由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。

在進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體工藝制造越來越困難，但需求還在不斷提升，這就導(dǎo)致臺(tái)積電、三星把不同的工藝改進(jìn)下就推出新工藝了，而三星的6nm工藝實(shí)際上也就是7nm工藝的改進(jìn)版，在7nm EUV基礎(chǔ)上應(yīng)用三星獨(dú)特的Smart Scaling方案，可以大大縮小芯片面積，帶來超低功耗。

消息人士透露，三星晶圓制造業(yè)務(wù)的高管已經(jīng)確認(rèn)6nm工藝的芯片出貨量產(chǎn)，交付給北美的客戶——雖然三星官方?jīng)]有提及具體信息，但這個(gè)北美客戶應(yīng)該是高通公司，目前還不確定是哪款芯片。

如果6nm成功量產(chǎn)，那三星手里現(xiàn)在進(jìn)入真正量產(chǎn)階段的工藝就有7nm EUV、6nm LPP兩種了，可以更好地從臺(tái)積電手中搶市場(chǎng)了。

在6nm之后，三星還希望今年推出5nm EUV工藝，臺(tái)積電也是預(yù)定今年上半年量產(chǎn)5nm EUV工藝的，這樣一來三星總算上追上臺(tái)積電的工藝進(jìn)度了，不過三星依然沒有公布5nm的客戶是誰。

三星真正有希望超越臺(tái)積電的工藝是3nm，他們是第一家官宣使用全新GAA晶體管的，在3nm節(jié)點(diǎn)將會(huì)用GAA環(huán)繞柵極晶體管取代FinFET晶體管，三星希望2021年量產(chǎn)3nm工藝，而今年上半年完成3nm工藝開發(fā)。