華虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎上，于90nm G2 eFlash工藝平臺實現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP設計架構(gòu)，在保證高可靠性 (即10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力) 的同時，提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體芯片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數(shù)量，尤其對于具有高容量eFlash的芯片產(chǎn)品，90nm G2 eFlash的面積優(yōu)勢更為顯著。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基礎上又縮減了一層光罩，使得制造成本更低。

目前，90nm G2 eFlash已實現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，成功用于大規(guī)模生產(chǎn)電信卡芯片，并將為智能卡芯片、安全芯片產(chǎn)品以及MCU等多元化產(chǎn)品提供更具性價比的芯片制造技術(shù)解決方案。

華虹半導體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產(chǎn)，標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。嵌入式非易失性存儲器技術(shù)是我們的戰(zhàn)略重點之一，長期以來憑借著高安全性、高穩(wěn)定性、高性價比以及技術(shù)先進性在業(yè)界廣受認可。作為全球領(lǐng)先的智能卡IC代工廠，華虹半導體將堅持深耕，不斷優(yōu)化工藝，升級平臺，持續(xù)領(lǐng)航智能IC卡代工領(lǐng)域，并大力發(fā)力物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等高增長新興市場。”

華虹半導體（股份代號：1347.HK）是全球具領(lǐng)先地位的200mm純晶圓代工廠，主要專注于研發(fā)及制造專業(yè)應用的200mm晶圓半導體，尤其是嵌入式非易失性存儲器及功率器件。集團的技術(shù)組合還包括RFCMOS、模擬及混合信號、電源管理及MEMS等若干其他先進工藝技術(shù)。根據(jù)IHS的資料，按2016年銷售收入總額計算，集團是全球第二大200mm純晶圓代工廠。集團生產(chǎn)的半導體被應用于不同市場（包括電子消費品、通訊、計算機、工業(yè)及汽車）的各種產(chǎn)品中。利用自身的專有工藝及技術(shù)，集團為多元化的客戶制造其設計規(guī)格的半導體。通過位于上海的3座晶圓廠，集團目前的200mm晶圓加工能力在中國名列前茅，截至2017年9月30日合計約為每月166,000片。同時，考慮到工藝的性能、成本及制造良率，集團亦提供設計支持服務，以便對復雜的設計進行優(yōu)化。

華虹半導體有限公司現(xiàn)時主要業(yè)務透過位于上海的子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）開展。而華虹宏力由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導體制造有限公司新設合并而成。