QLC、PLC閃存有多坑？最快35次寫完
SSD硬盤現(xiàn)在已經(jīng)開始從TLC閃存向著QLC閃存升級，未來很快還會升級到PLC，容量還會增加，但是代價(jià)就是寫入壽命越來越低。從行業(yè)報(bào)告來看，PLC閃存的P/E壽命最短只有35次。
我們都知道NAND閃存的一些基本特性，那就是隨著TLC、QLC及PLC的升級，P/E壽命會下降，同時(shí)制程工藝升級的話P/E壽命也會下降，雙重疊加之后先進(jìn)工藝的QLC、PLC壽命就會很難看。
那下降的到底有多嚴(yán)重，從行業(yè)報(bào)告來看，SLC閃存在5xnm工藝下壽命有11000次P/E，在3X、2X、1Xnm工藝下會下降到10000、7500、5000次，總體還是耐看的。
MLC閃存在1xnm下壽命會減少到1500次，TLC則會極速下滑到500次，QLC再次下降一個(gè)量級到70次，PLC閃存則是直接降至35次，理論上就是35次全盤寫入就不行了。
從這些數(shù)據(jù)來看，QLC閃存及未來的PLC閃存顯然不夠看，不過也別擔(dān)心，上面的數(shù)據(jù)是2D NAND工藝下的，3D NAND閃存對工藝要求不高，P/E壽命還是可以看的。
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不同的閃存類似，其性能、耐久性和價(jià)格是不同的。
在性能和耐久性方面，SLC＞MLC＞TLC＞QLC＞
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