ML51EB9AE 為內(nèi)建 Flash 的增強(qiáng)型 1T 8051 內(nèi)核微控制器,正常運(yùn)行模式典型功耗可達(dá) 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可達(dá) 24 MHz,并內(nèi)建 38.4 kHz 低速內(nèi)部振蕩器,支持寬電壓工作范圍 1.8 V 至 5.5 V 工作溫度: - 40 ℃ 至 105 ℃。
ML51EB9AE 包含 16 K 字節(jié)的 Flash 以及一個(gè)額外 1 K 字節(jié)片上輔助 RAM(XRAM), 備有豐富的外設(shè),如 24 個(gè)通用 I/O、2 組串口、1 組 ISO-7816 界面、2 組 I2C 與 1 組 SPI,并提供 TSSOP28 封裝。
目標(biāo)應(yīng)用:
穿戴式裝置、智能搖控器、互聯(lián)網(wǎng)端點(diǎn)設(shè)備、智能家居、煙感偵測(cè)裝置、電池裝置等。
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