8月3日，上交所正式受理了普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下簡稱“普冉股份”）的科創(chuàng)板上市申請。

招股書顯示，普冉股份的主營業(yè)務(wù)是非易失性存儲器芯片的設(shè)計與銷售，目前主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類非易失性存儲器芯片，屬于通用型芯片，可廣泛應(yīng)用于手機、計算機、網(wǎng)絡(luò)通信、家電、工業(yè)控制、汽車電子、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

2017至2020年第一季度，普冉股份分別實現(xiàn)營業(yè)收入7780.11萬元、17825.27萬元、36298.96萬元、14202.19萬元，收入三年復(fù)合增長率為116.00%，分別實現(xiàn)凈利潤371.79萬元、1337.37萬元、3232.08萬元、1307.31萬元，凈利潤三年復(fù)合增長率194.84%。

其中，普冉股份研發(fā)投入分別為1290.91萬元、1345.79萬元、3114.11萬元和859.35萬元，累計研發(fā)投入金額占報告期公司累計營業(yè)收入比例為8.68%，研發(fā)投入占比較高。

值得注意的是，報告期內(nèi)，普冉股份NOR Flash產(chǎn)品的收入分別為4471.30萬元、13459.31萬元、25467.60萬元和10570.28萬元，占當期營業(yè)收入比例為57.47%、75.51%、70.16%和74.43%。公司NOR Flash產(chǎn)品使用SONOS工藝結(jié)構(gòu)進行設(shè)計。

普冉股份決定申請首次公開發(fā)行不超過905.7180萬股人民幣普通股（A股），本次募集資金將投向于閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、EEPROM芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目和總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項目。

在閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目項目中，普冉股份將采用領(lǐng)先于業(yè)界的工藝制程，對NOR Flash存儲器芯片開展設(shè)計研究，實現(xiàn)公司在先進制程、大容量Flash存儲器芯片領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化。項目具體研發(fā)的產(chǎn)品包括：40nmNOR Flash系列存儲器芯片；NewGenNOR Flash系列存儲器芯片。本項目的產(chǎn)品將被應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、藍牙、智能穿戴設(shè)備、指紋識別、智能家居、智能手機等領(lǐng)域。

在EEPROM芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目中，普冉股份將對工業(yè)和消費級以及車載級EEPROM存儲器芯片開展設(shè)計研究，實現(xiàn)公司EEPROM存儲器芯片在多維下游應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化。項目具體研發(fā)產(chǎn)品包括兩部分：其一，公司擬在當前技術(shù)積累下，對手機攝像頭模組等消費類EEPROM以及智能電表、智慧通信等工業(yè)類EEPROM存儲器芯片進行升級研發(fā)，使其達到更低工作電壓和更低功耗；其二，公司擬開發(fā)車載EEPROM產(chǎn)品，通過運用糾錯校驗（ECC）和差分存儲技術(shù)，使其具備超高擦寫能力、超長數(shù)據(jù)保存時間等特點。

總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項目是解決公司實驗場地和辦公場地不足問題的必然舉措，有助于公司在現(xiàn)有技術(shù)儲備的基礎(chǔ)上突破原有存儲器芯片性能并持續(xù)進行優(yōu)化。

關(guān)于未來發(fā)展戰(zhàn)略，普冉股份表示，公司將專注于集成電路設(shè)計領(lǐng)域的科技創(chuàng)新，圍繞非易失存儲器領(lǐng)域，以NOR Flash和EEPROM為核心，不斷滿足客戶對高性能存儲器芯片的需求，在持續(xù)經(jīng)營中實現(xiàn)企業(yè)的技術(shù)積累，保障公司經(jīng)營業(yè)務(wù)的可持續(xù)發(fā)展。

來源：集微網(wǎng)/JSSIA整理

原文標題：普冉半導(dǎo)體科創(chuàng)板IPO獲受理

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