繼今年3月首次公開之后,美光今天宣布,全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備。
美光uMCP5在全球首次通過(guò)MCP多芯片封裝的方式,將LPDDR5內(nèi)存、UFS閃存整合在一顆芯片內(nèi),可大大提升智能手機(jī)的存儲(chǔ)密度,節(jié)省內(nèi)部空間、成本、功耗。
據(jù)悉,美光在單顆芯片內(nèi),集成了自家的LPDDR5內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片、UFS 3.1控制器,TFBGA封裝格式,電壓1.8V,工作溫度從-25℃到+85℃。
其中內(nèi)存部分,LPDDR5的數(shù)據(jù)傳輸率最高達(dá)6400Mbps,相比于LPDDR4速度提升多達(dá)50%,同時(shí)能效也提升了幾乎20%。
閃存部分,UFS 3.1相比于UFS 2.1功耗節(jié)省了約20%,持續(xù)讀取速度翻番,持續(xù)下載速度加快20%,可靠性也提升了約66%,編程/擦寫循環(huán)次數(shù)達(dá)到5000次。
美光uMCP5提供四種容量組合,分別為8GB+128GB、8GB+256GB、12GB+128GB、12GB+256GB。
責(zé)編AJX
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1845瀏覽量
116015 -
UFS
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
110瀏覽量
25219 -
LPDDR5
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
90瀏覽量
12612
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
芯動(dòng)科技獨(dú)家推出28nm/22nm LPDDR5/4 IP
LPDDR5X更輕薄了!明年旗艦機(jī)型或將采用
美光科技出貨全球首款基于1γ制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存 突破性封裝技術(shù)
美光為 Motorola 最新款 Razr 60 Ultra 注入 AI 創(chuàng)新動(dòng)能
LPDDR5X:面向高性能與能效的增強(qiáng)型移動(dòng)內(nèi)存
LPDDR5X速率刷新記錄,LPDDR5-Ultra-Pro DRAM來(lái)了
三星Galaxy S25系列搭載美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0
黑芝麻智能與美光科技攜手拓展ADAS方案性能
黑芝麻智能與美光科技將合作推出新型ADAS解決方案

季豐電子開發(fā)出LPDDR5的SER測(cè)試方案并在中子輻射下完成SER實(shí)驗(yàn)

評(píng)論