NAND Flash存儲芯片合約價明年或上漲 將推動內(nèi)存價格上漲
熊市了快兩年，存儲廠商們干預(yù)市場的情緒有些按捺不住。
消息稱，NAND Flash存儲芯片的合約價將在明年一季度上漲10%~15%，這可能會反應(yīng)到具體的SSD、U盤、移動硬盤等產(chǎn)品上，也可能波及筆記本、臺式整機(jī)、汽車等領(lǐng)域。
出現(xiàn)上述變化的主要原因是原廠顆粒商有意控制出貨，但市場需求尤其是數(shù)據(jù)中心存儲量需求卻在快速爬升。
早先報道稱，DRAM內(nèi)存最快明年第二季度開始價格異動，結(jié)束跌跌不休的局面。西數(shù)CFO日前在參加巴克萊全球技術(shù)大會時也給出了預(yù)測，他認(rèn)為半導(dǎo)體行業(yè)將在今年底實現(xiàn)供需平衡，而2020年內(nèi)存的產(chǎn)能只會增長30%，但是需求會增長35%，供不應(yīng)求的情況將推動內(nèi)存價格上漲。
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