美國軍事研究人員正在要求位于加利福尼亞州馬里布的HRL實驗室的集成電路專家改進用于航空航天和國防應(yīng)用的射頻和微波電路。

位于弗吉尼亞州阿靈頓的美國國防高級研究計劃局（DARPA）官員周二宣布，對HRL進行一項840萬美元的合同修改，以用于毫米波GaN成熟（MGM）計劃的第二階段。

該計劃旨在改善射頻和微波半導(dǎo)體技術(shù)，以提高器件產(chǎn)量，減少工藝周期時間，并在多項目晶圓加工（MPW）中展示關(guān)鍵的毫米波功率放大器和混合信號電路。

米高梅公司正在利用標(biāo)準(zhǔn)評估電路（SEC），制程控制監(jiān)視器（PCM）和短循環(huán)制造技術(shù)來確定戰(zhàn)略上的產(chǎn)量和可重復(fù)性，以識別制程步驟的改進。

在該項目的第一階段，HRL專家開始使他們的RF和毫米波氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體技術(shù)成熟，這在十年前的DARPA Nitride Electronics NeXt生成技術(shù)（NEXT）計劃中得到了證明。

該項目第二階段的目標(biāo)是減少制造周期，提高RF產(chǎn)量和可靠性，改善器件模型和工藝設(shè)計套件以及提高GaN毫米波電路的制造準(zhǔn)備水平（MRL）。

HRL專家將通過有針對性的工藝步驟改進來使這種GaN技術(shù)成熟。他們將使用制程控制監(jiān)視器；進行多個MPW運行；并改善該公司位于加州馬里布的工廠的單片微波集成電路（MMIC）設(shè)計能力。

作為DARPA NEXT計劃的執(zhí)行者，HRL開發(fā)了最先進的GaN晶體管，其柵長為40納米，標(biāo)定ft/ fmax為200/400 GHz。

NEXT計劃尋求開發(fā)一種革命性的氮化物晶體管技術(shù)，該技術(shù)在至少1，000個晶體管的大規(guī)模電路集成中，具有大于5 THz的Johnson Johnson Merit（JFoM）極高速度和高電壓擺幅。

該項目尋求開發(fā)可制造，高產(chǎn)量，高均勻性和高度可靠的制造工藝。該計劃的重點是展示將這些器件組合成一個由約10個晶體管組成的小型邏輯電路，然后再處理多達1，000個晶體管的能力。

在MGM項目的第一階段，HRL更新了設(shè)計套件以支持多種計算機輔助設(shè)計（CAD）工具，支持多項目搖床運行，并減少了總體制造周期，以支持美國軍方用戶。

這項合同修改使MGM合同的總價值達到了1，880萬美元。HRL專家將在加利福尼亞州馬里布市進行這項工作，并應(yīng)在2022年9月之前完成。