美光科技（Micron）16日宣布進一步推動DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個“1z nm”的工藝節(jié)點批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。

與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點來改善DRAM性能并降低成本。該工藝技術(shù)強化了計算DRAM（DDR4），移動DRAM（LPDDR4）和圖形DRAM（GDDR6）產(chǎn)品線的相對性能和功耗方面的持續(xù)優(yōu)化。可適用于人工智能，自動駕駛汽車，5G，移動設(shè)備，圖形，游戲，網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器等應(yīng)用。

該公司通過大規(guī)模生產(chǎn)新的16Gb DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，開始向1z nm過渡。它與前幾代基于8Gb DDR4的產(chǎn)品相比，功耗降低約40％。

據(jù)悉，該公司還開始批量生產(chǎn)由1z nm節(jié)點制造的用于移動設(shè)備的16Gb LPDDR4X DRAM。并還提供基于UFS的多芯片封裝（uMCP4）。

1z nm LPDDR4X產(chǎn)品提供業(yè)界最低的功耗，它與上一代4K視頻播放等內(nèi)存密集型應(yīng)用解決方案相比，功耗降低了10％。作為目前可用的最高容量單片16Gb LPDDR4X芯片（可在單個封裝中堆疊多達8個裸片），LPDDR4X可在不增加前幾代LPDDR4封裝尺寸的情況下使存儲器容量翻倍。

目前，該公司LPDDR4X內(nèi)存解決方案已批量供貨，可作為分立解決方案和八種不同配置的基于UFS的多芯片封裝（uMCP4），范圍從64GB + 3GB到256GB + 8GB。

另外，美光新加坡3D NAND閃存生產(chǎn)基地（Fab 10）的擴建已于14日完成，NAND大規(guī)模生產(chǎn)計劃于2019年下半年在擴建工廠開始。