè)績低點處更是高達(dá)40%。公司在行業(yè)困難時期率先積累的先進(jìn)技術(shù)，終于幫助公司在2010年后進(jìn)入的28nm先進(jìn)制程新時代中獲得先發(fā)優(yōu)勢，一舉獲得超過八成的全球市場份額，最終于2016年被作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商之一的ASML以新臺幣1千億元溢價31%收購。

如果說之前的制程發(fā)展是“天時”，那么***在上世紀(jì)八十年代指定的“IC示范大廠”等戰(zhàn)略可謂是“地利”，更可以說成是之后“天時”的先決條件。上世紀(jì)七十年代末八十年代初，***提出“IC示范大廠”規(guī)劃，將打造全球領(lǐng)先的IC制造大廠作為首要目標(biāo)，并選定IT產(chǎn)業(yè)為“策略工業(yè)”。在這種大環(huán)境下，半導(dǎo)體企業(yè)如雨后春筍版地在***蓬勃發(fā)展，使得***最終成長為IC重鎮(zhèn)。

如前所述，***在第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移中所選取的戰(zhàn)略，使得***地區(qū)擁有著全球最領(lǐng)先的代工產(chǎn)業(yè)，為漢微科的檢測設(shè)備在***本土的發(fā)展提供了業(yè)務(wù)保障。通過比較2008年至2015年公司營收與***晶圓代工產(chǎn)值和代工龍頭臺積電的資本支出可以發(fā)現(xiàn)，設(shè)備制造企業(yè)在下游代工行業(yè)發(fā)展的帶動下，業(yè)績有了大幅的提升。

1.2.2 視角轉(zhuǎn)回國內(nèi)，大陸半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)占據(jù)天時地利，發(fā)展勢在必行

1.2.2.1 政策與大基金持續(xù)加碼

中國作為全球半導(dǎo)體行業(yè)最大的市場，本土產(chǎn)業(yè)鏈卻存在嚴(yán)重缺陷，在先進(jìn)世代半導(dǎo)體設(shè)備的進(jìn)口中也收到了發(fā)達(dá)國家的限制。由于半導(dǎo)體行業(yè)具有資金密集、技術(shù)密集的特點，也就造就了其政策驅(qū)動的特性。正如前文所提到的***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展之路一樣，我國近年來出臺了一系列產(chǎn)業(yè)政策與國家發(fā)展基金，以促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展。

政策方面，國家近年來頻繁印發(fā)集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策，一方面說明改革迫在眉睫，另一方面彰顯國家對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的決心。國務(wù)院于2014年6月發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》提出要突破集成電路關(guān)鍵設(shè)備，研發(fā)光刻機、刻蝕機等關(guān)鍵設(shè)備，增強產(chǎn)業(yè)配套能力。2015年5月，國務(wù)院印發(fā)《中國制造2025》，明確提出在2020年之前，90-32nm設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到50%，2025年之前，20-14nm設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到30%，并明確將集成電路放在發(fā)展新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的首位。2016 年5 月，國務(wù)院印發(fā)《國家創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略綱要》，提出要加大集成電路的技術(shù)攻關(guān)和推廣力度，為我國經(jīng)濟轉(zhuǎn)型升級和國家安全提供保障。2016年12月，國務(wù)院印發(fā)了《十三五國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，部署了包括集成電路發(fā)展工程在內(nèi)的21項重大工程。

資金方面，2014年9月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡稱“大基金”）正式成立，首期募集資金規(guī)模達(dá)1387億元。據(jù)財聯(lián)社的報道，大基金一期資金已基本投資完畢，投資超過62各項目，主要投向了中芯國際等集成電路制造環(huán)節(jié)廠商，在芯片設(shè)計、封測、裝備與材料領(lǐng)域也都有所涉足。近日，大基金二期募資也已經(jīng)啟動，擬募資1500-2000億，有望在設(shè)備制造、芯片設(shè)計和材料領(lǐng)域加大投資。考慮到資金具有的放大效應(yīng)，大基金總募集撬動規(guī)模有望達(dá)到一萬億元。

1.2.2.2 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移帶動建廠熱潮，設(shè)備公司將會受益

根據(jù)SEMI research的數(shù)據(jù)，受到全球集成電路需求的影響，未來三年直到2020年，全球預(yù)計將會有62座半導(dǎo)體晶圓廠投產(chǎn)，其中有26座位于中國。根據(jù)日本硅晶圓大廠SUMCO的統(tǒng)計，到2020年將會有150萬片左右的新增月產(chǎn)能。我們認(rèn)為伴隨著國家政策對于制造設(shè)備國產(chǎn)化率的要求，大陸設(shè)備制造企業(yè)將會享受本輪投資建廠熱潮帶來的巨大紅利。根據(jù)SEMI近期發(fā)布的中國集成電路產(chǎn)業(yè)展望報告，國際廠商在大陸建廠的資本支出在2018年將達(dá)到120億美元，而潛在具有升勢的中國大陸設(shè)備廠商會得到受益。

對標(biāo)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史，日本半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)從1980年全球占比不到30%提升至1989年51%，同期材料設(shè)備全球占比分別從不到20%提升至71%和42%，說明制造業(yè)對整個產(chǎn)業(yè)鏈拉動作用明顯。

1.2.3國際環(huán)境限制下半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化勢在必行

雖然建廠潮將會對國內(nèi)設(shè)備廠商帶來可觀的紅利，但與以美日為主導(dǎo)的國際企業(yè)相比仍相形見絀。國內(nèi)設(shè)備廠商與國際龍頭無論是在銷售規(guī)模還是在技術(shù)積累上都存在較大差距。例如在2016年，以CVD、刻蝕機等設(shè)備為主要業(yè)務(wù)的美國應(yīng)用材料公司營業(yè)收入高達(dá)76億美元，而同期我國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額僅為425億元，約合64億美元，不及全球龍頭一家公司的收入規(guī)模。

具體來看，目前世界集成電路設(shè)備制程正處于7nm的研發(fā)與10nm的批量生產(chǎn)階段，而中國還處在14nm的研發(fā)與65-28nm的生產(chǎn)階段，落后國際先進(jìn)水平一到兩個世代，隨著下游需求的不斷增加和應(yīng)用場景的日益豐富，高端產(chǎn)能擴張的需求將會快速上升，我國迫切需要走進(jìn)先進(jìn)制程。而由美日韓等國家簽訂的《瓦塞納協(xié)議》又規(guī)定禁止向中國出售頂級芯片和高端半導(dǎo)體制造設(shè)備。協(xié)議中的臺積電、三星、Intel三家公司壟斷了全球高端芯片制程，而這三者同時又是芯片光刻機絕對霸主荷蘭ASML公司的股東，擁有其1970Ci以上型號光刻機的優(yōu)先供貨權(quán)，而ASML的大股東荷蘭飛利浦集團同時也是臺積電的大股東。設(shè)備提供龍頭ASML與芯片三巨頭之間緊密的關(guān)系無疑為《瓦塞納協(xié)議》的開展提供了天然土壤，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的自研攻堅之路勢在必行。

1.3 設(shè)備市場增長潛力巨大，細(xì)分領(lǐng)域已初露鋒芒

雖然我國整體上與國際領(lǐng)先水平存在一定的差距，但也不乏表現(xiàn)相對突出的設(shè)備企業(yè)，如設(shè)備制造龍頭北方華創(chuàng)、在刻蝕機領(lǐng)域做出突破的中微半導(dǎo)體、封測領(lǐng)域龍頭長川科技、從事高純工藝系統(tǒng)的至純科技以及國內(nèi)單晶生長設(shè)備稀缺標(biāo)的晶盛機電等。

北方華創(chuàng)（002371.SZ）作為國內(nèi)上市設(shè)備公司龍頭，涉及半導(dǎo)體設(shè)備、真空設(shè)備、鋰電設(shè)備和電子元器件等四大類產(chǎn)品，半導(dǎo)體設(shè)備覆蓋等離子刻蝕設(shè)備、PVD、CVD、氧化爐等生產(chǎn)線核心設(shè)備。北方華創(chuàng)的28nm PVD設(shè)備已中芯國際生產(chǎn)線投入使用，在14nm制程的刻蝕、退火和CVD的設(shè)備也已進(jìn)入工藝驗證階段，深度受益建廠潮。

中微半導(dǎo)體于2004年由尹志堯博士代領(lǐng)的海歸人才創(chuàng)辦，尹志堯博士曾在美國應(yīng)用材料公司任職13年，專注于等離子體刻蝕設(shè)備的研發(fā)。中微是國內(nèi)技術(shù)最領(lǐng)先的高端芯片設(shè)備企業(yè)，也是國家大基金成立后投資的首個企業(yè)。其推出的芯片介質(zhì)刻蝕設(shè)備已打入全球頂級企業(yè)臺積電的7nm、10nm量產(chǎn)線，并占據(jù)了中芯國際50%以上的新增采購額。2015年，美國商務(wù)部更因中微作提供的“有相當(dāng)數(shù)量和同等質(zhì)量”的刻蝕機產(chǎn)品，取消對華出口刻蝕設(shè)備的限制。公司未來將有望達(dá)成跳躍式增長，并有朝一日成長為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一把利劍。

長川科技（300604.SZ）始終專注于半導(dǎo)體檢測設(shè)備領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括檢測機和分選機，主要客戶包括華天科技、長電科技、士蘭微等封測與制造企業(yè)，并受到國家大基金入股，封測設(shè)備龍頭地位得到認(rèn)可。公司已經(jīng)掌握了高精度電壓電流源控制測量技術(shù)、大電流電源高能脈沖控制與測試技術(shù)等核心技術(shù)，擁有著能與歐美抗衡的技術(shù)水平。公司2017年營收1.80億，同比增長44.86%，歸母凈利潤5,096萬，同比增長23.05%，且具有資本平臺價值，值得重點關(guān)注。

最初成立于美國硅谷的盛美半導(dǎo)體，在2007年引進(jìn)國內(nèi)落地張江，主要生產(chǎn)清洗設(shè)備、鍍銅設(shè)備等產(chǎn)品，其掌握的超聲波清洗技術(shù)克服了芯片制程發(fā)展所帶來的工藝?yán)щy，產(chǎn)品進(jìn)入了中芯國際、韓國海力士等知名半導(dǎo)體制造廠商，并獲得了“02專項”的扶持。盛美于當(dāng)?shù)貢r間2017年11月3日在納斯達(dá)克IPO上市，成為國產(chǎn)設(shè)備進(jìn)軍海外市場的一員。

成立于2010年的沈陽拓荊，是由海外技術(shù)專家于2010年4月組建的高新技術(shù)企業(yè)，致力于研究和生產(chǎn)世界領(lǐng)先的極大規(guī)模集成電路行業(yè)專用薄膜設(shè)備，公司已形成12英寸PECVD、ALD、3D NAND三大系列產(chǎn)品，并且先后兩次承擔(dān)國家科技重大專項，獲得國家大基金大力支持。2013年，公司12英寸PECVD通過中芯國際產(chǎn)品線測試，2017年10月，拓荊設(shè)備在北京中芯國際量產(chǎn)突破百萬MOVE。公司產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地基地最大產(chǎn)能可達(dá)350套設(shè)備，年產(chǎn)值約50億元。

附.大國重器7nm刻蝕機紀(jì)要

半導(dǎo)體芯片是信息化時代基石，也是當(dāng)今尖端制造的制高點。芯片生產(chǎn)有十大類設(shè)備，一千多個步驟才能生產(chǎn)出來。世界水平在10nm到7nm器件量產(chǎn)階段，國內(nèi)落后卻仍處于28nm量產(chǎn)水平。中國每年進(jìn)口芯片超2000億美元超過原油等其他產(chǎn)品，這是中國輸不起的一個領(lǐng)域。

刻蝕機是芯片制造及微觀加工的最重要設(shè)備之一。采用等離子體刻蝕技術(shù)，利用活性化學(xué)物質(zhì)在硅片上刻蝕微觀電路。7nm制程相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑萬分之一，是目前人類能夠在大生產(chǎn)線上制造出的最小集成電路布線間距，這接近了微觀加工極限。

中微研發(fā)的自主研發(fā)的刻蝕溫控精度保持在0.75度以內(nèi)，優(yōu)于國際水平。對于噴淋盤，中微首創(chuàng)高純鋁做基材，鍍上高致密特殊陶瓷薄膜 。噴淋盤直徑半米，均勻分布1000個細(xì)小的圓孔。不同化學(xué)氣體通過小孔進(jìn)入腔體，在射頻作用下形成等離子體。噴淋盤最后需要接受30小時的燒制考驗，保證鍍膜厚度均勻達(dá)到上百微米，其中噴淋盤在爐中燒制的運動軌跡是獲得高質(zhì)量陶瓷鍍層的核心機密。

15年時間追趕，20年時間超越是他們的志向。今天他們第一個目標(biāo)已經(jīng)實現(xiàn)。達(dá)到與世界最先進(jìn)水平同步。

尹智堯（中微半導(dǎo)體董事長）說，中國將來會變成世界上主要芯片生產(chǎn)制造基地之一。

蔡建林（科技部原副部長）說，中國政府對高新技術(shù)發(fā)展支持走在世界前列，利用好我們的技術(shù)，讓中國方方面面都走到世界前列上。