化合物半導(dǎo)體在軍事中的應(yīng)用領(lǐng)域也不少，在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料，所以被各國(guó)視為戰(zhàn)略物資，半絕緣的化合物半導(dǎo)體甚至要拿到證明才可以出口，是相當(dāng)重要的上游材料。

我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料也在緊鑼密鼓的布局和謀劃，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，已有15家半導(dǎo)體企業(yè)投資化合物半導(dǎo)體，可以看出第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目在國(guó)內(nèi)已處于井噴。

士蘭微

2018年10月18日，士蘭微廈門(mén)12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線(xiàn)暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)在海滄動(dòng)工。這是國(guó)內(nèi)首條12英寸特色工藝芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)和下一代化合物生產(chǎn)線(xiàn)。

士蘭微電子廈門(mén)項(xiàng)目將建設(shè)兩條12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線(xiàn)，及一條先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線(xiàn)。其中兩條12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線(xiàn)總投資170億元，第一條芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)總投資70億元，規(guī)劃產(chǎn)能8萬(wàn)片/月，分兩期實(shí)施。第二條芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)，預(yù)計(jì)總投資100億元，定位為功率半導(dǎo)體芯片及MEMS傳感器。項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)2020年完成廠(chǎng)房建設(shè)及設(shè)備安裝調(diào)試，2021年實(shí)現(xiàn)通線(xiàn)生產(chǎn)，2022年達(dá)產(chǎn)。項(xiàng)目二期2022年前后啟動(dòng)，2024年達(dá)產(chǎn)。

另一條先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線(xiàn)總投資50億元，定位為第三代功率半導(dǎo)體、光通訊器件、高端LED芯片。項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)在2019年第一季度完成廠(chǎng)房建設(shè)及設(shè)備安裝調(diào)試，2019年實(shí)現(xiàn)通線(xiàn)生產(chǎn)，2021年達(dá)產(chǎn)；項(xiàng)目二期計(jì)劃2021年啟動(dòng)，2024年達(dá)產(chǎn)。

康鵬

浙江康鵬半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)300萬(wàn)片化合物半導(dǎo)體基板材料項(xiàng)目，由北京卜俊鵬團(tuán)隊(duì)、乾照光電、福建安芯基金聯(lián)合投資，項(xiàng)目占地面積34.19畝，總建筑面積約3.2萬(wàn)平方米，項(xiàng)目可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)4英寸砷化鎵晶片200萬(wàn)片，年產(chǎn)6英寸砷化鎵晶片100萬(wàn)片，年銷(xiāo)售額可達(dá)8億元。

康鵬半導(dǎo)體項(xiàng)目的技術(shù)運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)都是從事砷化鎵工作具有十年以上的成員組成，在國(guó)內(nèi)具有較高的技術(shù)水平和長(zhǎng)期的一線(xiàn)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)?！斑@一項(xiàng)目屬于半導(dǎo)體材料端創(chuàng)新研發(fā)成果的產(chǎn)業(yè)化，對(duì)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料的強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈具有突破性意義，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)射頻芯片用砷化鎵襯底材料產(chǎn)業(yè)的空白?！闭憬爹i半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)、首席技術(shù)專(zhuān)家卜俊鵬說(shuō)，該項(xiàng)目的投產(chǎn)不僅可以助力信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展，而且對(duì)國(guó)家在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控具有現(xiàn)實(shí)意義。

溢泰

據(jù)了解，該化合物半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)園計(jì)劃投資21億元，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)240萬(wàn)片4英寸光電用砷化鎵晶片、36萬(wàn)片6英寸微電用砷化鎵晶片、120萬(wàn)片2英寸磷化銦晶片、6萬(wàn)片6英寸碳化硅晶片、120萬(wàn)片2英寸鉭酸鋰晶片、化合物半導(dǎo)體新材料研發(fā)中心等6個(gè)子項(xiàng)目。

根據(jù)溢泰半導(dǎo)體2019年4月公布的年產(chǎn)240萬(wàn)片4英寸砷化鎵拋光片項(xiàng)目公眾參與說(shuō)明顯示，年產(chǎn)240萬(wàn)片4英寸砷化鎵拋光片項(xiàng)目總投資2.5億元。

當(dāng)前，作為半絕緣砷化鎵下游產(chǎn)業(yè)的砷化鎵集成電路業(yè)市場(chǎng)平均增長(zhǎng)近年都在40%以上，砷化鎵射頻器件市場(chǎng)具有30%的年增長(zhǎng)，加之衛(wèi)星通訊系統(tǒng)和車(chē)載雷達(dá)用砷化鎵單晶的潛在市場(chǎng)，半絕緣砷化鎵的需求前景較好。

仁奇

6月15日，太極實(shí)業(yè)發(fā)布公告稱(chēng)，公司控股子公司信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院科技工程股份有限公司（“十一科技”）與江蘇仁奇科技有限公司（“江蘇仁奇”，項(xiàng)目業(yè)主）就江蘇仁奇發(fā)包的江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目簽訂了《EPC總承包工程同》。公告指出，江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目擬利用2年時(shí)間，在江蘇宿遷泗陽(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)建成一個(gè)涵蓋芯片制造、封測(cè)、研發(fā)的產(chǎn)業(yè)化基地，形成年產(chǎn)6英寸0.25um芯片線(xiàn)60萬(wàn)片，年封測(cè)10億顆的生產(chǎn)能力。根據(jù)泗陽(yáng)人民政府此前發(fā)布的公告稱(chēng)，同意江蘇仁奇科技有限公司在擬定地點(diǎn)（江蘇泗陽(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)太湖路東側(cè)、浙江路北側(cè)）年產(chǎn)18萬(wàn)片GaAs、年封測(cè)13億片集成電路項(xiàng)目。由此看來(lái)，江蘇任奇此次的投資布局應(yīng)是瞄準(zhǔn)化合物半導(dǎo)體砷化鎵領(lǐng)域。

中微科技

6月23日，四川邛崍市舉行天府新區(qū)新能源新材料產(chǎn)業(yè)功能區(qū)重大項(xiàng)目集中簽約儀式暨2020年下半年重點(diǎn)項(xiàng)目攻堅(jiān)行動(dòng)啟動(dòng)大會(huì)，會(huì)上簽約的中微科技化合物半導(dǎo)體材料研究中心（獨(dú)角獸工場(chǎng)）項(xiàng)目總投資15億元，建筑面積約4.1萬(wàn)平方米，主要以化合物半導(dǎo)體材料及微波射頻芯片、相控陣?yán)走_(dá)、5G通信、衛(wèi)星通信、微波定向能應(yīng)用產(chǎn)品線(xiàn)為主導(dǎo)，重點(diǎn)圍繞化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)行項(xiàng)目建設(shè)、研發(fā)、測(cè)試和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用建設(shè)的科技創(chuàng)新平臺(tái)。

惠科

5月19日，青島市即墨區(qū)惠科6英寸晶圓半導(dǎo)體功率器件及第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目舉辦封頂儀式。該項(xiàng)目是集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目。同時(shí)也是惠科電子有限公司第一個(gè)芯片生產(chǎn)廠(chǎng)區(qū)，投產(chǎn)后產(chǎn)品可應(yīng)用在高鐵動(dòng)力系統(tǒng)、汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)、消費(fèi)及通訊電子系統(tǒng)等領(lǐng)域，月產(chǎn)芯片20萬(wàn)片、WLCSP封裝10萬(wàn)片，年銷(xiāo)售收入25億元，聚力打造國(guó)內(nèi)最大的功率器件生產(chǎn)基地，在集成電路產(chǎn)業(yè)方面是青島市具有里程碑意義的項(xiàng)目，對(duì)青島市發(fā)展自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈具有更重要的意義。


英諾賽科

6月1日英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司項(xiàng)目主體施工已經(jīng)完成。英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊(cè)資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測(cè)以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺(tái)。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)。據(jù)規(guī)劃，項(xiàng)目開(kāi)工后兩年內(nèi)投產(chǎn)，投產(chǎn)后三年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)78萬(wàn)片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標(biāo)，年銷(xiāo)售收入約80億元，年稅收不低于10億元。

博方嘉芯

3月3日，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目總投資25億元，占地111.35畝，于2019年11月7日簽約落地，全部達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年銷(xiāo)售30億元以上，可進(jìn)一步推動(dòng)南湖區(qū)集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。同時(shí)嘉興科技城與浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司正式簽約，共建第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院。

世紀(jì)金光

3月12日，世紀(jì)金光簽署投資協(xié)議并完成首期出資，這也標(biāo)志著合肥首個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目正式落地。據(jù)悉，下一步，世紀(jì)金光將與合肥產(chǎn)投資本合作，在合肥高新區(qū)投資建設(shè)6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)及加工項(xiàng)目。世紀(jì)金光是一家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)，是致力于第三代半導(dǎo)體功能材料和功率器件研發(fā)與生產(chǎn)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。

泰科天潤(rùn)

3月29日，由泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司投資建設(shè)的6寸半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目正式簽約落戶(hù)九江經(jīng)開(kāi)區(qū)。泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司是國(guó)內(nèi)第一家致力于第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）電力電子器件制造的高新技術(shù)企業(yè)，總部坐落于中國(guó)北京中關(guān)村，在北京擁有一座完整的半導(dǎo)體工藝晶圓廠(chǎng)，可在4英寸SiC晶圓上實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體功率器件的制造工藝，并擁有目前國(guó)內(nèi)唯一一條碳化硅器件生產(chǎn)線(xiàn)。

中鴻新晶

4月8日，中鴻新晶總投資超百億的第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶(hù)濟(jì)南。據(jù)山東開(kāi)發(fā)區(qū)官微指出，中鴻新晶第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群項(xiàng)目總投資約111億元，總建設(shè)周期5年，分三期進(jìn)行。資料顯示，中鴻新晶科技有限公司成立于2017年，是為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供原材料和裝備解決方案的高科技企業(yè)、專(zhuān)業(yè)從事第三代半導(dǎo)體高純碳化硅微粉生產(chǎn)、碳化硅單晶爐的研發(fā)制造，碳化硅和氮化鎵芯片設(shè)計(jì)和制造的企業(yè)。

華通芯電

6月19日，上海市金山區(qū)與中國(guó)科技金融產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟線(xiàn)上簽約儀式舉行，華通芯電第三代化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶(hù)金山。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資29億元，固定資產(chǎn)投資22.7億元，計(jì)劃用地50畝，將通過(guò)第三方代建的模式，在上海金山購(gòu)置土地并建設(shè)廠(chǎng)房和潔凈車(chē)間，項(xiàng)目分為兩階段實(shí)施，其產(chǎn)品將廣泛用于5G基站、雷達(dá)、微波等工業(yè)領(lǐng)域。

新微半導(dǎo)體

6月29日，在2020年中國(guó)（上海）自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，總投資80億元的新微半導(dǎo)體第三代化合物半導(dǎo)體制造平臺(tái)項(xiàng)目已經(jīng)簽約。該項(xiàng)目作為臨港新片區(qū)導(dǎo)入的重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，定位于戰(zhàn)略性材料和器件技術(shù)研發(fā)平臺(tái)和量產(chǎn)線(xiàn)，致力于解決國(guó)家在射頻毫米波、光電器件和電力電子器件等領(lǐng)域長(zhǎng)期面臨的一系列“卡脖子”問(wèn)題。

三安光電

7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。開(kāi)工的長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。

露笑科技

7月30日，浙江紹興諸暨重大項(xiàng)目集中開(kāi)工儀式在數(shù)字安防產(chǎn)業(yè)基地舉行。露笑科技子公司浙江露笑碳硅晶體有限公司新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目參與了此次集中開(kāi)工儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目計(jì)劃總投資6.95億元，項(xiàng)目主要采用碳化硅升華法長(zhǎng)晶工藝及SiC襯底加工工藝，引進(jìn)具有國(guó)際先進(jìn)水平的6英寸導(dǎo)電晶體生長(zhǎng)爐、4英寸高純半絕緣晶體生長(zhǎng)爐等設(shè)備，購(gòu)置多線(xiàn)切割機(jī)、拋光機(jī)等國(guó)產(chǎn)設(shè)備，建成后形成年產(chǎn)8.8萬(wàn)片碳化硅襯底片的生產(chǎn)能力。

科友半導(dǎo)體

7月3日消息，科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項(xiàng)目在哈爾濱新區(qū)江北一體發(fā)展區(qū)正式開(kāi)工建設(shè)，項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，最終形成年產(chǎn)高導(dǎo)晶片近10萬(wàn)片，高純半絕緣晶體1000公斤的產(chǎn)能；PVT-SIC晶體生長(zhǎng)成套設(shè)備年產(chǎn)銷(xiāo)200臺(tái)套。目前，該公司已完成6英寸第三代半導(dǎo)體襯底制備，正在進(jìn)行8英寸研制，有望成為國(guó)內(nèi)首家攻克8英寸第三代半導(dǎo)體襯底的企業(yè)，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。同時(shí)，還是國(guó)內(nèi)首家攻克8英寸第三代半導(dǎo)體裝備制造的企業(yè)。

本文由電子發(fā)燒友綜合報(bào)道，內(nèi)容參考自士蘭微、聯(lián)盟動(dòng)態(tài)、三安光電、露笑科技、華通芯電等，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。