美光量產(chǎn)12層堆棧HBM，獲英偉達供應合同
近日，美光科技宣布即將開始量產(chǎn)其最新的12層堆棧高帶寬內(nèi)存（HBM），并將這一高性能產(chǎn)品供應給領(lǐng)先的AI半導體公司英偉達。這一消息的發(fā)布，標志著美光在HBM技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
據(jù)悉，去年9月，美光就已經(jīng)完成了12層堆棧HBM的開發(fā)，并向英偉達等潛在客戶展示了樣品。經(jīng)過數(shù)月的測試與優(yōu)化，美光終于迎來了量產(chǎn)的時刻。
在2月份的一場由Wolfe Research主辦的活動中，美光首席財務官Mark Murphy重點介紹了這款12堆棧HBM產(chǎn)品的優(yōu)勢。他表示，與競爭對手的8堆棧產(chǎn)品相比，美光的12堆棧HBM在功耗上降低了20%，同時在容量上增加了50%。這一顯著的性能提升，無疑將使其在AI、高性能計算等領(lǐng)域具有更強的競爭力。
Mark Murphy還進一步預測，隨著技術(shù)的不斷成熟和生產(chǎn)規(guī)模的擴大，下半年生產(chǎn)的HBM大部分將是12堆棧產(chǎn)品。這一預測不僅彰顯了美光對自家技術(shù)的信心，也預示著HBM市場將迎來一次重要的技術(shù)升級。
此次美光獲得英偉達的供應合同，無疑是對其技術(shù)實力和市場前景的肯定。未來，隨著12層堆棧HBM的廣泛應用，美光有望在半導體市場中占據(jù)更加重要的位置。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3125瀏覽量
75270 -
美光科技
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
212瀏覽量
23672 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
412瀏覽量
15240
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
風景獨好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動
海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片，實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片，實現(xiàn)與現(xiàn)有的
HBM格局生變！傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達，國內(nèi)廠商積極布局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應HBM3內(nèi)存。同時，
美光12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存已向主要客戶出貨
隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓練與推理工作負載需求的持續(xù)增長，高性能內(nèi)存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）宣布已向多家主要客戶送樣其12
三星與英偉達高層會晤，商討HBM3E供應
其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應的相關(guān)事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣
美光加入16-Hi HBM3E內(nèi)存競爭
近日，全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場。目前，美
美光發(fā)布HBM4與HBM4E項目新進展
近日，據(jù)報道，全球知名半導體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4，第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項目的最新研發(fā)進展。 據(jù)悉，
英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器
日，英偉達（NVIDIA）的主要高帶寬存儲器（HBM）供應商南韓SK集團會長崔泰源透露，英偉達執(zhí)
英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求
近日，韓國SK集團會長透露了一項重要信息，即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內(nèi)存芯片，這款芯片被命名為HBM
三星電子或向英偉達供應先進HBM
領(lǐng)域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應對英偉達供應延遲
近日，三星電子因向英偉達供應HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預估下調(diào)至每月1
美光12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動交付
美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付，標志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進內(nèi)存正陸續(xù)送達主要
三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達認證，加速AI GPU市場布局
近日，知名市場研究機構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠，強
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
英偉達RTX 40顯卡或面臨短暫供應短缺
據(jù)最新市場傳言，英偉達（NVIDIA）的GeForce RTX 40系列顯卡將從今年8月開始面臨短暫供應短缺的困境。這一突發(fā)情況主要歸因于某批次美光
工商網(wǎng)監(jiān)
評論