6月17日，三安光電發(fā)布公告稱，公司擬在長沙成立子公司以現(xiàn)金160億元投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目。

三安光電表示，根據(jù)公司發(fā)展戰(zhàn)略，經(jīng)公司董事會(huì)研究，公司決定在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元，公司在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。公司與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)于2020年6月15日簽署《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》。

長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)創(chuàng)建于1988年，1991年獲批全國首批國家級(jí)高新區(qū)。長沙高新區(qū)位于湘江以西、岳麓山下，總面積達(dá)到140平方公里，是長株潭國家“兩型社會(huì)”建設(shè)綜合配套改革試驗(yàn)區(qū)、長株潭國家自主創(chuàng)新示范區(qū)和國家級(jí)湖南湘江新區(qū)“三區(qū)”疊加的核心區(qū)。長沙高新區(qū)依托強(qiáng)大的科技資源和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新優(yōu)勢，先后獲批國家創(chuàng)新型科技園區(qū)、國家海外高層次人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)基地、國家創(chuàng)新人才培養(yǎng)示范基地、國家科技與金融結(jié)合試點(diǎn)園區(qū)、國家生態(tài)工業(yè)示范園區(qū)、國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化基地、新材料產(chǎn)業(yè)基地、軟件產(chǎn)業(yè)基地等20多個(gè)國家級(jí)產(chǎn)業(yè)基地。目前，在全國169個(gè)國家高新區(qū)綜合排名中，名列第11位。在工信部賽迪研究院發(fā)布的“中國產(chǎn)業(yè)園區(qū)競爭力100強(qiáng)”排行榜中，位居第10位。

項(xiàng)目具體開發(fā)建設(shè)內(nèi)容包括，在甲方園區(qū)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET，以甲方認(rèn)可的乙方項(xiàng)目實(shí)施主體最終可研報(bào)告為準(zhǔn)。

公告顯示，三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用，致力于化合物半導(dǎo)體集成電路業(yè)務(wù)的發(fā)展，努力打造具有國際競爭力的半導(dǎo)體廠商。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目有著廣闊的市場需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項(xiàng)目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力。