華虹半導(dǎo)體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng)新，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創(chuàng)全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀(jì)錄。Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢(shì)，使得芯片整體面積進(jìn)一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量。與此同時(shí)，光罩層數(shù)也隨之進(jìn)一步減少，有效縮短了流片周期。而可靠性指標(biāo)繼續(xù)保持著高水準(zhǔn)，可達(dá)到10萬(wàn)次擦寫(xiě)及25年數(shù)據(jù)保持能力。近年來(lái)，華虹半導(dǎo)體在90納米工藝節(jié)點(diǎn)連續(xù)成功推出三代閃存工藝平臺(tái)，在保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，不斷探求更高性?xún)r(jià)比的解決方案。第三代工藝平臺(tái)的大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及微控制器（MCU）等多元化產(chǎn)品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)航者，未來(lái)將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場(chǎng)，同時(shí)不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化，將200mm現(xiàn)有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)向300mm延伸，更好地服務(wù)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司，滿(mǎn)足市場(chǎng)需求?！?/p>

華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”，股份代號(hào)：1347.HK）是全球領(lǐng)先的特色純晶圓代工企業(yè)，專(zhuān)注于嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、功率器件、模擬與電源管理和邏輯及射頻等差異化特色工藝平臺(tái)，其卓越的質(zhì)量管理體系亦滿(mǎn)足汽車(chē)電子芯片生產(chǎn)的嚴(yán)苛要求。華虹半導(dǎo)體是華虹集團(tuán)的一員，而華虹集團(tuán)是國(guó)家“909”工程的載體，是以集成電路制造為主業(yè)、面向全球市場(chǎng)、具有自主創(chuàng)新能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的高科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。

華虹半導(dǎo)體在上海金橋和張江建有三座200mm晶圓廠（華虹一廠、二廠及三廠），月產(chǎn)能17.5萬(wàn)片；同時(shí)在無(wú)錫高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)在建一條月產(chǎn)能4萬(wàn)片的300mm集成電路生產(chǎn)線(xiàn)（華虹七廠）。