華為麒麟1020加入5nm工藝制程，其性能將提升50%
據(jù)消息，目前臺積電正在積極備戰(zhàn)5nm，華為已經(jīng)在考慮將5nm工藝用在其下一代旗艦芯片——麒麟1020上，預(yù)計明年第三季度上市。
報道中稱，華為麒麟1020將采用ARM Cortex-A78架構(gòu)，得益于5nm工藝，麒麟1020每平方毫米可容納1.713億個晶體管，其性能較麒麟990提升50%，而高通驍龍865較前代驍龍855性能只提升了25%。
此外，蘋果A14處理器和麒麟1020處理器將是首批使用5nm工藝的旗艦芯片，而高通系的5nm芯片則要到2021年才能量產(chǎn)。
責(zé)任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
臺積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5751瀏覽量
169693 -
華為
+關(guān)注
關(guān)注
216文章
35197瀏覽量
255788 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
10015瀏覽量
141539
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現(xiàn)流片成功
我們很高興能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車規(guī)級 IP 解決方案?的承諾，可滿足新一代汽
蘋果M5芯片量產(chǎn)，采用臺積電N3P制程工藝
工藝——N3P。與前代工藝相比，N3P在性能上實現(xiàn)了約5%的提升，同時在功耗方面降低了5%至10
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P，其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NA
消息稱臺積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價，即日起效！
）計劃從2025年1月起對3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲，最高漲幅20% 其中，對3
臺積電2025年起調(diào)整工藝定價策略
近日，據(jù)臺灣媒體報道，隨著AI領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)制程與封裝產(chǎn)能的需求日益旺盛，臺積電計劃從2025年1月起，針對其3nm、5nm以及先進(jìn)的CoWoS封裝工藝
2025年半導(dǎo)體行業(yè)競爭白熱化：2nm制程工藝成焦點
份額。 在這場競爭中，臺積電無疑占據(jù)了領(lǐng)先地位。其2nm生產(chǎn)計劃已經(jīng)吸引了眾多客戶的關(guān)注，除了蘋果這一大客戶外，臺積電還成功獲得了大量廠商的密集計算芯片(HPC)及AI芯片訂單。這一系列訂單的涌入，使得臺積電在2nm
臺積電分享 2nm 工藝深入細(xì)節(jié)：功耗降低 35% 或性能提升15%!
來源：IEEE 臺積電在本月早些時候于IEEE國際電子器件會議（IEDM）上公布了其N2（2nm級）制程的更多細(xì)節(jié)。該新一代工藝節(jié)點承諾實現(xiàn)24%至35%的功耗降低或15%的
臺積電產(chǎn)能爆棚：3nm與5nm工藝供不應(yīng)求
臺積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè)，其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息，臺積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平，其
消息稱AMD將成為臺積電美國廠5nm第二大客戶
據(jù)業(yè)界最新消息，AMD即將成為臺積電位于美國亞利桑那州菲尼克斯附近的Fab 21工廠的第二大知名客戶，該工廠已經(jīng)開始試產(chǎn)包括N5、N5P、N4、N4P及N4X在內(nèi)的一系列5nm節(jié)點制程
臺積電3nm制程需求激增，全年營收預(yù)期上調(diào)
臺積電近期迎來3nm制程技術(shù)的出貨高潮，預(yù)示著其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位進(jìn)一步鞏固。隨著蘋果iPhone 16系列新機(jī)發(fā)布，預(yù)計搭載的A18系列處理器將采用臺積電3nm
臺積電3nm/5nm工藝前三季度營收破萬億新臺幣
據(jù)臺媒DigiTimes最新報告，臺積電在2024年前三季度的業(yè)績表現(xiàn)強(qiáng)勁，僅憑其先進(jìn)的3nm和5nm制程技術(shù)，便實現(xiàn)了營收突破1萬億新臺幣（折合人民幣約2237億元）的壯舉，這一成績遠(yuǎn)超行業(yè)此前的預(yù)期。
迅為RK3588開發(fā)板運行openkylin麒麟系統(tǒng)
Android13系統(tǒng)
性能強(qiáng)--iTOP-3588開發(fā)板采用瑞芯微RK3588處理器，是全新一代ALoT高端應(yīng)用芯片，采用8nm LP制程，搭載八核64位CPU，四核Cortex-A76和四核
發(fā)表于 08-19 10:38
三星將為DeepX量產(chǎn)5nm AI芯片DX-M1
人工智能半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者DeepX宣布，其第一代AI芯片DX-M1即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。這一里程碑式的進(jìn)展得益于與三星電子代工設(shè)計公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產(chǎn)合同，標(biāo)志著DeepX的5nm芯片DX-M1將大規(guī)模生產(chǎn)，以滿足日益增長的市場需求。
BiCMOS工藝制程技術(shù)簡介
CMOS 工藝制程技術(shù)為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝制程技術(shù)對保證MOS 器件的性能比較有利，而以雙極型工藝
HV-CMOS工藝制程技術(shù)簡介
BCD 工藝制程技術(shù)只適合某些對功率器件尤其是BJT 或大電流 DMOS 器件要求比較高的IC產(chǎn)品。BCD 工藝制程技術(shù)的工藝步驟中包含大量
工商網(wǎng)監(jiān)
評論